用高方阻金属膜制作金属化薄膜式电容器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电容器技术领域，特别是一种用高方阻金属膜制作金属化薄膜电容器。
【背景技术】
[0002]传统的金属化材料作P2等级电容器，由于方阻较低，金属镀层厚度较厚，这种低方阻金属膜制成的薄膜电容(如图3所示)对于承受大电流冲击能力也具有明显优势，但是自愈所需要的能量也相对较大，自愈时获取的电能会转化为自愈热能。在高温高压的环境下发生自愈，自愈热能会导致产品急剧升温，随之电参数开始瞬间劣变，由于电参数劣变，又促使进一步自愈，然后又产生自愈能量，一直循环到热量以自燃形式释放，电容器失效。
近年P2等级的传统电容器，市场上使用金属化安全膜制成的薄膜电容器(如图4所示)具有高频损耗小，耐电流能力强、容量高、精度高、体积小、性价比高等优点。由于在镀层直接有保险丝，自愈时烧断保险丝就隔离开电极，自愈需要的能量降低。电容器失效也是开路以自燃形式释放，减小以自燃形式释放的可能。
但是任何工艺的选择都是双向的。网格状安全膜在低热自愈同时，在生产过程中也会碰到一些问题，例如卷绕外封金属镀层清除问题，由于薄膜镀层是不均匀分布，方阻不一致，在外封清除时电流不一致，有的地方清除不干净，两极间的漏电流加大，损耗值变大；赋能电压选择问题，电压高镀层间的保险丝烧断，电压低附能不到位，损耗值不稳定；由于安全膜留有间隔，有效面积降低，尺寸偏大问题或成本增加。都是我们需要注意控制和综合考虑的效。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是为了解决上述问题，设计了一种用高方阻金属膜制作金属化薄膜式电容器。
[0004]实现上述目的本发明的技术方案为，一种用高方阻金属膜制作金属化薄膜式电容器，包括中空的盒式封装本体，所述盒式封装本体内固定安装电容芯子6，所述电容芯子6上焊接有两条引线1，所述两条引线I都从盒式封装本体的上表面伸出，所述电容芯子6是分别在两个平行的介质2的上表面上蒸镀金属镀层3形成的结构。
[0005]所述介质2为聚丙烯薄膜。
[0006]所述金属镀层3是由方阻较大的金属镀层制作而成的，所以金属化薄膜本身的方阻也比较大，一般可采用锌和铝的金属镀层来制作金属化薄膜。
[0007]所述金属镀层3呈斜坡状蒸镀在介质2的上表面上。
[0008]所述两个平行的介质2相互错开，两个平行的介质错开的距离0.7-0.8mm。
[0009]所述金属镀层3的一边与介质2上表面对应的边缘重合，另一边与介质2上表面对应的边缘相距2mm。
[0010]采用两个平行的介质相互错开且金属镀层边缘与介质边缘存在距离的结构可以有效的防止电极间放电。
[0011]所述两个引线I分别与两个金属镀层3焊接在一起。
[0012]所述盒式封装本体是由双层外壳4和填充在双层外壳缝隙间的灌封料5两部分构成的。
[0013]利用本发明的技术方案制作的用高方阻金属膜制作金属化薄膜电容器，具有安全性高，高频损耗小，安全环保、容量高、精度高、体积小、抗机械强度高、性价比高，能够在高压、高频率的场合下应用。
【附图说明】
[0014]图1是本发明所述电容芯子的结构示意图；
[0015]图2是本发明所述用高方阻金属膜制作金属化薄膜式电容器的结构示意图；
[0016]图3是传统低方阻金属膜制成的薄膜电容器的结构示意图；
[0017]图4是传统金属化安全膜制成的薄膜电容器的结构示意图；图中，1、引线；2、介质；3、金属镀层；4、双层外壳；5、灌封料；6、电容芯子。
【具体实施方式】
[0018]下面结合附图对本发明进行具体描述，如图1-2所示，一种用高方阻金属膜制作金属化薄膜式电容器，包括中空的盒式封装本体，所述盒式封装本体内固定安装电容芯子6，所述电容芯子6上焊接有两条引线1，所述两条引线I都从盒式封装本体的上表面伸出，所述电容芯子6是分别在两个平行的介质2的上表面上蒸镀金属镀层3形成的结构。其中，所述介质2为聚丙烯薄膜；所述金属镀层3是由方阻较大的金属镀层制作而成的；所述金属镀层3呈斜坡状蒸镀在介质2的上表面上；所述两个平行的介质2相互错开，两个平行的介质错开的距离0.7-0.8mm ;所述金属镀层3的一边与介质2上表面对应的边缘重合，另一边与介质2上表面对应的边缘相距2mm ;所述两个引线I分别与两个金属镀层3焊接在一起；所述盒式封装本体是由双层外壳4和填充在双层外壳缝隙间的灌封料5两部分构成的。
[0019]本发明的技术要点是用高方阻金属膜制作金属化薄膜，将金属镀层通过蒸镀的方式设置在两个相互平行的介质上。金属镀层作为电极，金属镀层和介质共同构成了电容芯子，电容芯子放入盒式封装本体内构成电容器，金属镀层上焊接引线，引线向上伸出盒式封装本体。
[0020]在本技术方案中，金属化薄膜采用方阻比较大的金属膜制成，由于金属镀层很薄，那么在自愈过程中要使之气化恢复绝缘，相比于普通方阻材料，只需要更短暂的电极短路时间和更少的自愈能量。因此自愈恢复所需的能量降低，可以大幅度降低由于自愈过度引发的自燃和爆炸。达到防爆效果。
[0021 ] 在本技术方案中，金属镀层采用蒸镀方式设置在介质上表面上作为电极，且介质表面上的金属镀层成斜坡状。金属化薄膜电容的最大优点是“自愈”特性。所谓自愈特性就是假如薄膜介质由于在某点存在缺陷以及在过电压作用下出现击穿短路，而击穿点的金属镀层可在电弧作用下瞬间熔化蒸发而形成一个很小的无金属区，使电容的两个极片重新相互绝缘而仍能继续工作，因此极大提高了电容器工作的可靠性。本发明选用方阻比较大的金属膜，其镀层很薄，那么在自愈过程中要使之气化恢复绝缘，相比于低方阻材料，只需要更短暂的电极短路时间和更少的自愈能量，减少了因自愈热能引起的电容器失效问题。然而，如果镀层全部都是高方阻，金属膜电容器的明显弱点是大电流承载能力差，等效串联电阻就会有一个很大的提升，可能会造成电容器内部过热的结果。使其更适合于耐电流要求较低、安全要求较高的场合。为了解决这一个问题，我们采用了把金属镀层设计成斜坡状。电容器在高频电路中载电密度的分布是按坡度逐渐变化，因此，使用坡度式的高方阻金属镀层既增加电容器的过电流能力，又可降低产品的自愈能量。
[0022]上述技术方案仅体现了本发明技术方案的优选技术方案，本技术领域的技术人员对其中某些部分所可能做出的一些变动均体现了本发明的原理，属于本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种用高方阻金属膜制作金属化薄膜式电容器，包括中空的盒式封装本体，其特征在于，所述盒式封装本体内固定安装电容芯子(6)，所述电容芯子(6)上焊接有两条引线(I )，所述两条引线(I)都从盒式封装本体的上表面伸出，所述电容芯子(6)是分别在两个平行的介质(2)的上表面上蒸镀金属镀层(3)形成的结构。2.根据权利要求1所述的用高方阻金属膜制作金属化薄膜式电容器，其特征在于，所述介质(2)为聚丙烯薄膜。3.根据权利要求1所述的用高方阻金属膜制作金属化薄膜式电容器，其特征在于，所述金属镀层(3)是由方阻较大的金属镀层制作而成的。4.根据权利要求1所述的用高方阻金属膜制作金属化薄膜式电容器，其特征在于，所述金属镀层(3)呈斜坡状蒸镀在介质(2)的上表面上。5.根据权利要求1所述的用高方阻金属膜制作金属化薄膜式电容器，其特征在于，所述两个平行的介质(2)相互错开，两个平行的介质错开的距离0.7-0.8mm。6.根据权利要求1所述的用高方阻金属膜制作金属化薄膜式电容器，其特征在于，所述金属镀层(3)的一边与介质(2)上表面对应的边缘重合，另一边与介质(2)上表面对应的边缘相距2mm。7.根据权利要求1所述的用高方阻金属膜制作金属化薄膜式电容器，其特征在于，所述两个引线(I)分别与两个金属镀层(3)焊接在一起。8.根据权利要求1所述的用高方阻金属膜制作金属化薄膜式电容器，其特征在于，所述盒式封装本体是由双层外壳(4)和填充在双层外壳缝隙间的灌封料(5)两部分构成的。
【专利摘要】本发明公开了一种用高方阻金属膜制作金属化薄膜式电容器，包括中空的盒式封装本体，所述盒式封装本体内固定安装电容芯子6，所述电容芯子6上焊接有两条引线1，所述两条引线1都从盒式封装本体的上表面伸出，所述电容芯子6是分别在两个平行的介质2的上表面上蒸镀金属镀层3形成的结构。本发明的有益效果是，高压、高频率的场合下应用。
【IPC分类】H01G4/008, H01G4/14, H01G4/33, H01G4/005, H01G4/015
【公开号】CN105632761
【申请号】CN201410616264
【发明人】谢志懋, 王占东
【申请人】佛山市南海区欣源电子有限公司, 广东欣源智能电子有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2014年11月6日