用于转移层的处理的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及用于转移包括特定表面形貌的有源层(activelayer)的处理。
【背景技术】
[0002]这种层的制造越来越涉及用于将各种厚度的层从一个载体转移至另一个载体的技术。
[0003]在微电子领域的许多应用中，可能希望将例如集成电子部件的所谓有源层转移至衬底，或者将存在于第一衬底的表面上的半导体层转移至第二衬底。
[0004]有源层，如本发明的上下文中的理解，由于其尺寸(特别是其厚度)及其脆性，不能被认为是自支撑。
[0005]因此，为了传送有源层，并且具体地，将其转移至最终衬底，必须确保将其固定至被称为处理衬底(handle substrate)或临时衬底(temporary substrate)的转移衬底。然后，这样的衬底使需要被移动和/或转移的层能够被处理。
[0006]可以证明，使用临时衬底将有源层转移至最终衬底是困难的，因为有源层的第一侧包括形成针对有源层的第一侧的非均匀表面形貌的电子部件，诸如电路和接触焊盘，通常称为“结合焊盘”。该表面形貌使得很难确保将临时衬底固定至有源层的第一侧。
[0007]使(其表面形貌不平坦的)有源层第一侧能够被结合至临时衬底的现有技术解决方案主要在于校平和/或平坦化有源层的面，以获得适用于结合(例如直接结合)的规则表面形貌。然而，这些方法实施时都有缺点和难点。
[0008]文件FR2926671Al中描述的一个已知的解决方案主要在于在有源层上形成粘合材料层，并且特别是在有源层的具有不规则表面形貌的面上，以使得所述粘合材料层平坦化有源层的表面形貌，目的是通过粘合材料层将有源层结合至最终衬底。该解决方案的缺点是必须添加层，这使得处理复杂并且增加其制造成本。此外，粘合材料层与形成有源层的表面形貌的电子部件相接触。该接触可能损坏元件。
[0009]文件JP11-297972中描述的另一个方案主要在于使用一个位于另一个上的多个层覆盖电子部件，该多个层的最后一层被蚀刻，以便获得用于结合步骤的预期平坦程度。因此，该蚀刻步骤可能在结构中产生污染和应力。此外，电子部件也直接接触第一层，可能损坏电子部件。最后，该解决方案需要与存在沉积层一样多的沉积处理，使得处理复杂化且实施昂贵。
[0010]此外，上面提及的已知现有技术解决方案中描述的层的添加会导致增加稳定和/或加强这些层到载体的结合所需的热处理的数目。因此，这些解决方案增加了制造处理的热预算，可能使某些电气元件脆化(fragi Iizing)并增加这些制造处理的成本。
[0011]此外，并且根据预期结构的制造处理，这些层的添加使在随后的制造步骤中接近其上放置有添加的层的有源层的面复杂化。
[0012]已知的现有技术解决方案需要对有源层的至少一侧的各种类型的处理，以便使其针对结合足够平坦。根据所实施的处理的类型，污染或所施加的应变会导致降低有源层的质量和操作性能。
【发明内容】
[0013]本发明旨在通过提供用于使用临时衬底将有源层转移至最终衬底的处理来减轻现有技术的这些限制，所述有源层包括具有特定表面形貌的第一侧，所述处理包括:
[0014]-将所述有源层的所述第一侧结合到所述临时衬底的一侧的第一步骤；
[0015]-将所述有源层的第二侧结合到所述最终衬底的第二步骤;以及
[0016]-将所述有源层和所述临时衬底分开的第三步骤。
[0017]根据本发明的处理值得一提的是，所述临时衬底的所述一侧具有与所述有源层的所述第一侧的表面形貌互补的表面形貌，使得在结合的所述第一步骤中，所述临时衬底的表面形貌封装(encapsulate)所述有源层的表面形貌。
[0018]通过这种方式实施该处理使得所述有源层的所述第一侧在所述有源层不经过任何处理或修改的情况下能够被结合至所述临时衬底的所述一侧，因此防止污染或不必要的应力。此外，通过所述临时衬底的互补的表面形貌封装所述有源层的表面形貌使得放置在所述有源层上的电子部件能够受到保护，从而防止任何接触。
【附图说明】
[0019]根据以下结合附图给出的本发明的具体的并且非限制性实施方式的描述，本发明将会更好的被理解，在附图中:
[0020]图1是根据本发明的有源层的一侧的照片；
[0021]图2是根据本发明的另一个有源层的一侧的示意图以及根据本发明的临时衬底的一侧的示意图；
[0022]图3是根据本发明的转移处理的示意图；以及
[0023]图4是根据本发明的转移处理的另一个实施方式的示意图。
【具体实施方式】
[0024]现在将结合图1至4来描述根据本发明的并且使得能够缓解上述问题的转移处理的多个可能的实施方式。对于有源层和临时衬底的各种表示通用的元件使用相同的附图标记来表示。
[0025]图1是有源层2的其上放置诸如电子电路和接触焊盘这样的电子部件3的第一侧I的照片。通过非限制性示例，有源层2可以由硅、A1N、塑料、玻璃等制成。电子部件的数目和它们互相间隔的距离根据有源层2的预期功能和制造处理来设定。因此，电子部件3形成有源层2的第一侧I的特定表面形貌。然后，如图3所示，有源层2的第一侧I的特定表面形貌包括平坦部分和由电子部件限定的至少一个非平坦部分。
[0026]非平坦部分还可以由特定的处理而产生，或者由部件的沉积而产生，该部件不一定是电子部件。
[0027]图3示意性地逐步示出根据本发明的转移处理，该处理主要在于通过将最终衬底4的一侧结合到该有源层2的第二侧6而将诸如图1中所例示的有源层2这样的有源层2转移至最终衬底4。有源层2使用临时衬底5来转移，在第一结合步骤中，有源层2的第一侧I被结合至临时衬底5的一侧，同时考虑有源层2的第一侧I的表面形貌。有源层2的第一侧I和临时衬底5的所述一侧之间的结合是例如直接结合。通过示例，临时衬底5可以由锗、硅、二氧化硅、碳化硅、砷化镓或石英制成。
[0028]直接结合本身是公知的技术。这种结合的原理基于将两个表面直接接触，即不使用特定的材料(粘合剂、蜡、焊料等)。这种操作需要将要被结合的表面(至少部分)足够平坦，没有颗粒或污染物，以使它们相互足够接近以使得能够开始接触，这通常发生在小于几纳米的距离处。在这种情况下，两个表面之间的吸引力足够高以至于产生直接结合(由要被结合的两个表面的原子或分子之间的吸引的范德瓦斯(Van Der Waals)力、电子相互作用的总和引起的结合)。
[0029]因此，这种结合不可能获得，除非有源层2的第一侧I和/或临时衬底5的所述一侧被修改，以使要被结合的这些侧1、5 (至少部分)足够平坦且没有颗粒或污染物。在本实例中，将只修改临时衬底5的所述一侧。
[0030]因此，本发明的转移处理包括在临时衬底5的所述一侧上