内置旁路二极管的制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种旁路二极管，所述旁路二极管可包括设置在太阳能电池的基板上方的第一导电类型的第一导电区域以及设置在所述第一导电区域上方的第二导电类型的第二导电区域。所述旁路二极管可包括直接设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间的薄介电区域。
【专利说明】
内置旁路二极管
【背景技术】
[0001 ]光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于将太阳辐射直接转换为电能的装置。一般来讲，使用半导体加工技术在基板的表面附近形成p-n结而在半导体晶片或基板上制造太阳能电池。照射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板主体中形成电子空穴对。电子空穴对迀移至基板中的P掺杂区和η掺杂区，从而使掺杂区之间生成电压差。将掺杂区连接至太阳能电池上的导电区，以将电流从电池引导至与该电池耦接的外部电路。
【附图说明】
[0002]图1示出根据一些实施例的用于太阳能电池的旁路二极管的俯视平面图。
[0003]图2示出根据一些实施例的旁路二极管的俯视平面图，该旁路二极管包括P型区域和N型区域。
[0004]图3示出根据一些实施例的旁路二极管的剖视图。
[0005]图4为根据一些实施例的流程图，该流程图示出形成旁路二极管的示例性方法。
[0006]图5-图14示出根据一些实施例的形成旁路二极管的示例性序列的剖视图。
【具体实施方式】
[0007]以下【具体实施方式】在本质上只是说明性的，而并非意图限制本申请的主题的实施例或此类实施例的用途。如本文所用，词语“示例性”意指“用作例子、实例或举例说明”。本文描述为示例性的任何实施未必理解为相比其它实施更为优选或更为有利。此外，并不意图受前述技术领域、【背景技术】、
【发明内容】
或以下【具体实施方式】中提出的任何明示或暗示的理论的约束。
[0008]本说明书包括对“一个实施例”或“实施例”的提及。短语“在一个实施例中”或“在实施例中”的出现不一定是指同一实施例。特定的特征、结构或特性可以任何与本公开一致的合适方式加以组合。
[0009]术语。以下段落提供存在于本公开(包括所附权利要求书)中的术语的定义和/或背景:
[0010]“包含/包括”。该术语是开放式的。如在所附权利要求书中所用，该术语并不排除另外的结构或步骤。
[0011]“被配置为”。各种单元或组件可被描述或主张成“被配置为”执行一项或多项任务。在这样的背景下，“被配置为”通过指示该单元/组件包括在操作期间执行一项或多项那些任务的结构而用于暗示结构。因此，即使指定的单元/组件目前不处于工作状态(例如，未开启/激活)，也可将该单元/组件说成是被配置为执行任务。详述某一单元/电路/组件“被配置为”执行一项或多项任务明确地意在对该单元/组件而言不援用35U.S.C.§112第六段。
[0012]如本文所用的“第一”、“第二”等这些术语用作其之后的名词的标记，而并不暗示任何类型的顺序(例如，空间、时间和逻辑等)。例如，提及太阳能电池的“第一”导电区域并不一定暗示该导电区域为某一序列中的第一个导电区域;相反，术语“第一”用于区分该导电区域与另一个导电区域(例如，“第二”导电区域)。
[0013]“基于”。如本文所用，该术语用于描述影响确定结果的一个或多个因素。该术语并不排除可影响确定结果的另外因素。也就是说，确定结果可以仅基于那些因素或至少部分地基于那些因素。考虑短语“基于B确定A”。尽管B可以是影响A的确定结果的因素，但这样的短语并不排除A的确定结果还基于C。在其他实例中，A可以仅基于B来确定。
[0014]“耦接以下描述是指元件或节点或特征被“親接”在一起。如本文所用，除非另外明确指明，否则“親接”意指一个元件/节点/特征直接或间接连接至另一个元件/节点/特征(或直接或间接与其连通)，并且不一定是机械耦接。
[0015]此外，以下描述中还仅出于参考的目的而使用了某些术语，因此这些术语并非意图进行限制。例如，诸如“上部”、“下部”、“上面”或“下面”等术语是指附图中提供参考的方向。诸如“正面”、“背面”、“后面”、“侧面”、“外侧”和“内侧”等术语描述在一致但任意的参照系内组件的某些部分的取向和/或位置，通过参考描述所讨论组件的文字和相关的附图可以清楚地了解这些取向和/或位置。这样的术语可以包括上面具体提及的词语、它们的衍生词语以及类似意义的词语。
[0016]虽然本文所述的许多例子是背接触式太阳能电池，但其技术和结构也同样适用于其他(例如，正接触式)太阳能电池。此外，虽然为了易于理解，本公开的很多内容依据太阳能电池来描述，但本发明所公开的技术和结构同样适用于其他半导体结构。
[0017]本文中描述了用于太阳能电池的旁路二极管以及形成太阳能电池旁路二极管的方法。在下面的描述中，给出了许多具体细节，诸如具体的工艺流程操作，以形成对本公开的实施例的透彻理解。对本领域的技术人员将显而易见的是可在没有这些具体细节的情况下实施本公开的实施例。在其他情况中，没有详细地描述熟知的制造技术，如平版印刷和图案化技术，以避免不必要地使本公开的实施例难以理解。此外，应当理解在图中示出的多种实施例是示例性的展示并且未必按比例绘制。
[0018]当太阳能电池被阴影和/或污物反向偏置时通常会受热。可以用旁路二极管保护太阳能电池在这种情况下不被损坏。然而，由于旁路二极管通常在每串基础上(例如，12-18个电池)附接并且如果存在热斑的话保护不完全，所以可能会损失电力。因此，所公开的旁路二极管可以在单个太阳能电池级别提供旁路二极管保护。该保护可用于反向偏置事件以及对热斑的温度抑制。
[0019]现在转到图1，示出了用于太阳能电池的示例性旁路二极管的俯视平面图。太阳能电池的部分100可包括具有N+区域104和P+区域106的多晶硅旁路二极管102。如图所示，金属栅极108可与区域104进行接触。如二极管示意图110所示，旁路二极管102并联到其对应的太阳能电池上。
[0020]在一个实施例中并且如本文所述，P+多晶硅在旁路二极管102的底部并且与其他P指状物隔离。在各种实施例中，旁路二极管102所占用的面积不能用于发电，因此被制造成相对于太阳能电池的总面积要小。应当注意，单个太阳能电池可包括多个旁路二极管并且不限于单个内置旁路二极管。在一个实施例中，旁路二极管102在反向偏置下可提供更高的电流，以降低功耗。
[0021]转到图2，示出了包括P型导电区域和N型导电区域的旁路二极管的一个实施例的俯视平面图。如图所示，N型多晶硅206可与P型垫210接触。也可进行与多晶硅二极管208的P型部分的接触，以提供并联到太阳能电池的内置旁路二极管208的互联。可以根据所保护的电流的量，以及/或者根据在正向偏置下选择的牺牲来调整这样的旁路二极管的空间区域。
[0022]现在转到图3，示出了旁路二极管的一个实施例的剖视图。如图所示，旁路二极管302可包括第一导电类型的第一导电区域312，该第一导电区域设置在太阳能电池的基板310上方。在一个实施例中，第一导电类型为P型，使得第一导电区域312为P型掺杂多晶硅。在其他实施例中，第一导电类型可为N型掺杂多晶娃。在其中第一导电类型为P型的实施例中，基板可用N型掺杂物杂质原子进行掺杂，而在其中第一导电类型为N型的实施例中，基板可用P型掺杂物杂质原子进行掺杂。在一个实施例中，第一导电区域312可设置在薄介电层上，诸如设置在基板上的薄介电层316。
[0023]在各种实施例中，旁路二极管302可包括第二导电类型(与第一导电类型相对)的第二导电区域，该第二导电区域设置在第一导电区域上方。如图3所示，第二传导区域可为第二导电区域345。在其中第一导电类型为P型的实施例中，第二导电性为N型。类似地，在其中第一导电类型为N型的实施例中，第二导电类型为P型。
[0024]在一个实施例中，旁路二极管302可包括设置在第二导电区域上的第一导电类型360的金属以及设置在第一导电区域上的第二导电类型362的金属。应当注意，第一导电类型的金属可为与第二导电类型相同类型的金属(例如，铝、铜、银等)。特定(第一、第二等)导电类型的术语金属在本文中用于描述该金属对应于特定导电类型的指状物。例如，用于太阳能电池的P指状物的金属称为P金属或P型金属。因此，在图3的旁路二极管中，P型金属设置在N型导电区域上，而N型金属设置在P型导电区域上。应当注意，在太阳能电池的不包括旁路二极管的其他部分中，N型金属接触N型导电区域并且P型金属接触P型导电区域以形成太阳能电池的指状物。
[0025]如图3所示，在一些实施例中，第二导电类型362的金属可通过介电层中的开口设置，如介电区域352和354之间的开口中所示。在一个实施例中，介电区域352、354和314可为氧化物层，诸如二氧化硅。如图3所示，在一些实施例中，第二导电区域345可通过介电层中的开口设置，诸如介电区域314和352之间的开口。
[0026]在各种实施例中，旁路二极管包括直接设置在第一导电区域和第二导电区域之间的薄介电区域。直接设置在第一导电区域和第二导电区域之间的薄介电区域可具有大致在10-20埃范围内的厚度。在一个实施例中，薄介电区域为隧道氧化物。
[0027]在一个实施例中，薄介电区域(诸如薄介电区域332)可在没有设置在第一导电区域和第二导电区域之间的基板中的隔离沟槽的情况下，直接横向设置在第一导电区域312和第二导电区域347之间。避免使用设置在第一导电区域和第二导电区域之间的基板中的隔离沟槽可避免必须在沟槽上进行金属化，因此避免制造中的并联。
[0028]在一个实施例中，薄介电区域(诸如薄介电区域330)可直接设置在第一导电区域312上方，而第二导电区域345直接设置在薄介电区域330上方。在一个实施例中，旁路二极管302可包括薄介电区域330和332两者。
[0029]现在转到图4，一张流程图示出了根据一些实施例的用于形成旁路二极管的方法。在各种实施例中，图4的方法可包括与图示相比额外的(或更少的)框。图4的方法结合在图5-图14处示出的方法的各个阶段的剖面顺序图示予以描述。应当注意，在图5-图14处示出的阶段中的一些不一定是用于形成旁路二极管的方法的一部分，但是针对上下文包括在内。
[0030]在402处，第一导电类型的第一导电区域可在太阳能电池的基板(诸如图5的基板310)上的第一介电层上形成。形成第一导电区域可包括形成P型导电区域。形成P型导电区域可包括形成P型多晶硅区域(例如，通过用P型杂质掺杂多晶硅)或者可包括形成非晶硅区域，该非晶硅区域然后可通过执行热工艺形成为P型导电区域。
[0031 ]如在404处所示，第二介电层可形成在第一导电区域上。在一个实施例中，第二介电层可为二氧化硅层。
[0032]图6示出框402和404的示例性结果，其中第二介电层313形成在第一导电区域312上，该第一导电区域形成在基板310上的第一介电层316上。应当注意，另一个介电层318在图6中示出，该介电层可与第一介电层316同时形成或在不同时间形成。在一个实施例中，另一个介电层318不在方法的该阶段处形成，相反，第一介电层316形成而不另外形成另一个介电层318。
[0033]图7示出第二介电层313的一部分，并且第一导电区域312被移除。可使用各种技术来执行该移除，诸如激光烧蚀或掩蔽，然后通过蚀刻未掩蔽部分来移除。
[0034]回到图4，如在406处所示，可移除第二介电层的一部分并且可形成第二介电层中的开口，如在图8中通过第二介电层的其余部分314和322之间的开口所示。在一个实施例中，第二介电层的部分可通过激光烧蚀移除，而在一些实施例中，可在不另外移除烧蚀部分下方的第一导电区域的一部分(或移除非常浅的部分)的情况下来执行。例如，激光可被构造为(例如，功率、形状、脉冲持续时间、和/或波长等)使得其对于第一导电区域是透明的或者对第一导电区域具有很小影响或没有影响，但烧蚀第二介电层部分。在其中示于图7和图8中的材料的移除均通过激光烧蚀执行的各种实施例中，移除可以相同工具但用不同激光构造执行，或者可用不同激光器进行，使得烧蚀的不同深度可如图所示实现。
[0035]在一个实施例中，可对太阳能电池的区域进行纹理化，如在图9处所示。图9示出蚀刻以使区域326、328和324纹理化。应当注意，由于P型多晶硅(p-poly)的耐蚀刻特性，纹理化区域324比区域326和328的纹理化程度小。
[0036]在408处，如图11的第二传导区域340所示，第二导电类型的第二导电区域可在暴露的第一导电区域的一部分上方(例如，通过介电层中的开口)形成。在其中第一导电类型为P型的实施例中，形成第二导电区域可包括形成η型导电区域。例如，形成η型导电区域可包括形成η型多晶硅区域(例如，通过用η型杂质掺杂多晶硅)或者可包括形成非晶硅区域，该非晶硅区域然后可形成为η型导电区域。在一个实施例中，所形成的第二导电区域具有大约500埃的厚度。
[0037]在一个实施例中，在框408处形成第二导电区域之前，可形成第三介电层，该第三介电层可提供第一导电区域和第二导电区域之间的间隔。如本文所述，第三介电层可为薄介电层(例如，15埃、10-20埃等)，并且可在不使用沟槽的情况下分离第一导电区域和第二导电区域。
[0038]在一个实施例中，第三介电层可形成为使得其横向设置在第一导电区域和第二导电区域之间(例如，如图10中的介电层332所示)，并且/或者该第三介电层可形成为使得其直接设置在第一导电区域上方(例如，如图10中的介电层330所示)，其中第二导电区域直接设置在第三介电层上方(例如，提供纵向间隔)。应当注意，薄介电层334还可形成在基板310的纹理化部分上，同样如图10所示。在各种实施例中，沉积隧道氧化物作为第三介电层可适形于背表面的几何形状。
[0039]在各种实施例中，第一介电层也可为薄介电层，但是可为与第三介电层的薄介电层不同的厚度。例如，第一介电层可具有大约在5-50埃范围内的厚度，而不是第三介电层的10-20埃厚度。第二介电层可具有大约大于50埃的厚度。
[0040]在一些实施例中，隧道氧化物层和掺杂的多晶硅(例如，η型多晶硅(n-poly)掺杂多晶硅)可形成在前表面上，如图12所示。在各种实施例中，基板的两侧上的η型多晶硅可退火，并且氮化物层342可沉积在前表面上，如图13所示。
[0041]再次参见图4，如在410处所示，第二导电区域的一部分可被移除以形成或分离第二导电区域的第一部分和第二部分。在一个实施例中，第二导电区域的部分(例如，部分345和347之间的区域，如图14所示)可通过激光烧蚀该部分而移除。这样的激光烧蚀可称为划线并且可包括烧蚀第二导电区域的部分而不另外烧蚀在第二导电区域下面的介电层322。在一个实施例中，第二导电区域的部分的划线可通过与本文所述的其他激光操作相同的激光工具，但利用在较低功率设置(或不同波长、形状、脉冲持续时间等)下的激光执行。或者，划线可用单独的、比用于一次烧蚀多个不同层更低功率的激光来执行。
[0042]在412处，第二导电类型的金属可联接至第一导电区域，并且第一导电类型的金属可联接至第二导电区域的部分中的一个(例如，第一部分)以形成相应的导电连接。例如，在一个实施例中，将第二导电类型的金属联接至第一导电区域可包括将η型金属联接至P型导电区域。并且联接第一导电类型的金属可包括将P型金属联接到η型导电区域的部分中的一个(例如，第一部分345)。
[0043]框412的联接的例子示于图3中。应当注意，在一些实施例中，方法可包括移除介电层322的一部分。这样的移除的结果通过介电层352和354之间的区域示于图3中。介电层352和354之间的区域可允许第二导电类型金属362(例如，η型金属)联接至第一导电区域(例如，P型导电区域)。另外如图3所示，第一导电类型金属360(例如，P型金属)可联接至第二导电区域(例如，η型导电区域)的第一部分345。
[0044]在一个实施例中，第三介电层330可例如通过电应力(例如，传导高电流或施加高偏压，诸如10V，持续较短的时间周期)或热应力(例如，通过退火，通过激光等)而制成更具导电性。通过将第三介电层制成更具导电性，由一个或多个旁路二极管使用的太阳能电池的面积可减小，从而允许所得太阳能电池产生更多电力。
[0045]所公开的结构和技术可提供对反向偏置事件以及对热斑的单元级别下的温度抑制的防护，这继而可使热斑测试能够从模块处理流程移除。此外，所公开的结构和技术不需要在隔离沟槽上的金属化即可避免制造中的并联。
[0046]尽管上面已经描述了具体实施例，但即使相对于特定的特征仅描述了单个实施例，这些实施例也并非旨在限制本公开的范围。在本公开中所提供的特征的例子除非另有说明否则旨在为说明性的而非限制性的。以上描述旨在涵盖将对本领域的技术人员显而易见的具有本公开的有益效果的那些替代形式、修改形式和等效形式。
[0047]本公开的范围包括本文所公开的任何特征或特征组合(明示或暗示)，或其任何概括，不管它是否减轻本文所解决的任何或全部问题。因此，可以在本申请(或对其要求优先权的申请)的审查过程期间对任何此类特征组合提出新的权利要求。具体地讲，参考所附权利要求书，来自从属权利要求的特征可与独立权利要求的那些特征相结合，以及来自相应的独立权利要求的特征可以按任何适当的方式组合，而不限于所附权利要求中所枚举的特定的组合。
[0048]在一个实施例中，制造用于太阳能电池的旁路二极管的方法涉及在太阳能电池的基板上的第一介电层上形成第一导电类型的第一导电区域，在第一导电区域上形成第二介电层，移除第二介电层的一部分，在第一导电区域的由第二介电层的移除部分所暴露的一部分上方形成第二导电类型的第二导电区域，移除第二导电区域的一部分以将第二导电区域分离成第二导电区域的第一部分和第二部分，以及将第二导电类型的金属联接至第一导电区域并且将第一导电类型的金属联接至第二导电区域的第一部分。
[0049]在一个实施例中，所述形成第一导电区域包括形成P型导电区域，并且所述形成第二导电区域包括形成η型导电区域，其中所述联接包括将η型金属联接至P型导电区域以及将P型金属联接至η型导电区域的第一部分。
[0050]在一个实施例中，所述移除第二导电区域的一部分包括激光烧蚀第二导电区域的部分。
[0051 ]在一个实施例中，方法进一步涉及，在所述形成第二导电区域之前，形成第三介电层，其中第三介电层提供第一导电区域和第二导电区域之间的间隔。
[0052]在一个实施例中，所述移除第二介电层的部分包括激光烧蚀第二介电层的部分，而不移除烧蚀部分下方的第一导电区域的一部分。
[0053]在一个实施例中，制造用于太阳能电池的旁路二极管的方法涉及形成第一导电区域上的介电层中的开口，通过介电层中的开口在第一导电区域上方形成第二导电区域，分离第二导电区域的第一部分与第二导电区域的第二部分，以及在第一导电区域与其对应相对金属类型之间并且在第二导电区域的第二部分与其对应相对金属类型之间形成导电连接。
[0054]在一个实施例中，所述形成介电层中的开口通过激光烧蚀执行。
[0055]在一个实施例中，所述分离第二导电区域的第一部分与第二部分包括激光烧蚀第二导电区域。
[0056]在一个实施例中，所述形成导电连接包括在η型导电区域和P型金属之间以及在P型导电区域和η型金属之间形成导电连接。
[0057]在一个实施例中，所述形成介电层中的开口包括形成第一导电区域上的二氧化硅层中的开口，其中第一导电区域为P型导电区域。
[0058]在一个实施例中，方法进一步涉及在所述形成第二导电区域之前形成另一个介电层，其中另一个介电层提供第一导电区域和第二导电区域之间的间隔。
[0059]在一个实施例中，形成另一个介电层提供第一导电区域和第二导电区域之间的横向间隔。
[0060]在一个实施例中，形成另一个介电层提供第一导电区域和第二导电区域之间的横向和纵向间隔。
[0061]在一个实施例中，形成第二导电区域包括通过介电层中的开口在第一导电区域上方形成非晶硅。
[0062]在一个实施例中，所述形成第二导电区域包括在第一导电区域上形成η型多晶硅。在一个实施例中，用于太阳能电池的旁路二极管包括设置在太阳能电池的基板上方的第一导电类型的第一导电区域，设置在第一导电区域上方的第二导电类型的第二导电区域，以及直接设置在第一导电区域和第二导电区域之间的薄介电区域。
[0063]在一个实施例中，薄介电区域在没有设置在第一导电区域和第二导电区域之间的基板中的隔离沟槽的情况下，直接横向设置在第一导电区域和第二导电区域之间。
[0064]在一个实施例中，薄介电区域直接设置在第一导电区域上方，并且其中第二导电区域直接设置在薄介电区域上方。
[0065]在一个实施例中，薄介电区域为隧道氧化物。
[0066]在一个实施例中，旁路二极管还包括设置在基板上的薄介电层，并且第一导电区域设置在薄介电层上。
【主权项】
1.一种制造用于太阳能电池的旁路二极管的方法，所述方法包括: 在所述太阳能电池的基板上的第一介电层上形成第一导电类型的第一导电区域； 在所述第一导电区域上形成第二介电层； 移除所述第二介电层的一部分； 在所述第一导电区域的由所述第二介电层的所述移除部分暴露的部分上方形成第二导电类型的第二导电区域； 移除所述第二导电区域的一部分以将所述第二导电区域分离成所述第二导电区域的第一部分和第二部分；以及 将所述第二导电类型的金属耦接至所述第一导电区域并且将所述第一导电类型的金属耦接至所述第二导电区域的所述第一部分。2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一导电区域包括形成P型导电区域，并且其中形成所述第二导电区域包括形成η型导电区域，其中所述耦接包括将η型金属耦接至所述P型导电区域以及将P型金属耦接至所述η型导电区域的所述第一部分。3.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述第二导电区域的一部分包括激光烧蚀所述第二导电区域的所述部分。4.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述第二导电区域之前，形成第三介电层，其中所述第三介电层提供所述第一导电区域和所述第二导电区域之间的分隔。5.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述第二介电层的所述部分包括激光烧蚀所述第二介电层的所述部分，而不移除所述烧蚀部分下方的所述第一导电区域的部分。6.—种制造用于太阳能电池的旁路二极管的方法，所述方法包括: 在第一导电区域上的介电层中形成开口 ； 通过所述介电层中的所述开口在所述第一导电区域上方形成第二导电区域； 将所述第二导电区域的第一部分与所述第二导电区域的第二部分隔离；以及在所述第一导电区域与其对应相对金属类型之间并且在所述第二导电区域的所述第二部分与其对应相对金属类型之间形成导电连接。7.根据权利要求6所述的方法，其中在所述介电层中形成所述开口通过激光烧蚀执行。8.根据权利要求6所述的方法，其中分离所述第二导电区域的所述第一部分与所述第二部分包括激光烧蚀所述第二导电区域。9.根据权利要求6所述的方法，其中形成所述导电连接包括在η型导电区域和P型金属之间以及在P型导电区域和η型金属之间形成导电连接。10.根据权利要求6所述的方法，其中在所述介电层中形成所述开口包括在所述第一导电区域上的二氧化硅层中形成所述开口，其中所述第一导电区域为P型导电区域。11.根据权利要求6所述的方法，还包括在形成所述第二导电区域之前形成另一个介电层，其中所述另一个介电层提供所述第一导电区域和所述第二导电区域之间的分隔。12.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述另一个介电层提供所述第一导电区域和所述第二导电区域之间的横向分隔。13.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述另一个介电层提供所述第一导电区域和所述第二导电区域之间的横向和纵向分隔。14.根据权利要求6所述的方法，其中形成所述第二导电区域包括通过所述介电层中的所述开口在所述第一导电区域上方形成非晶硅。15.根据权利要求6所述的方法，其中形成所述第二导电区域包括在所述第一导电区域上形成η型多晶硅。16.—种用于太阳能电池的旁路二极管，所述旁路二极管包括: 第一导电类型的第一导电区域，所述第一导电类型的第一导电区域设置在所述太阳能电池的基板上方； 第二导电类型的第二导电区域，所述第二导电类型的第二导电区域设置在所述第一导电区域上方；以及 薄介电区域，所述薄介电区域直接设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间。17.根据权利要求16所述的旁路二极管，其中所述薄介电区域在没有设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间的所述基板中的隔离沟槽的情况下，直接横向设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间。18.根据权利要求16所述的旁路二极管，其中所述薄介电区域直接设置在所述第一导电区域上方，并且其中所述第二导电区域直接设置在所述薄介电区域上方。19.根据权利要求16所述的旁路二极管，其中所述薄介电区域为隧道氧化物。20.根据权利要求16所述的旁路二极管，还包括: 薄介电层，所述薄介电层设置在所述基板上，其中所述第一导电区域设置在所述薄介电层上。
【文档编号】H01L31/044GK105830229SQ201480069896
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2014年12月12日
【发明人】大卫·D·史密斯, 林承笵
【申请人】太阳能公司