金属保护层34能够熔合形成Cr-Ti接触电阻，进而可提高LED芯片的电流横向扩展能力。
[0025] 本实施例中LED芯片电极的制备方法具体如下： 1、采用物理气相沉积法(PVD,Physical Vapor Deposition)依次沉积第一金属粘附层 31、金属反射层32、第二金属粘附层33、金属保护层34、以及金属打线层35，其中，具体包括： 1) 首先利用Cr靶，沉积第一金属粘附层31，沉积厚度为5-150 A; 2) 然后利用Al靶，沉积金属反射层32,沉积厚度为1000-3000 A; 3) 再利用Cr靶，沉积第二金属粘附层33,沉积厚度为50-500 A; 4) 继而利用Ti靶，沉积金属保护层34,沉积厚度为1000-3000A; 5) 最后利用Au靶，沉积金属打线层35,沉积厚度为10000-20000A。
[0026] 2、对沉积后的第一金属粘附层31、金属反射层32、第二金属粘附层33、金属保护层 34、以及金属打线层35进行熔合工艺，使第二金属粘附层33和金属保护层34形成Cr-Ti接触 电阻，具体熔合工艺为： 将沉积后的复合结构在200-250°C温度下、氮气环境中，熔合5-30分钟，使第二金属粘 附层33和金属保护层34熔合形成Cr-Ti接触电阻。
[0027]对应用比较例1和实施例1中电极的LED芯片进行测试，LED芯片的大小为15* 30mi 1，测试电流为150mA，可得到表1中的测试数据。 :表k JLED: 秦Ifc _崩藏表
可以发现，与比较例1相比，实施例1中的工作电压Vfl上升了0.02V，相同波长下LED芯 片的亮度LOPl提升了2.8%。
[0029] LED芯片的光效利用L0P/(Vf 1*1)进行描述，因比较例1和实施例1中的测试电流相 等，故可利用LOP/Vf!对LED芯片的光效进行等效描述。参表1所示，实施例1中LED芯片的光 效53.70高于比较例1中的光效52.56，光效上升较为明显。
[0030] 应当理解的是，本实施例中以五层结构(Cr-Al-Cr-Ti-Au)的电极为例进行说明， 在其他实施例中，第一金属粘附层也可以采用Ni等其他金属材料，金属打线层也可以采用 Al等其他金属材料，只需保证第二金属粘附层和金属保护层熔合形成Cr-Ti接触电阻即可。
[0031] 本发明中的电极可以作为LED芯片的N电极，也可以作为LED芯片的P电极。上述实 施例中以包含金属反射层的LED芯片电极为例进行说明，如位于发光区上方的P电极，在其 他实施例中，如位于发光区外的N电极，也可以不设置金属反射层，此时，可将第一金属粘附 层和第二金属粘附层采用一层金属粘附层(Cr)进行替换，同样可在电极中形成Cr-Ti接触 电阻。
[0032] 由以上技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果： 在电极中形成材料为Ti的金属保护层，电极中的第二金属粘附层和金属保护层能够熔 合形成Cr-Ti接触电阻，有效提高了LED芯片的横向扩展能力，提高了LED芯片的发光亮度； Ti金属保护层在不影响电极老化的前提下，大大降低了电极的制造成本。
[0033] 对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在 不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论 从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权 利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有 变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0034] 此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包 含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当 将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员 可以理解的其他实施方式。
【主权项】
1. 一种LED芯片电极，其特征在于，所述电极包括第一金属粘附层、设于第一金属粘附 层上的第二金属粘附层、设于第二金属粘附层上的金属保护层、以及设于金属保护层上的 金属打线层，所述第二金属粘附层的材料为金属Cr，金属保护层的材料为金属Ti，第二金属 粘附层和金属保护层熔合形成Cr-Ti接触电阻。2. 根据权利要求1所述的LED芯片电极，其特征在于，所述第二金属粘附层的厚度为50-500A，金属保护层的厚度为1000-3000A。3. 根据权利要求1所述的LED芯片电极，其特征在于，所述第一金属粘附层的材料为Cr 或Ni，厚度为5-150 A。4. 根据权利要求1所述的LED芯片电极，其特征在于，所述打线层的材料为Au或A1，厚度 为10000-20000 A。5. 根据权利要求1所述的LED芯片电极，其特征在于，所述第一粘附层和第二金属粘附 层之间还设有金属反射层。6. 根据权利要求5所述的LED芯片电极，其特征在于，所述金属反射层的材料为A1，厚度 为1000-3000A。7. -种LED芯片电极的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 采用物理气相沉积法依次沉积第一金属粘附层、第二金属粘附层、金属保护层、以及金 属打线层，其中，第二金属粘附层和金属保护层分别采用Cr靶和Cr靶进行沉积； 对第一金属粘附层、第二金属粘附层、金属保护层、以及金属打线层进行熔合工艺，使 第二金属粘附层和金属保护层形成Cr-Ti接触电阻。8. 根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述熔合工艺具体为： 在200-250°C温度下、氮气环境中，恪合5-30分钟。9. 根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第二金属粘附层的厚度为50-500 A，金属保护层的厚度为1000-3000A。10. 根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括： 在第一金属粘附层上沉积金属反射层。
【专利摘要】本发明公开了一种LED芯片电极及其制造方法，所述电极包括第一金属粘附层、设于第一金属粘附层上的第二金属粘附层、设于第二金属粘附层上的金属保护层、以及设于金属保护层上的金属打线层，所述第二金属粘附层的材料为金属Cr，金属保护层的材料为金属Ti，第二金属粘附层和金属保护层熔合形成Cr-Ti接触电阻。本发明在电极中形成材料为Ti的金属保护层，电极中的第二金属粘附层和金属保护层能够熔合形成Cr-Ti接触电阻，有效提高了LED芯片的横向扩展能力，提高了LED芯片的发光亮度。
【IPC分类】H01L33/40
【公开号】CN105591003
【申请号】CN201610156747
【发明人】李庆, 刘撰, 陈立人
【申请人】聚灿光电科技股份有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2016年3月18日