一种oled器件及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及OLED显示技术领域，尤其涉及一种OLED器件及其制造方法。
【背景技术】
[0002]随着发光二极管(OrganicLight-Emitting D1de，0LED)技术的发展，OLED良好的发光特性、低能耗等特点，使得OLED在显示、照明领域中得到了广泛应用。
[0003]目前，OLED的发光原理基于其中的有机发光层，当有电流通过时，有机发光层内的有机发光材料可发光。有机发光材料通常包含:蓝光(Blue，B)材料、绿光(Green，G)材料以及红光(Red，R)材料。从而，OLED器件可以发出三种颜色的光。
[0004]具体而言，如图1所示，为OLED器件的结构剖视图，示出了3种颜色的像素，基于如图1所示的结构，OLED的原理为:当电力供应至适当电压时，由阴极Cathode发出电子，经电子传输层ETL进入不同像素的有机发光层(有机发光层包括:分别填充有三种有机发光材料的有机发光层EML-B、EML-G以及EML-R)，由阳极(图1中的阳极的材料为银Ag)在一定电压的作用下，在空穴注入层HIL中形成空穴，并通过空穴传输层HTL向有机发光层中传输空穴，使得有机发光层中的电子迀移至空穴中，从而使像素发光。然而，由于空穴注入层HIL(也包括公共空穴注入层HIL-Common)的导电性较强，那么，若要控制OLED器件只发出一种颜色的光时，电流会通过公用空穴注入层HIL-Common横向影响到其他颜色的像素，使得其他颜色的像素也发出一定程度的光亮。
[0005]例如:在图1中，若要控制像素G发光，那么，针对像素G施加一定的电压后，像素G的有机发发光层发出红光，但由于公共空穴注入层HIL-Common的导电性强，那么，处于像素B和像素R位置的公共空穴注入层HIL-Common中也会产生空穴，并注入至有机发光层中，使得像素B和像素R发出微光。
[0006]现有技术中，为了解决上述单色发光场景下其他颜色像素微亮的现象，通常会将空穴注入层HIL的材料替换为导电性较差的材料，或者，使用电子传输层ETL代替HIL。
[0007]但是，现有技术中的方式将会改变OLED的器件性能，最终导致OLED的显示效果受到影响。
【发明内容】
[0008]本发明实施例提供一种OLED器件及其制造方法，用以解决现有的避免OLED器件在单色发光场景下其他颜色微亮的方式会影响OLED性能的问题。
[0009]本发明提供一种OLED器件，所述OLED器件中包含公用空穴注入层以及不同种类的像素，不同种类的像素中包含阳极，所述公用空穴注入层分别与各种类像素的阳极相连接，所述公用空穴注入层的厚度不超过设定阈值，使得所述公用空穴注入层的电阻大于设定电阻值。
[0010]进一步地，所述公用空穴注入层的厚度为I?lOOnm。
[0011]进一步地，所述阳极包括:金属极板、介质层、透明导电层；
[0012]所述介质层用于传输由像素发出的光，该介质层设于所述金属极板表面，由所述透明导电层覆盖所述介质层。
[0013]进一步地，不同种类像素的阳极中的所述介质层厚度分别与不同像素所发出的光的光程相匹配。
[0014]进一步地，所述介质层的面积大于该介质层所在像素中有机发光层的面积。
[0015]进一步地，所述介质层的材料包括:紫外光UV固化聚合物。
[0016]本发明还提供一种OLED器件的制造方法，所述方法包括:
[0017]提供不同种类像素的阳极；
[0018]在不同种类像素的阳极表面蒸镀形成厚度不超过设定阈值的公用空穴注入层。
[0019]进一步地，形成厚度不超过设定阈值的公用空穴注入层，具体包括:
[°02°] 形成厚度为I?10nm的公用空穴注入层。
[0021 ]进一步地，提供不同种类像素的阳极，具体包括:
[0022]针对任一像素提供金属极板；
[0023]在该像素的金属极板的其中一表面上设置介质层；
[0024]在该像素的介质层上设置透明导电层，形成该像素的阳极。
[0025]进一步地，在该像素的金属极板的其中一表面上设置介质层，具体包括:
[0026]提供含有紫外光UV固化聚合物的混合溶剂；
[0027]将所述混合溶剂闪蒸在该像素的金属极板的其中一表面上形成介质膜；
[0028]使用UV光照将介质膜固化形成介质层。
[0029]进一步地，在该像素的金属极板的其中一表面上设置介质层，具体包括:
[0030]提供透明无机材料；
[0031]通过成膜工艺将透明无机材料在像素的金属极板上形成设定厚度的统一介质层；
[0032]针对特定像素，在统一介质层上使用透明无机材料形成像素介质层，使得在特定像素中统一介质层和像素介质层共同形成介质层。
[0033 ]进一步地，所述透明无机材料包括:氧化娃、氮化娃中的至少一种；
[0034]所述成膜工艺包括:热蒸镀、单原子层沉积ALD中的至少一种；
[0035]所述特定像素包括像素G和像素R。
[0036]进一步地，所述介质层的厚度与该像素所发出的光的光程相匹配。
[0037]在本发明实施例中，针对OLED器件，将其中的公用空穴注入层的厚度减小到设定的厚度范围，从而，增加了公用空穴注入层的阻抗，使得在OLED器件发出单一颜色光的场景下，位于其他像素区域的公用空穴注入层内的电子在阻抗的抑制作用下不发生迀移，从而也就有效减少了空穴的生成，使得其他像素不发光，换言之，采用本发明的方式在不改变OLED器件显示特性的前提下，有效避免了其他像素微亮的现象。
【附图说明】
[0038]此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
[0039]图1为现有技术中OLED器件的结构示意图；
[0040]图2a本发明第一实施例提供的一种OLED器件的结构示意图；
[0041]图2b?2d为本发明第一实施例提供的OLED器件中不同像素的阳极和公用空穴注入层的结构示意图；
[0042]图3为本发明第三实施例提供的OLED器件的结构示意图。
【具体实施方式】
[0043]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0044]如图2a所示，为本发明第一实施例提供的一种OLED器件Dl的结构示意图，具体地，OLED器件Dl包括不同种类的像素:像素10(用于发出蓝色光)、像素20(用于发出绿色光)、像素30(用于发出红色光)，和公用空穴注入层(HIL-COmmOn)40，不同种类的像素中包含阳极(并未在图2a中进行标记，后续将在图2b?2d中具体标记示出)，公用空穴注入层40分别与不同种类的像素的阳极相连接，并且，公用空穴注入层40的厚度不超过设定阈值，使得公用空穴注入层40的电阻阻抗大于设定电阻值。
[0045]当然，对于每一像素而言，其中还包括诸如阴极Cathode，电子传输层ETL、有机发光层EML、空穴传输层HTL、基板ITO等结构，由于是现有技术，故在本发明中不再过多描述。
[0046]需要说明的是，在本申请实施例中，上述的设定阈值为lOOnm，基于此，与现有技术不同的是，正是由于公用空穴注入层40的厚度不超过设定阈值，从而，在公用空穴注入层40半导体材料特性的作用下，使得公用空穴注入层40的阻抗较高(可以认为，在厚度不超过10nm的情况下，公用空穴注入层40的阻抗使得只有极少量的电子横向扩散，不足以触发其他颜色像素发光)，这样一来，当任一像素在电压作用下发光时，由于公用空穴注入层40的阻抗值高于设定的电阻值，那么，其他像素的公用空穴注入层40中的电子受阻抗的限制，便不会流向正在发光的像素的阳极中，也就不会形成空穴，从而，可以有效避免在OLED器件发出单一颜色光的时其他颜色微亮的现象，使得OLED器件发出单一颜色光的场景下，保持正常的显示特性。
[0047]需要说明的是，在本发明实施例中，公用空穴注入层40的厚度在I?10nm的范围内，可以保证公用空穴注入层40有较高的阻抗，从而减少或避免其他像素区域下的公用空穴注入层40中的电子迀移。
[0048]现为了清楚地描述本发明中的OLED器件结构，分别针对不同像素进行说明，如图2b所示，示出了像素10中的阳极101和公用空穴注入层40的结构，其中，阳极101包括:金属极板1011、透明导电层1012、介质层1013，介质层1013用于传输由像素10发出的光，该介质层1013设于金属极板1011表面，由透明导电层1012覆盖该介质层1013。
[0049]在本发明实施例中，金属极板1011的材料可以是银Ag、金Au、铀Pt等金属。透明导电层1012的材料可以是氧化铟锡ITO等透明且导电材料。介质层1013的材料可以是诸如:聚酰亚胺、丙烯酸脂等紫外光UV固化聚合物材料。当然，这里并不构成对本发明的限定。
[0050]相类似地，如图2c所示，像素20中的阳极201和公用空穴注入层40的结构，同样地，在阳极201中也包括:金属极板2011、透明导电层2012、介质层2013，介质层2013用于传输由像素20发出的光，该介质层2013设于金属极板2011表面，由透明导电层2012覆盖该介质层2013。在图2c中阳极201中的各结构的材料与上述阳极1I中各结构的材料相类似，故在此不再过多赘述。
[0051 ] 如图2d所示，像素30中的阳极301和公用空穴注入层40的结构，同样地，在阳极301中也包括:金属极板3011、透明导电层3012、介质层3013，介质层3013用于传输由像素30发出的光，