紫外线透过性基板的清洗装置以及清洗方法
【技术领域】
[0001 ]本发明设及紫外线透过性基板的清洗装置W及清洗方法。
【背景技术】
[0002] W前，作为半导体用娃基板和液晶玻璃基板的清洗方法，盛行的是RCA清洗法、和 使用碱洗涂剂等清洗液的湿式清洗方法。在RCA清洗法中，例如使用过氧化氨、硫酸、盐酸、 氨等的浓的药品，将基板表面的被除去物去除。另外，在使用碱洗涂剂等作为清洗液的清洗 中，组合刷洗、紫外线照射、超声波清洗等的方法也是较为盛行的。在运些方法中，由于大量 使用浓的药品或清洗液，因而从排水处理作业和环境保护的角度考虑，一直要求尽量不使 用浓的药品和清洗液的清洗方法。另外，玻璃基板与半导体晶片相比，其尺寸非常大，而且 近年来，玻璃基板的大型化更为明显。在运样的大型玻璃基板的清洗中，浓的药品或清洗液 的使用量、W及对它们进行漂洗的纯水的使用量增加。因此，由于玻璃基板的制造成本的高 涨和排水处理负荷的增大而产生环境负荷的增大等问题。
[0003] 另外，为了提高清洗效率，作为湿式清洗的前处理，有时也进行干式清洗。在干式 清洗中，将紫外线照射在基板上而进行表面处理，由此使基板表面的有机物分解(例如参照 专利文献1、2)。另外，作为前处理的干式清洗的替代方法，采用有机溶剂等预先清洗基板表 面的无机物、然后用纯水进行漂洗的方法也是较为盛行的。
[0004] 然而，由于W前的干式清洗不能去除无机物，因而在进行干式清洗后，需要进行使 用浓的药品和清洗液的湿式清洗，W清洗无机物。因此，在湿式清洗后产生大量的排水，从 而需要对该排水进行处理。另外，即使在作为前处理使用有机溶剂而进行清洗的方法中，在 有机溶剂清洗后W及湿式清洗后分别用纯水进行漂洗，因而与上述同样，也需要对大量的 排水进行处理。
[0005] 现有技术文献
[0006] 专利文献
[0007] 专利文献1:日本特开平5-182945号公报 [000引专利文献2:日本特开平5-224167号公报
【发明内容】
[0009] 发明所要解决的课题
[0010] 本发明是为解决上述的课题而完成的，其目的在于，提供与使用浓的药品和清洗 液的W前的清洗方法相比，可W减轻排水处理负荷和环境负荷的紫外线透过性基板的清洗 装置W及清洗方法。
[0011] 用于解决课题的手段
[0012] 实施方式的清洗装置是一种紫外线透过性基板的清洗装置，其特征在于，所述清 洗装置具有:臭氧水供给部，其向所述基板的清洗面供给臭氧水；W及紫外线照射部，其在 向所述基板的清洗面供给臭氧水的状态下，向所述基板的清洗面的相反侧的面照射包含 250~260nm的波长的紫外线。
[0013] 实施方式的清洗方法是一种紫外线透过性基板的清洗方法，其特征在于，在向所 述基板的清洗面供给臭氧水的同时，向所述基板的清洗面的相反侧的面照射包含250~ 260nm的波长的紫外线。
[0014] 发明的效果
[0015] 根据本发明的紫外线透过性基板的清洗装置W及清洗方法，与使用浓的药品的W 前的清洗方法相比，可W减轻排水处理负荷和环境负荷。
【附图说明】
[0016] 图1是说明实施方式的清洗方法的图。
[0017] 图2是示意表示实施方式的清洗装置的侧视图。
[0018] 图3是示意表示实施方式的清洗装置的俯视图。
[0019] 图4是表示实施方式的清洗方法的流程图。
[0020] 图5是表示实施例所使用的低压水银灯的波长特性的图。
【具体实施方式】
[0021] 下面使用附图，就本发明的实施方式进行说明。在各图中，对具有同一功能的构成 标注同一符号，并将重复的说明予W省略。本发明并不局限于W下的实施方式。
[0022] 图1是说明实施方式的清洗方法的图。本实施方式的清洗方法在向基板2的清洗面 2a供给臭氧水的状态下，向清洗面2a的相反侧的面（W下称为紫外线照射面)2b照射紫外 线。本实施方式中的被除去物3例如为光致抗蚀剂等的有机薄膜和在无尘室内附着于清洗 面2a的有机物。另外，在本实施方式的清洗方法中，也可W去除附着于清洗面2a的金属微粒 等无机物。
[0023] 本实施方式的清洗方法在向清洗面2a供给臭氧水的状态下，向紫外线照射面化照 射紫外线，利用通过向臭氧水照射紫外线所产生的自由基活性种而将清洗面2a的被除去物 3去除。产生的自由基活性种主要为由下述(1)式所示的反应产生的氧自由基、和由下述(2) 式所示的反应产生的径基自由基。
[0024] 〇3+hv 一 〇2+0? (1)
[002引 0.+出0一2(^. (2)
[0026] 运些氧自由基或径基自由基将清洗面2a的有机物氧化分解而除去，同样，使无机 物氧化生成氧化物而除去。
[0027] 在向清洗面2a供给臭氧水的状态下，在清洗面2a上存在具有规定厚度的臭氧水膜 4。该臭氧水膜4中的臭氧分子通过紫外线分解而产生自由基活性种。产生的自由基活性种 例如使有机物的被除去物3氧化分解而进行清洗。被除去物3由于附着于清洗面2a上，因而 在臭氧水膜4中产生的自由基活性种中，主要在清洗面2a附近产生的自由基活性种有助于 该被除去物3的分解除去。
[0028] 在此，在从清洗面2a侧照射紫外线的情况下，可W认为紫外线的一部分在臭氧水 膜4表面发生散射或折射，照射的紫外线在直至到达清洗面2a的期间发生衰减。另外，紫外 线的一部分被存在于臭氧水膜4内上方部分的臭氧分子所吸收，到达清洗面2a的紫外线量 相对于照射的紫外线有所减少，从而在清洗面2a附近的氧自由基的发生量也有减少的可能 性。再者，于臭氧水膜4内的上方部分产生的自由基活性种的一部分在到达清洗面2a上的被 除去物3之前，发生自由基生成的连锁反应，或者自由基活性种随着臭氧水的流动而从基板 2上向外部排水，因而也有不会到达清洗面2a上的被除去物3的可能性。
[0029] 与此相对照，在本实施方式的清洗方法中，向清洗面2a的相反侧的面2b照射紫外 线。因此，不会有因紫外线在臭氧水膜4表面的散射、反射、折射等引起的紫外线的衰减。另 夕h通过臭氧水膜4中时的紫外线也不会衰减。另外，在臭氧水膜4中产生的自由基活性种也 不会随着臭氧水的流动而从基板2上向外部排水。因此，与从清洗面2a侧照射紫外线的情况 相比，可W高效地进行基板清洗。
[0030] 图2是表示本实施方式的清洗装置1的示意侧视图。图3是表示本实施方式的清洗 装置1的示意俯视图。本实施方式的清洗装置是所谓的平流清洗装置。图2所示的清洗装置1 具有:臭氧水供给部5，其向作为清洗对象的基板2的清洗面2a供给臭氧水;和紫外线照射部 6,其向基板2的清洗面2a的相反侧的面（W下也称为紫外线照射面)2b照射紫外线。在基板2 的清洗面2a上例如附着有有机物和无机物等被除去物3。
[0031] 符号7表示用于输送基板2的输送漉。输送漉7被设置成将载置于输送漉7上的基板 2在臭氧水供给部5的下方输送。输送漉7沿箭头A的方向输送基板2,在输送路径的中途设置 的清洗装置1对基板2依次进行清洗。
[0032] 基板2具有对波长为254nm的紫外线的吸光系数优选在50% W下的紫外线透过性。 在基板2中，上述波长(254nm)的紫外线的透过率优选为50% W上，更优选为90% W上。
[0033