产生与有源层2的第一侧I的表面形貌互补的表面形貌，以使得在放置于有源层2的第一侧I上的电子部件3不会接触到临时衬底5的情况下，临时衬底5的表面形貌在第一结合步骤中封装有源层2的第一侧I的表面形貌。
[0031]为此，如图2所示，有源层2的第一侧I的表面形貌的图形被产生以便收集与放置在有源层2的第一侧I上的电子部件3的几何结构和尺寸相关的数据。然后，互补的表面形貌可以通过临时衬底5的蚀刻来产生，因此形成凹部7，再现事先确定的几何结构和尺寸。这个操作可以通过任一种已知的现有蚀刻处理来实施，诸如湿法蚀刻或反应离子蚀刻(RIE)，而且例如，使用激光，或者适用于临时衬底5的材料的任意其它解决方案。
[0032]此外，为了在电子部件3不会接触到临时衬底5的情况下使临时衬底5的表面形貌封装有源层2的第一侧I的表面形貌，用于产生临时衬底5的互补性表面形貌的尺寸相对于放置在有源层2的第一侧I上的电子部件3的尺寸被增加至少5%。
[0033]因此，临时衬底5的厚度比有源层2的第一侧I的表面形貌的最大高度h大至少5%。
[0034]临时衬底5的表面形貌可以(如上所示以及诸如图3中所示)通过几何结构和尺寸增加5%地复制放置在有源层2的第一侧I上的电子部件3、或者可替代地(诸如图4所示)通过制造其深度和宽度与电子部件3的最大高度h和最大宽度I至少增加5%相对应的凹部7(例如矩形)来产生，以便紧密地匹配有源层2的第一侧I的表面形貌。
[0035]在将有源层2的第一侧I直接结合到临时衬底5的所述一侧的第一步骤中，仅仅有源层2的第一侧I的平坦部分被结合上。为了获取足以使有源层2能够被操纵并转移的结合力，有源层2的第一侧I的平坦部分的面积(即结合的面积)大于非平坦部分的面积。因此，有源层2的第一侧I和临时衬底5的所述一侧之间的结合面积表示有源层2的第一侧I的总面积的至少50%。换句话说，有源层2的第一侧I中的、临时衬底5的所述一侧要结合到的平坦区域大于有源层2的第一侧I的非平坦区域。
[0036]根据有源层2的第一侧I和临时衬底5的所述一侧之间的结合面积的尺寸，稳定和/或加强热处理对改进结合也可以是必要的，以便获取至少700mJ/m2的结合能。在这种情况下，为了防止电子部件3被损坏，热处理的温度将低于500°C。
[0037]一旦第一结合步骤已经被实施，有源层2的第二侧6在第二结合步骤中(例如通过直接结合)被结合至最终衬底4的一侧。
[0038]根据实施方式，在第一和第二步骤之间，在有源层2的第二侧6上实施薄化的步骤，例如通过机械抛光或适用于有源层2的材料且现有技术中已知的任意其它技术，以获得厚度介于2um到I Oum之间的有源层2。
[0039]最后，在第三步骤中，临时衬底5和有源层2被分开，以便获得期望的结构2、4。存在许多使层能够从衬底分开的已知现有处理。非限制性地，衬底5和层2可以例如通过将刀片插在临时衬底5和有源层2之间来分开。假定将有源层2的第一侧I结合到临时衬底5的所述一侧的第一步骤没有在这两侧的整体上实施，则因此临时衬底5和有源层2的分开(在第三步骤中)更容易。
[0040]因此，根据本发明的转移处理使得具有特定表面形貌的有源层能够在不需要必须处理所述层的情况下被转移，因此在转移期间防止任何污染或应变，同时保护电子部件。此夕卜，临时衬底可以被重复利用来转移具有如下一侧的层，即，所述一侧的表面形貌与该临时衬底的表面形貌相匹配。
【主权项】
1.一种用于使用临时衬底(5)将有源层(2)转移至最终衬底(4)的处理，所述有源层(2)包括具有特定表面形貌的第一侧(I )，所述处理包括以下步骤: -将所述有源层(2)的所述第一侧(I)结合到所述临时衬底(5)的一侧的第一步骤； -将所述有源层(2)的第二侧(6)结合到所述最终衬底(4)的第二步骤；以及 -将所述有源层(2)和所述临时衬底(5)分开的第三步骤； 所述处理的特征在于，所述临时衬底(5)的所述一侧具有与所述有源层(2)的所述第一侦叭I)的所述表面形貌互补的表面形貌，使得在结合的所述第一步骤中，所述临时衬底(5)的所述表面形貌封装所述有源层(2)的所述第一侧(I)的所述表面形貌。2.根据权利要求1所述的转移处理，其中，所述临时衬底(5)的所述表面形貌通过蚀刻按照预设几何结构和预设尺寸来产生。3.根据权利要求2所述的转移处理，其中，所述临时衬底(5)的所述蚀刻几何结构和尺寸以增加至少5%的方式与所述有源层(2)的所述第一侧(I)的所述表面形貌的几何结构和尺寸相对应。4.根据权利要求2所述的转移处理，其中，所述临时衬底(5)的所述蚀刻形成凹部(7)，所述凹部(7)例如是矩形，所述凹部(7)的深度和宽度以增加至少5%的方式分别与产生于所述有源层(2)的所述第一侧(I)的所述表面形貌的最大高度(h)和最大宽度(I)相对应。5.根据权利要求1所述的转移处理，其中，在所述第一步骤和所述第二步骤之间，在所述有源层(2)的第二侧(6)上实施薄化所述有源层(2)的步骤。6.根据权利要求1所述的转移处理，其中，所述有源层(2)的所述第一侧(I)的所述特定表面形貌包括至少一个平坦部分和至少一个非平坦部分。7.根据权利要求6所述的转移处理，其中，当所述有源层(2)的所述第一侧(I)被结合至所述临时衬底(5)的所述一侧时，仅所述有源层(2)的所述第一侧(I)的所述平坦部分被结入口 ο8.根据权利要求6或7所述的转移处理，其中，所述有源层(2)的所述第一侧(I)的所述平坦部分的面积大于所述非平坦部分的面积。9.根据权利要求1所述的转移处理，其中，将所述有源层(2)的所述第一侧(I)结合至所述临时衬底(5)的一侧是通过在低于500°C的温度下的热处理加强的直接结合。
【专利摘要】用于转移层的处理。本发明涉及一种用于使用临时衬底(5)将有源层(2)转移至最终衬底(4)的处理，所述有源层(2)包括具有特定表面形貌的第一侧(1)，所述处理包括以下步骤：将所述有源层(2)的所述第一侧(1)结合到所述临时衬底(5)的一侧的第一步骤；将所述有源层(2)的第二侧(6)结合到所述最终衬底(4)的第二步骤；以及，将所述有源层(2)和所述临时衬底(5)分开的第三步骤，所述处理的特征在于，所述临时衬底(5)的所述一侧具有与所述有源层(2)的所述第一侧(1)的所述表面形貌互补的表面形貌，使得在结合的所述第一步骤中，所述临时衬底(5)的所述表面形貌封装所述有源层(2)的所述第一侧(1)的所述表面形貌。
【IPC分类】H01L21/02
【公开号】CN105679648
【申请号】CN201511034378
【发明人】M·波卡特
【申请人】索泰克公司
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2015年11月12日
【公告号】DE102015221941A1, US20160141198