双面带有隔片的密封用片、以及半导体装置的制造方法

双面带有隔片的密封用片、以及半导体装置的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种双面带有隔片的密封用片，其具备密封用片、层叠于密封用片的一个面的隔片A、和层叠于密封用片的另一个面的隔片B，在将密封用片与隔片A之间的剥离力设为F1，将密封用片与隔片B之间的剥离力设为F2，将除去密封用片以外的厚度设为t，将密封用片的面积设为A时，它们满足特定的关系。
【专利说明】
双面带有隔片的密封用片、从及半导体装置的制造方法
技术领域
[0001] 本发明设及双面带有隔片的密封用片、W及半导体装置的制造方法。
【背景技术】
[0002] W往，作为半导体装置的制造方法，已知有在将固定于基板等上的1个或多个半导 体忍片用密封树脂密封后、将密封体切割为半导体装置单元的封装件的方法。作为此种密 封树脂，例如已知有由热固性树脂构成的密封用片(例如参照专利文献1)。
[0003] 现有技术文献
[0004] 专利文献
[0005] 专利文献1:日本特开2006-19714号公报

【发明内容】

[0006] 发明所要解决的问题
[0007] 如上所述的密封用片通常在使用前将两面W隔片覆盖。此外，在使用时，剥离一个 面的隔片，在经过给定的工序后剥离另一个面的隔片。然而，存在有在剥离隔片时密封用片 有时会破裂的问题。
[0008] 本发明是鉴于上述的问题而完成的，其目的在于，提供能够抑制在剥离隔片时在 密封用片中产生破裂的双面带有隔片的密封用片、W及使用了该双面带有隔片的密封用片 的半导体装置的制造方法。
[0009] 用于解决问题的方法
[0010] 本发明人等对所述问题进行了深入研究。其结果是发现，如果2片隔片的剥离力满 足特定的关系，就可W在隔片的剥离时抑制密封用片的破裂，从而完成了本发明。
[0011] 目P，本发明是一种双面带有隔片的密封用片，其特征在于，具备：
[0012] 密封用片、
[0013] 层叠于所述密封用片的一个面的隔片A、和
[0014] 层叠于所述密封用片的另一个面的隔片B，
[0015] 在将所述密封用片与所述隔片A之间的剥离力设为F1，将所述密封用片与所述隔 片B之间的剥离力设为F2,将所述密封用片的厚度设为t，将所述密封用片的面积设为A时， 满足下述(1)的关系。
[0016] (l)0<F2(N/20mm)XA(m2)Xt(mm)<10.0(其中，满足 F1<F2。）
[0017] 根据所述构成，由于满足所述（1)，因此可W抑制剥离隔片削寸的密封用片的破裂。 本发明人等发现，密封用片的破裂容易度不仅同其与隔片之间的剥离力有关联，而且还同 密封用片的厚度、面积有关联。即发现，在剥离隔片时，密封用片的厚度t越厚则越容易破 裂，面积A越大则越容易破裂。此外发现，如果在隔片B与密封用片的剥离力F2上乘W密封用 片的厚度t和面积A而得的积小于10.0,则可W抑制剥离隔片B时的密封用片的破裂。而且， 如果在剥离隔片B时在密封用片中没有产生破裂，则在隔片A的剥离时当然不会在密封用片 中产生破裂。运是因为，隔片A与密封用片的剥离力小于隔片B与密封用片的剥离力。而且， F1<F2是为了先剥离隔片A而必需的参数。
[0018] 另外，本发明是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：
[0019] 工序A，准备在支撑体上固定有半导体忍片的层叠体；
[0020] 工序B，准备所述双面带有隔片的密封用片；
[0021] 工序C，从所述双面带有隔片的密封用片剥离所述隔片A而得到单面带有隔片的密 封用片；
[0022] 工序D，W使所述单面带有隔片的密封用片的剥离了所述隔片B的一侧的面与所述 层叠体的所述半导体忍片的面相面对的方式，将所述单面带有隔片的密封用片配置于所述 层叠体的所述半导体忍片上；
[0023] 工序E，将所述半导体忍片埋入所述密封用片，形成在所述密封用片中埋入有所述 半导体忍片的密封体;和
[0024] 工序F，剥离所述隔片B。
[0025] 根据所述构成，在从所述双面带有隔片的密封用片剥离所述隔片A、形成密封体 后，剥离隔片B。由于双面带有隔片的密封用片满足所述式（1)，因此可W抑制剥离隔片A及 隔片B时的破裂。因而，可W提高使用该双面带有隔片的密封用片制造的半导体装置的成品 率。
[0026] 发明效果
[0027] 根据本发明，可W提供能够抑制在剥离隔片时在密封用片中产生破裂的双面带有 隔片的密封用片、W及使用了该双面带有隔片的密封用片的半导体装置的制造方法。
【附图说明】
[0028] 图1是本实施方式的双面带有隔片的密封用片的剖面示意图。
[0029] 图2是用于说明本实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0030] 图3是用于说明本实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0031] 图4是用于说明本实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0032] 图5是用于说明本实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0033] 图6是用于说明本实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0034] 图7是用于说明本实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0035] 图8是用于说明本实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0036] 图9是用于说明本实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0037] 图10是用于说明本实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
【具体实施方式】
[0038] W下，在参照附图的同时，对本发明的实施方式进行说明。但是，本发明并不仅限 定于运些实施方式。
[0039] (双面带有隔片的密封用片）
[0040] 图1是本实施方式的双面带有隔片的密封用片10的剖面示意图。如图1所示，双面 带有隔片的密封用片10具备密封用片11、层叠于密封用片11的一个面的隔片16a、和层叠于 密封用片11的另一个面的隔片16b。隔片16a相当于本发明的隔片A。另外，隔片16b相当于本 发明的隔片B。
[0041]在将密封用片11与隔片16a之间的剥离力设为F1，将密封用片11与隔片16b之间的 剥离力设为F2,将密封用片11的厚度设为t，将密封用片11的面积设为A时，双面带有隔片的 密封用片10满足下述(1)的关系。
[00 创（l)0<F2(N/20mm)XA(m2)Xt(mm)<10.0(其中，满足 F1<F2。）
[0043] 由于双面带有隔片的密封用片10满足所述（1)，因此在剥离隔片16a、隔片16b时， 可W抑制密封用片11的破裂。
[0044] 所述(1)优选满足下述(1-1)。
[0045] (l-l)l.〇Xl〇-7<F2(N/20mm)XA(m2)Xt(m)<5.0
[0046] 隔片16a的厚度没有特别限定，然而从防止被认为在大面积时容易产生的弯曲的 观点考虑，优选为50μηι W上，更优选为7 5μηι W上。另外，从隔片的剥离容易度的观点考虑，优 选为300μηι W下，更优选为200μηι W下。
[0047] 隔片16b的厚度没有特别限定，然而从隔片剥离时的处置性的观点考虑，优选为10 ymW上，更优选为上。另外，从隔片的剥离容易度的观点考虑，优选为200ymW下，更 优选为100皿W下。
[0048] 作为隔片16a及隔片16b，例如可W使用纸等纸系基材;布、无纺布、毛拉、网状物等 纤维系基材;金属锥、金属板等金属系基材;塑料片等塑料系基材;橡胶片等橡胶系基材;发 泡片等发泡体、或它们的层叠体[特别是塑料系基材与其他基材的层叠体、塑料片之间的层 叠体等]等恰当的纸张状物。本发明中，可W合适地使用塑料系基材。作为所述塑料系基材 的原材料，例如可W举出聚乙締(PE)、聚丙締(PP)、乙締-丙締共聚物等締控系树脂；乙締- 乙酸乙締醋共聚物化VA)、离聚物树脂、乙締-(甲基）丙締酸共聚物、乙締-(甲基)丙締酸醋 (无规、交替)共聚物等W乙締作为单体成分的共聚物;聚对苯二甲酸乙二醇醋(PET)、聚糞 二甲酸乙二醇醋（PEN)、聚对苯二甲酸下二醇醋（PBT)等聚醋；丙締酸系树脂；聚氯乙締 (PVC);聚氨醋;聚碳酸醋;聚苯硫酸(PPS);聚酷胺(尼龙）、全芳香族聚酷胺巧族聚酷胺)等 酷胺系树脂;聚酸酸酬(P邸K);聚酷亚胺;聚酸酷亚胺;聚偏二氯乙締;ABS(丙締腊-下二締- 苯乙締共聚物）；纤维素系树脂;娃酬树脂;氣树脂等。隔片16a既可W是单层，也可W是巧中 W上的多层。而且，作为隔片16a的制造方法，可W利用W往公知的方法形成。
[0049] 隔片16a及隔片16b也可W在满足所述（1)的范围内，被进行剥离处理，也可W不被 进行脱模处理。例如，在隔片16a和隔片16b使用相同材质的材料的情况下，可W利用脱模处 理的有无来使之满足所述(1)。
[0050] 作为所述脱模处理中所用的脱模剂，可W举出氣系脱模剂、长链烷基丙締酸醋系 脱模剂、娃酬系脱模剂等。其中，优选娃酬系脱模剂。
[0051] 双面带有隔片的密封用片10的俯视时的大小及形状没有特别限定，然而可W设为 各边的长度分别为300mmW上的矩形、或各边的长度分别为500mmW上的矩形。另外，可W设 为直径为200mmW上的圆形。在将双面带有隔片的密封用片设为大面积的情况下，特别容易 产生弯曲。然而，本实施方式的双面带有隔片的密封用片10即使采用大面积的材料，在隔片 16a的厚度为50皿W上的情况下，也容易抑制弯曲。
[0052] (密封用片）
[0053] 密封用片11的构成材料优选含有环氧树脂、W及作为固化剂的酪醒树脂。由此，就 可W得到良好的热固性。
[0054] 作为所述环氧树脂，没有特别限定。例如，可W使用Ξ苯基甲烧型环氧树脂、甲酪 线性酪醒型环氧树脂、联苯型环氧树脂、改性双酪A型环氧树脂、双酪A型环氧树脂、双酪F型 环氧树脂、改性双酪F型环氧树脂、双环戊二締型环氧树脂、苯酪线性酪醒型环氧树脂、苯氧 基树脂等各种环氧树脂。运些环氧树脂既可W单独使用，也可W并用巧巾W上。
[0055] 从确保环氧树脂的固化后的初性及环氧树脂的反应性的观点考虑，优选环氧当量 为150~250、软化点或烙点为50~130 °C的在常溫下为固体的环氧树脂，其中，从可靠性的 观点考虑，更优选Ξ苯基甲烧型环氧树脂、甲酪线性酪醒型环氧树脂、联苯型环氧树脂。
[0056] 所述酪醒树脂只要是在与环氧树脂之间发生固化反应的树脂，就没有特别限定。 例如，可W使用苯酪线性酪醒树脂、苯酪芳烷基树脂、联苯芳烷基树脂、双环戊二締型酪醒 树脂、甲酪线性酪醒树脂、甲阶酪醒树脂等。运些酪醒树脂既可W单独使用，也可W并用巧中 社。
[0057] 作为所述酪醒树脂，从与环氧树脂的反应性的观点考虑，优选使用径基当量为70 ~250、软化点为50~11(TC的酪醒树脂，其中，从固化反应性高的观点考虑，可W合适地使 用苯酪线性酪醒树脂。另外，从可靠性的观点考虑，也可W合适地使用苯酪芳烷基树脂或联 苯芳烷基树脂之类的低吸湿性的酪醒树脂。
[0058] 对于环氧树脂与酪醒树脂的配合比例，从固化反应性的观点考虑，优选W相对于 环氧树脂中的环氧基1当量使酪醒树脂中的径基的合计为0.7~1.5当量的方式配合，更优 选为0.9~1.2当量。
[0059] 密封用片11中的环氧树脂及酪醒树脂的合计含量优选为2.5重量％ ^上，更优选 为3.0重量％^上。如果为2.5重量％^上，则可W良好地获得与半导体忍片23、半导体晶片 22等的胶粘力。密封用片11中的环氧树脂及酪醒树脂的合计含量优选为20重量％^下，更 优选为10重量％^下。如果为20重量％^下，则可W降低吸湿性。
[0060] 密封用片11也可W含有热塑性树脂。由此，就可W获得未固化时的处置性、固化物 的低应力性。
[0061] 作为所述热塑性树脂，可W举出天然橡胶、下基橡胶、异戊二締橡胶、氯下橡胶、乙 締-乙酸乙締醋共聚物、乙締-丙締酸共聚物、乙締-丙締酸醋共聚物、聚下二締树脂、聚碳酸 醋树脂、热塑性聚酷亚胺树脂、6-尼龙或6,6-尼龙等聚酷胺树脂、苯氧基树脂、丙締酸类树 脂、PET或PBT等饱和聚醋树脂、聚酷胺酷亚胺树脂、氣树脂、苯乙締-异下締-苯乙締嵌段共 聚物等。运些热塑性树脂可W单独地使用，或并用巧巾W上。其中，从低应力性、低吸水性的 观点考虑，优选苯乙締-异下締-苯乙締嵌段共聚物。
[0062] 密封用片11中的热塑性树脂的含量优选设为1.5重量％ ^上，更优选设为2.0重 量％^上。如果为1.5重量％^上，则可W获得柔软性、晓曲性。密封用片11中的热塑性树脂 的含量优选为6重量％ ^下，更优选为4重量％^下。如果为4重量％ ^下，则与半导体忍片 23或半导体晶片22的胶粘性良好。
[0063] 密封用片11优选含有无机填充剂。
[0064] 所述无机填充剂没有特别限定，可W使用W往公知的各种填充剂，例如可W举出 石英玻璃、滑石、二氧化娃(烙融二氧化娃或结晶性二氧化娃等）、氧化侣、氮化侣、氮化娃、 氮化棚的粉末。它们既可w单独使用，也可w并用巧中w上。其中，从可w良好地降低线膨胀 系数的理由考虑，优选二氧化娃、氧化侣，更优选二氧化娃。
[0065] 作为二氧化娃，优选二氧化娃粉末，更优选烙融二氧化娃粉末。作为烙融二氧化娃 粉末，可W举出球状烙融二氧化娃粉末、破碎烙融二氧化娃粉末，然而从流动性的观点考 虑，优选球状烙融二氧化娃粉末。其中，优选平均粒径为10~30WI1的范围的粉末，更优选15 ~25]im的范围的粉末。
[0066] 而且，平均粒径例如可W通过使用从母集团中任意地提取的试样、并用激光衍射 散射式粒度分布测定装置进行测定而导出。
[0067] 密封用片11中的所述无机填充剂的含量相对于密封用片11整体优选为75~95重 量％，更优选为78~95重量％。如果所述无机填充剂的含量相对于密封用片11整体为75重 量％ ^上，则会压低热膨胀率，由此可W抑制由热冲击造成的机械破坏。其结果是，另一方 面，如果所述无机填充剂的含量相对于密封用片11整体为95量％ ^下，则柔软性、流动性、 胶粘性会更加良好。
[0068] 密封用片11优选含有固化促进剂。
[0069] 作为固化促进剂，只要是使环氧树脂与酪醒树脂的固化进行的物质，就没有特别 限定，例如可W举出Ξ苯基麟、四苯基鱗四苯基棚等有机憐系化合物;2-苯基-4,5-二径基 甲基咪挫、2-苯基-4-甲基-5-径基甲基咪挫等咪挫系化合物等。其中，从即使混炼时的溫度 升高也不会使固化反应急剧地推进、可W良好地制作密封用片11的理由考虑，优选2-苯基- 4,5-二径基甲基咪挫。
[0070] 对于固化促进剂的含量，相对于环氧树脂及酪醒树脂的合计100重量份优选为0.1 ~5重量份。
[0071] 密封用片11优选含有阻燃剂成分。由此，就可W减少因部件短路或放热等而着火 时的燃烧扩大。作为阻燃剂组成成分，例如可W使用氨氧化侣、氨氧化儀、氨氧化铁、氨氧化 巧、氨氧化锡、复合化金属氨氧化物等各种金属氨氧化物;憐腊系阻燃剂等。
[0072] 从即使是少量也会发挥阻燃效果的观点考虑，憐腊系阻燃剂中所含的憐元素的含 有率优选为12重量％ W上。
[0073] 对于密封用片11中的阻燃剂成分的含量，在全部有机成分(除去无机填料）中，优 选为10重量％^上，更优选为15重量％^上。如果为10重量％ ^上，则可W良好地获得阻燃 性。密封用片11中的热塑性树脂的含量优选为30重量％^下，更优选为25重量％^下。如果 为30重量％^下，则会有固化物的物性降低(具体而言，是玻璃化转变溫度或高溫树脂强度 等物性的降低)小的趋势。
[0074] 密封用片11优选含有硅烷偶联剂。作为硅烷偶联剂没有特别限定，可W举出3-环 氧丙氧基丙基Ξ甲氧基硅烷等。
[0075] 密封用片11中的硅烷偶联剂的含量优选为0.1~3重量％。如果为0.1重量％ W上， 则可W充分地获得固化物的强度，可W降低吸水率。如果为3重量％ ^下，则可W降低排出 气体量。
[0076] 密封用片11优选被着色。由此，就可W发挥优异的标记性及外观性，能够形成具有 附加价值的外观的半导体装置。被着色了的密封用片11具有优异的标记性，因此可W实施 标记，赋予文字信息或图形信息等各种信息。特别是，通过控制着色的颜色，能够W优异的 观察性观察利用标记赋予的信息(文字信息、图形信息等）。此外，密封用片11也可W按照产 品来分色。在使密封用片11有色的情况下(并非无色、透明的情况），作为利用着色呈现出的 颜色没有特别限制，然而例如优选为黑色、蓝色、红色等浓色，特别适合为黑色。
[0077]本实施方式中，所谓浓色，基本上是指1^1^3^表色系统中规定的1/为60^下（0~ 60)[优选为50 W下(0~50)，更优选为40 W下(0~40)]的浓的颜色。
[007引另外，所谓黑色，基本上是指LW表色系统中规定的L*为35W下(0~35)[优选为 30^下(0~30)，更优选为25^下（0~25)]的黑色系色。而且，在黑色中，1^1、^表色系统中 规定的a^b呵W分别与机勺值对应地适当选择。作为a^bM列如，优选双方都为-10~10,更 优选为-5~5，特别优选为-3~3的范围（其中优选为0或近乎0)。
[0079] 而且，本实施方式中，1^1%^表色系统中规定的1^3^13^是通过使用色彩色差计(商 品名"CR-200"美能达公司制;色彩色差计)测定而求出。而且，L*a*b*表色系统是国际照明委 员会(CIE)在1976年推荐的颜色空间，是指被称作CIE1976(LW)表色系统的颜色空间。另 夕F，L*a*b*表色系统在日本工业标准中，由JIS Z 8729规定。
[0080] 在将密封用片11着色时，可W与所需的颜色对应地使用色材(着色剂）。本发明的 密封用片既可W是一层构成，也可W由多个层构成，然而优选至少在与半导体晶片相面对 的面的相反一面侧添加有着色剂。具体而言，在密封用片为1层构成的情况下，既可W在整 个密封用片中均匀地含有着色剂，也可在与半导体晶片相面对的面的相反一面侧偏在 存在着色剂的方式含有着色剂。另外，在由多个层构成的情况下，也可W在与半导体晶片相 面对的面的相反一面侧的层中添加着色剂，同时在其W外的层中不添加着色剂。本实施方 式中，对本发明的密封用片为1层构成的的情况进行说明。运是因为，如果在密封用片的与 半导体晶片相面对的面的相反一面侧添加着色剂，则可W提高被激光标记了的部分的观察 性。作为此种色材，可W合适地使用黑系色材、蓝系色材、红系色材等各种浓色系色材，特别 适合使用黑系色材。作为色材，可W是颜料、染料等中的任意一种。色材可W单独使用，或者 组合使用巧巾W上。而且，作为染料，无论是酸性染料、反应染料、直接染料、分散染料、阳离 子染料等哪种形态的染料都可W使用。另外，颜料的形态也没有特别限制，可W从公知的颜 料中适当地选择使用。
[0081 ]特别是，如果作为色材使用染料，则会形成通过溶解而使染料均匀或大致均匀地 分散在密封用片11中的状态，因此可W容易地制造着色浓度均匀或大致均匀的密封用片 11，从而可W提高标记性、外观性。
[0082] 作为黑系色材，没有特别限制，然而例如可W从无机的黑系颜料、黑系染料中适当 地选择。另外，作为黑系色材，可W是混合青色(cyan)系色材(蓝绿系色材）、洋红系色材(红 紫系色材)及黄系色材(黄色系色材)而得的色材混合物。黑系色材可W单独使用，或者组合 使用巧巾W上。当然也可W将黑系色材与黑色W外的颜色的色材并用。
[0083] 具体而言，作为黑系色材，例如可W举出炭黑（炉法炭黑、槽法炭黑、乙烘黑、热解 法炭黑、灯黑等）、石墨(gra地ite)、氧化铜、二氧化儘、偶氮系颜料(偶氮甲碱直接黑等）、苯 胺黑、巧黑、铁黑、花青黑、活性炭、铁氧体(非磁性铁氧体、磁性铁氧体等）、磁铁矿、氧化铭、 氧化铁、二硫化钢、铭络合物、复合氧化物系黑色色素、蔥酿系有机黑色色素等。
[0084] 本发明中，作为黑系色材，也可W利用C. I.溶剂黑3、C. I.溶剂黑7、C. I.溶剂黑22、 C. I.溶剂黑27、C. I.溶剂黑29、C. I.溶剂黑34、C. I.溶剂黑43、C. I.溶剂黑70、C. I.直接黑 17、(：.1.直接黑19、(：.1.直接黑22、(：.1.直接黑32、(：.1.直接黑38、(：.1.直接黑51、(：.1.直接 黑71、C. I.酸性黑1、C. I.酸性黑2、C. I.酸性黑24、C. I.酸性黑26、C. I.酸性黑31、C. I.酸性 黑48、C.I.酸性黑52、C.I.酸性黑107、C.I.酸性黑109、C.I.酸性黑110、C.I.酸性黑119、 C. I.酸性黑154; C. I.分散黑1、C. I.分散黑3、C. I.分散黑10、C. I.分散黑24等黑系染料； C. I.颜料黑1、C. I.颜料黑7等黑系颜料等。
[00化]作为此种黑系色材，例如在市场上可W买到商品名"Oil Black BY"、商品名 哨ilBlack BS"、商品名％ilBlack 皿护、商品名％il Black 803"、商品名％il Black 860"、商品名％il Black 5970"、商品名％il Black 590护、商品名％il Black 5905" (化ient化学工业株式会社制)等。
[0086] 作为黑系色材W外的色材，例如可W举出青色系色材、洋红系色材、黄系色材等。 作为青色系色材，例如可W举出C. I.溶剂蓝25、C. I.溶剂蓝36、C. I.溶剂蓝60、C. I.溶剂蓝 70、C. I.溶剂蓝93、C. I.溶剂蓝95; C. I.酸性蓝6、C. I.酸性蓝45等青色系染料;C. I.颜料蓝 1、(：.1.颜料蓝2、(：.1.颜料蓝3、(：.1.颜料蓝15、(：.1.颜料蓝15:1、(：.1.颜料蓝15:2、(：.1.颜料 蓝15:3、C.I.颜料蓝15:4、C.I.颜料蓝15:5、C.I.颜料蓝15:6、C.I.颜料蓝16、C.I.颜料蓝 17、 (：.1.颜料蓝17:1、(：.1.颜料蓝18、(：.1.颜料蓝22、(：.1.颜料蓝25、(：.1.颜料蓝56、(：.1.颜 料蓝60、C.I.颜料蓝63、C.I.颜料蓝65、C.I.颜料蓝66;C.I.还原蓝4;C.I.还原蓝60、C.I.颜 料绿7等青色系颜料等。
[0087] 另外，在洋红系色材中，作为洋红系染料，例如可W举出C.I.溶剂红1、C.I.溶剂红 3、C. I.溶剂红8、C. I.溶剂红23、C. I.溶剂红24、C. I.溶剂红25、C. I.溶剂红27、C. I.溶剂红 30、C. I.溶剂红49、C. I.溶剂红52、C. I.溶剂红58、C. I.溶剂红63、C. I.溶剂红81、C. I.溶剂 红82、C. I.溶剂红83、C. I.溶剂红84、C. I.溶剂红100、C. I.溶剂红109、C. I.溶剂红111、C. I. 溶剂红121、C. I.溶剂红122 ; C. I.分散红9; C. I.溶剂紫8、C. I.溶剂紫13、C. I.溶剂紫14、 C. I.溶剂紫21、C. I.溶剂紫27 ;C. I.分散紫1; C. I.碱性红1、C. I.碱性红2、C. I.碱性红9、 C. I.碱性红12、C. I.碱性红13、C. I.碱性红14、C. I.碱性红15、C. I.碱性红17、C. I.碱性红 18、 C. I.碱性红22、C. I.碱性红23、C. I.碱性红24、C. I.碱性红27、C. I.碱性红29、C. I.碱性 红32、C. I.碱性红34、C. I.碱性红35、C. I.碱性红36、C. I.碱性红37、C. I.碱性红38、C. I.碱 性红39、C. I.碱性红40; C. I.碱性紫1、C. I.碱性紫3、C. I.碱性紫7、C. I.碱性紫10、C. I.碱性 紫14、C.I.碱性紫15、C.I.碱性紫2UC.I.碱性紫25、C.I.碱性紫26、C.I.碱性紫27、28等。
[0088] 在洋红系色材中，作为洋红系颜料，例如可W举出C.I.颜料红1、C.I.颜料红2、 C. I.颜料红3、C. I.颜料红4、C. I.颜料红5、C. I.颜料红6、C. I.颜料红7、C. I.颜料红8、C. I. 颜料红9、C. I.颜料红10、C. I.颜料红11、C. I.颜料红12、C. I.颜料红13、C. I.颜料红14、C. I. 颜料红15、C. I.颜料红16、C. I.颜料红17、C. I.颜料红18、C. I.颜料红19、C. I.颜料红21、 C. I.颜料红22、C. I.颜料红23、C. I.颜料红30、C. I.颜料红31、C. I.颜料红32、C. I.颜料红 37、C. I.颜料红38、C. I.颜料红39、C. I.颜料红40、C. I.颜料红41、C. I.颜料红42、C. I.颜料 红48:1、C. I.颜料红48:2、C. I.颜料红48:3、C. I.颜料红48:4、C. I.颜料红49、C. I.颜料红 49 :1、C. I.颜料红50、C. I.颜料红51、C. I.颜料红52、C. I.颜料红52 :2、C. I.颜料红53 :1、 C. I.颜料红54、C. I.颜料红55、C. I.颜料红56、C. I.颜料红57:1、C. I.颜料红58、C. I.颜料红 60、C. I.颜料红60 :1、C. I.颜料红63、C. I.颜料红63 :1、C. I.颜料红63 :2、C. I.颜料红64、 C. I.颜料红64:1、C. I.颜料红67、C. I.颜料红68、C. I.颜料红81、C. I.颜料红83、C. I.颜料红 87、C. I.颜料红88、C. I.颜料红89、C. I.颜料红90、C. I.颜料红92、C. I.颜料红101、C. I.颜料 红104、C.I.颜料红105、C.I.颜料红106、C.I.颜料红108、C.I.颜料红112、C.I.颜料红114、 C. I.颜料红122、C. I.颜料红123、C. I.颜料红139、C. I.颜料红144、C. I.颜料红146、C. I.颜 料红147、C. I.颜料红149、C. I.颜料红150、C. I.颜料红151、C. I.颜料红163、C. I.颜料红 166、(：.1.颜料红168、(：.1.颜料红170、(：.1.颜料红171、(：.1.颜料红172、(：.1.颜料红175、 C. I.颜料红176、C. I.颜料红177、C. I.颜料红178、C. I.颜料红179、C. I.颜料红184、C. I.颜 料红185、C. I.颜料红187、C. I.颜料红190、C. I.颜料红193、C. I.颜料红202、C. I.颜料红 206、(：.1.颜料红207、(：.1.颜料红209、(：.1.颜料红219、(：.1.颜料红222、(：.1.颜料红224、 C. I.颜料红238、C. I.颜料红245; C. I.颜料紫3、C. I.颜料紫9、C. I.颜料紫19、C. I.颜料紫 23、(：.1.颜料紫31、(：.1.颜料紫32、(：.1.颜料紫33、(：.1.颜料紫36、(：.1.颜料紫38、(：.1.颜料 紫43、C.I.颜料紫50;C.I.还原红1、C.I.还原红2、C.I.还原红10、C.I.还原红13、C.I.还原 红15、C.I.还原红23、C.I.还原红29、C.I.还原红35等。
[0089] 另外，作为黄系色材，例如可W举出C. I.溶剂黄19、C. I.溶剂黄44、C. I.溶剂黄77、 (：.1.溶剂黄79、(：.1.溶剂黄81、(：.1.溶剂黄82、(：.1.溶剂黄93、(：.1.溶剂黄98、(：.1.溶剂黄 103、C. I.溶剂黄104、C. I.溶剂黄112、C. I.溶剂黄162等黄系染料;C. I.颜料澄31、C. I.颜料 澄43; C. I.颜料黄1、C. I.颜料黄2、C. I.颜料黄3、C. I.颜料黄4、C. I.颜料黄5、C. I.颜料黄6、 (：.1.颜料黄7、(：.1.颜料黄10、(：.1.颜料黄11、(：.1.颜料黄12、(：.1.颜料黄13、(：.1.颜料黄14、 C. I.颜料黄15、C. I.颜料黄16、C. I.颜料黄17、C. I.颜料黄23、C. I.颜料黄24、C. I.颜料黄 34、C. I.颜料黄35、C. I.颜料黄37、C. I.颜料黄42、C. I.颜料黄53、C. I.颜料黄55、C. I.颜料 黄65、C. I.颜料黄73、C. I.颜料黄74、C. I.颜料黄75、C. I.颜料黄81、C. I.颜料黄83、C. I.颜 料黄93、C. I.颜料黄94、C. I.颜料黄95、C. I.颜料黄97、C. I.颜料黄98、C. I.颜料黄100、C. I. 颜料黄101、C. I.颜料黄104、C. I.颜料黄108、C. I.颜料黄109、C. I.颜料黄110、C. I.颜料黄 113、(：.1.颜料黄114、(：.1.颜料黄116、(：.1.颜料黄117、(：.1.颜料黄120、(：.1.颜料黄128、 (：.1.颜料黄129、(：.1.颜料黄133、(：.1.颜料黄138、(：.1.颜料黄139、(：.1.颜料黄147、(：.1.颜 料黄150、C.I.颜料黄151、C.I.颜料黄153、C.I.颜料黄154、C.I.颜料黄155、C.I.颜料黄 156、(：.1.颜料黄167、(：.1.颜料黄172、(：.1.颜料黄173、(：.1.颜料黄180、(：.1.颜料黄185、 C. I.颜料黄195; C. I.还原黄1、C. I.还原黄3、C. I.还原黄20等黄系颜料等。
[0090] 青色系色材、洋红系色材、黄系色材等各种色材可W分别单独地使用，或者组合使 用巧巾W上。而且，在使用巧巾W上的青色系色材、洋红系色材、黄系色材等各种色材的情况 下，作为运些色材的混合比例（或配合比例），没有特别限制，可W与各色材的种类或所需的 颜色等对应地适当地选择。
[0091 ] 作为密封用片11的基于可见光(波长:380nm~800nm)的光线透射率(可见光透射 率），没有特别限制，然而例如优选为20 %~0 %的范围，更优选为10 %~0 %，特别优选为 5%~0%。通过将密封用片11的可见光透射率设为20% W下，可W使印刷观察性良好。另外 还可W防止由光线通过造成的对半导体元件的不良影响。
[0092]密封用片11的可见光线透射率（％ )可W如下算出，即，制作厚度(平均厚度)为10μ m的密封用片11，对该密封用片11 (厚度：10皿)使用商品名"UV-2550"(岛津制作所制）W给 定的强度照射波长为380nm~800nm的可见光线。测定因该照射而透过密封用片11的可见光 线的光强度，利用下式算出。
[0093] 可见光线透射率（％) = ((透过密封用片11后的可见光线的光强度)/(可见光线的 初期的光强度））X 100
[0094] 而且，光线透射率（％)的所述算出方法也可W适用于厚度并非lOwii的密封用片11 的光线透射率（％)的算出。具体而言，可W利用郎伯比尔定律，如下所示地算出10WI1时的吸 光度Aio。
[0095] Aio = aXLi〇XC (1)
[0096] 式中，Lio表示光路长，α表示吸光系数，C表示试样浓度。
[0097] 另外，厚度Χ(μπι)时的吸光度Αχ可W利用下述式(2)表示。
[009引 Ax = aXLxXC (2)
[0099] 此外，厚度20皿时的吸光度A20可W利用下述式(3)表示。
[0100] Aio = -logioTio (3)
[0101] 式中，T10表示厚度ΙΟμπι时的光线透射率。
[0102] 根据所述式(1)~(3)，吸光度Αχ可W表示为：
[0103] Ax = Ai〇X(Lx/1io)
[0104] =-[l0gi 日化日）]X(Lx/Lio)
[010引由此，厚度X(皿)时的光线透射率Τχ(%)可W利用下述算出。
[0106] Τχ=1〇-Μ
[0107] 其中，Ax = -[logio(Tio)] X (Lx/lio)
[0108] 本实施方式中，求密封用片的光线透射率（％ )时的密封用片的厚度(平均厚度)为 ΙΟμπι，然而该密封用片的厚度终究是求密封用片的光线透射率（％)时的厚度，而并不意味 着本发明的密封用片为10WI1。
[0109] 密封用片11的光线透射率（％ )可W利用树脂成分的种类或其含量、着色剂(颜料、 染料等)的种类或其含量、填充材料的种类或其含量等来控制。
[0110] 而且，在密封用片11中，在上述的各成分W外还可W根据需要适当地配合其他的 添加剂。
[0111] 密封用片11的厚度没有特别限定，然而从作为密封用片使用的观点、W及能够适 宜地埋入半导体忍片23的观点考虑，例如设为50μπι~2000μπι，优选设为70μπι~1200皿，更优 选设为100μπι~700皿。
[0112] 密封用片11的制造方法没有特别限定，然而优选制备用于形成密封用片11的树脂 组合物的混炼物、并涂布所得的混炼物的方法;将所得的混炼物塑性加工为片状的方法。由 此，就可W不使用溶剂地制作密封用片11，因此可W抑制半导体忍片53因挥发的溶剂而受 到影响的情况。
[0113] 具体而言，通过将后述的各成分用混合漉、加压式捏合机、挤出机等公知的混炼机 烙融混炼而制备混炼物，并将所得的混炼物利用涂布或塑性加工制成片状。作为混炼条件， 溫度优选为上述的各成分的软化点W上，例如为30~150°C，如果考虑环氧树脂的热固性， 则优选为40~140°C，更优选为60~120°C。时间例如为1~30分钟，优选为5~15分钟。
[0114] 混炼优选在减压条件下(减压气氛下)进行。由此，就可W进行脱气，同时可W防止 气体向混炼物中的侵入。减压条件下的压力优选为〇.lkg/cm2W下，更优选为0.05kg/cm2W 下。减压下的压力的下限没有特别限定，然而例如为lXl(T4kg/cm2W上。
[0115] 在涂布混炼物而形成密封用片11的情况下，烙融混炼后的混炼物优选不进行冷却 而保持高溫状态不变地涂布。作为涂布方法没有特别限制，可W举出棒涂法、刮涂法、狭缝 式挤压涂布法等。作为涂布时的溫度，优选为上述的各成分的软化点W上，如果考虑环氧树 脂的热固性及成型性，则例如为40~150°C，优选为50~140°C，更优选为70~120°C。
[0116] 在对混炼物进行塑性加工而形成密封用片11的情况下，烙融混炼后的混炼物优选 不进行冷却而保持高溫状态不变地进行塑性加工。作为塑性加工方法没有特别限制，可W 举出平板压制法、T型模头挤出法、螺杆模头挤出法、漉压延法、漉混炼法、吹塑挤出法、共挤 出法、压延成型法等。作为塑性加工溫度优选为上述的各成分的软化点W上，如果考虑环氧 树脂的热固性及成型性，则例如为40~150°C，优选为50~140°C，更优选为70~120°C。
[0117] 而且，密封用片11也可W如下得到，即，向适当的溶剂中溶解用于形成密封用片11 的树脂等，使之分散而制备清漆，将该清漆涂布在剥离片上而得到。
[0118] 下面，对使用了双面带有隔片的密封用片10的半导体装置的制造方法进行说明。
[0119] 本实施方式的半导体装置的制造方法至少具有：
[0120] 工序A，准备将半导体忍片倒装忍片式接合在半导体晶片的电路形成面的层叠体； [0121 ]工序B，准备前面所述的双面带有隔片的密封用片；
[0122] 工序C，从所述双面带有隔片的密封用片剥离所述隔片A而得到单面带有隔片的密 封用片；
[0123] 工序D，W使所述单面带有隔片的密封用片的剥离了所述隔片B的一侧的面与所述 层叠体的所述半导体忍片的面相面对的方式，将所述单面带有隔片的密封用片配置于所述 层叠体的所述半导体忍片上；
[0124] 工序E，将所述半导体忍片埋入所述密封用片，形成在所述密封用片中埋入有所述 半导体忍片的密封体;和
[01巧]工序F，剥离所述隔片B。
[0126] 目P，本实施方式中，对本发明的"在支撑体上固定有半导体忍片的层叠体"为"将半 导体忍片倒装忍片式接合在半导体晶片的电路形成面的层叠体"的情况进行说明。本实施 方式是所谓的化ip-On-Wafer方式的半导体装置的制造方法。
[0127] 图2~图10是用于说明本实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[012引[准备工序]
[0129] 本实施方式的半导体装置的制造方法中，首先，准备将半导体忍片23倒装忍片式 接合在半导体晶片22的电路形成面22a的层叠体20(工序A)。第一实施方式中，半导体晶片 22相当于本发明的"支撑体"。层叠体20例如可W如下所示地得到。
[0130] 如图2所示，首先，准备具有电路形成面23a的1个或多个半导体忍片23、和具有电 路形成面2姑的半导体晶片22。而且，W下，对将多个半导体忍片倒装忍片式接合在半导体 晶片上的情况进行说明。作为半导体晶片22的俯视时的形状及尺寸，可W设为与双面带有 隔片的密封用片10的俯视时的大小及形状相同，例如可W设为直径为200mmW上的圆形。
[0131] 然后，如图3所示，将半导体忍片23倒装忍片式接合在半导体晶片22的电路形成面 22曰。在半导体忍片23向半导体晶片22上搭载时，可W使用倒装片接合机或忍片接合机等公 知的装置。具体而言，将形成于半导体忍片23的电路形成面23a的凸块23b与形成于半导体 晶片22的电路形成面22a的电极22b电连接。由此，就可W得到在半导体晶片22上安装有多 个半导体忍片23的层叠体20。此时，也可W在半导体忍片23的电路形成面2：3a粘贴底部填充 用的树脂片24。该情况下，如果将半导体忍片23倒装忍片式接合在半导体晶片22上，则可W 对半导体忍片23与半导体晶片22之间的间隙进行树脂密封。而且，对于将粘贴有底部填充 用的树脂片24的半导体忍片23倒装忍片式接合在半导体晶片22上的方法，例如公开于日本 特开2013-115186号公报等中，因此省略此处的详细说明。
[0132] [准备双面带有隔片的密封用片的工序]
[0133] 另外，本实施方式的半导体装置的制造方法中，准备双面带有隔片的密封用片10 (参照图1)(工序B)。
[0134] [从双面带有隔片的密封用片剥离隔片A的工序]
[0135] 在工序B之后，如图4所示，从双面带有隔片的密封用片10剥离隔片16a而得到单面 带有隔片的密封用片18(工序C)。而且，对于双面带有隔片的密封用片10的隔片16b与密封 用片11的界面中的剥离力，W在隔片16a的剥离时不会剥离的程度的剥离力粘贴。
[0136] [在层叠体上配置单面带有隔片的密封用片的工序]
[0137] 然后，如图4所示，在下侧加热板32上使安装有半导体忍片23的面朝上地配置层叠 体20,同时W使单面带有隔片的密封用片18的剥离了隔片16b的一侧的面与层叠体20的半 导体忍片23的面相面对的方式，将单面带有隔片的密封用片18配置于层叠体20的半导体忍 片23上（工序D)。
[0138] 该工序中，可W首先在下侧加热板32上配置层叠体20,其后，在层叠体20上配置单 面带有隔片的密封用片18,也可W在层叠体20上先层叠单面带有隔片的密封用片18,其后， 将层叠层叠体20和单面带有隔片的密封用片18而得的层叠物配置于下侧加热板32上。
[0139] [形成密封体的工序]
[0140] 然后，如图5所示，利用下侧加热板32和上侧加热板34进行热压，将半导体忍片23 埋入密封用片11的埋入用树脂层14,形成在密封用片11中埋入有半导体忍片23的密封体28 (工序E)。
[0141] 作为将半导体忍片23埋入密封用片11时的热压条件，溫度例如为40~100°C，优选 为50~90 °C，压力例如为0.1~lOMPa，优选为0.5~8MPa，时间例如为0.3~10分钟，优选为 0.5~5分钟。由此，就可W得到将半导体忍片23埋入密封用片11的半导体装置。另外，如果 考虑密封用片11与半导体忍片23及半导体晶片22的密合性及追随性的提高，则优选在减压 条件下进行压制。
[0142] 作为所述减压条件，压力例如为0.1~化化，优选为0.1~lOOPa，减压保持时间（从 开始减压到开始压制的时间）例如为5~600秒，优选为10~300秒。
[0143] [剥离衬垫剥离工序]
[0144] 然后，如图6所示，剥离隔片16a(工序F)。
[0145] [热固化工序]
[0146] 然后，使密封用片11热固化。特别是，使构成密封用片11的埋入用树脂层14热固 化。具体而言，例如对将安装于半导体晶片22上的半导体忍片23埋入密封用片11的密封体 28整体进行加热。
[0147] 作为热固化处理的条件，加热溫度优选为lOOrW上，更优选为120°CW上。另一方 面，加热溫度的上限优选为200°CW下，更优选为180°CW下。加热时间优选为10分钟W上， 更优选为30分钟W上。另一方面，加热时间的上限优选为180分钟W下，更优选为120分钟W 下。此时，优选进行加压，优选为0.1 MPa W上，更优选为0.5MPaW上。另一方面，上限优选为 1 OMPa W下，更优选为5MPa W下。
[0148] [磨削密封用片的工序]
[0149] 然后，如图7所示，磨削密封体28的密封用片11而使半导体忍片23的背面23c露出。 作为磨削密封用片11的方法，没有特别限定，例如可W举出使用高速旋转的砂轮的磨片法。
[0150] [形成布线层的工序]
[0151] 然后，磨削半导体晶片22的与搭载有半导体忍片23的一侧相反一侧的面，形成通 孔(Via)22c后(参照图8)，形成具有布线27a的布线层27(参照图9)。作为磨削半导体晶片22 的方法，没有特别限定，例如可W举出使用高速旋转的砂轮的磨片法。也可W在布线层27形 成从布线27a突出的凸块27b。作为形成布线层27的方法，可W使用半加成法、减成法等W往 公知的电路基板或内插板(int erpos er)的制造技术，因此省略此处的详细的说明。
[0152] [切割工序]
[0153] 接下来，如图10所示，对露出了半导体忍片23的背面23c的密封体28进行切割。由 此，就可W得到基于半导体忍片23单元的半导体装置29。
[0154] [基板安装工序]
[0155] 根据需要，可W进行将半导体装置29安装于另外的基板（未图示）的基板安装工 序。在半导体装置29在所述另外的基板上的安装时，可W使用倒装片接合机、忍片接合机等 公知的装置。
[0156] W上，根据本实施方式的半导体装置的制造方法，在从双面带有隔片的密封用片 10剥离隔片16a、形成密封体28后，剥离隔片16b。由于双面带有隔片的密封用片10满足所述 式（1)，因此可W抑制剥离隔片16a及隔片16b时的破裂。因而，可W提高使用双面带有隔片 的密封用片10制造的半导体装置29的成品率。
[0157] 本实施方式对在热固化工序前剥离隔片16a的情况进行了说明，然而也可W在热 固化工序后剥离。
[0158] 上述的实施方式中，对本发明的半导体装置的制造方法为所谓的化ip-On-Wafer 方式的半导体装置的制造方法的情况进行了说明。即，对本发明的"在支撑体上固定有半导 体忍片的层叠体"为"将半导体忍片倒装忍片式接合在半导体晶片的电路形成面的层叠体" 的情况进行了说明。
[0159] 然而，本发明的半导体装置的制造方法并不限定于该例。本发明的支撑体也可W 是临时固定材料，在密封体形成后被去除。
[0160] 除此W外，本发明并不限定于上述的实施方式，只要进行所述工序A、所述工序B、 所述工序C、所述工序D、所述工序E、W及所述工序F即可，除此W外的工序任选，无论是进行 还是不进行都可W。另外，各工序在不违反本发明的宗旨的范围内，无论W何种顺序进行都 可W。
[0161] 上述的实施方式中，对双面带有隔片的密封用片所具备的密封用片为1层构成的 情况进行了说明，然而本发明的密封用片的层构成并不限定于该例，也可W是2层W上。
[0162] [实施例]
[0163] W下，使用实施例对本发明进行详细说明，然而本发明只要不超出其主旨，就不受 w下的实施例限定。另外，各例中，份只要没有特别指出，就是重量基准。
[0164] <密封用片的制作>
[0165] 对实施例、比较例中使用的成分、W及配合比进行说明。
[0166] < 成分 >
[0167] 环氧树脂:新日铁化学(株)制的YSLV-80XY(双酪F型环氧树脂、环氧当量200g/eq. 软化点80°C)
[0168] 酪醒树脂：明和化成公司制的MEH-7851-SS(具有联苯基芳烷基骨架的酪醒树脂、 径基当量203g/eq.软化点67°C)
[0169] 硅烷偶联剂:信越化学公司制的邸M-403(3-环氧丙氧基丙基Ξ甲氧基硅烷）
[0170] 固化促进剂：四国化成工业公司制的2P监-PW( 2-苯基-4，5-二径基甲基咪挫）
[0171] 热塑性树脂:Ξ菱丽阳株式会社制的J-5800(丙締酸类橡胶系应力缓和剂）
[0172] 填料：电化学工业公司制的FB-9454FC(烙融球状二氧化娃粉末、平均粒径17.6皿）
[0173] 炭黑:Ξ菱化学公司制的#20(粒径50nm)
[0174] <配合比>
[0175] (1)W相对于环氧树脂中的环氧基1当量使酪醒树脂中的径基为1当量的方式配合 (全部配合成分100重量％中，环氧树脂及酪醒树脂的合计量:9.3重量％)。
[0176] (2) W相对于环氧树脂及酪醒树脂的合计100重量份为1.0重量份的方式配合了固 化促进剂。
[0177] (3) W在有机成分(除去填料W外的全部成分）100重量％中为30重量％的方式配 合了热塑性树脂。
[0178] (4) W在全部配合成分100重量％中为88重量％的方式配合了填料(在树脂片中为 79.5 体积％)。
[0179] (5)相对于填料100重量份，配合了 0.1重量份的硅烷偶联剂。
[0180] (6) W在全部配合成分100重量％中为0.3重量％的方式配合了炭黑。
[0181] (实施例1)
[0182] 依照上述记载的配合比配合各成分，利用漉混炼机在60~120°C、10分钟、减压条 件下(O.Olkg/cm2)进行烙融混炼，制备出混炼物。然后，将所得的混炼物利用平板压制法制 成片状后，切割为给定的大小。对于片的厚度，制成0.2mm、0.5mm、1mm、2mm的片。另外，对于 各厚度的片，将大小（俯视的大小）切割为lcmXlcm、10cmX10cm、30cmX30cm、lmXlm，得到 评价用的密封用片。在所得的各密封用片的一个面，粘贴Ξ菱树脂株式会社制的娃酬脱模 处理后的MRU-50(相当于隔片A)，在另一个面粘贴UNmKA株式会社制的TR6-75(相当于隔 片B)。由此，得到评价用的双面带有隔片的密封用片。
[0183] (实施例2)
[0184] 除了取代UNITIKA株式会社制的TR6-75,而粘贴了 Ξ菱树脂株式会社制的MRU-50 (未进行脱模处理）（相当于隔片B)W外，与实施例1相同地得到评价用的双面带有隔片的密 封用片。
[0185] (实施例3)
[0186] 除了取代UNITIKA株式会社制的TR6-75,而粘贴了 UNITIKA株式会社制的TR1-50 (相当于隔片B)W外，与实施例1相同地得到评价用的双面带有隔片的密封用片。
[0187](实施例4)
[018引除了取代lOTTIKA株式会社制的TR6-75,而粘贴了 UNmKA株式会社制的TR1H-50 (相当于隔片B)W外，与实施例1相同地得到评价用的双面带有隔片的密封用片。
[0189] (实施例5)
[0190] 依照上述记载的配合比，将环氧树脂、酪醒树脂、热塑性树脂、无机填充剂和硅烷 偶联剂W使固体成分浓度为95%的方式添加到有机溶剂MEK(甲乙酬）中并揽拌。揽拌是使 用自转公转揽拌机(株式会社THINKY制）W80化pm的转速进行了 5分钟。其后，依照上述记载 的配合比，又添加了固化促进剂和炭黑，W使固体成分浓度为90%的方式添加 MEK，又W 800巧m揽拌3分钟，得到涂布液。
[0191] 其后，将涂布液涂布于娃酬脱模处理后的MRU-50上，化20°C干燥3分钟，由此制作 出厚100μπι的片。再将多片所制作的片利用漉式层压机在90°C贴合而制成给定的厚度，再切 割为给定的大小，得到评价用的密封用片。具体而言，得到与实施例1相同的尺寸的评价用 的密封用片。在所得的各密封用片的一个面，粘贴Ξ菱树脂株式会社制的娃酬脱模处理后 的MRU-50(相当于隔片A)，在另一个面粘贴UNmKA株式会社制的TR6-75(相当于隔片B)。
[0192] (实施例6)
[0193] 除了取代UNITIKA株式会社制的TR6-75,而粘贴了 Ξ菱树脂株式会社制的MRU-50 (未进行脱模处理）（相当于隔片B)W外，与实施例5相同地得到评价用的双面带有隔片的密 封用片。
[0194] (实施例7)
[0195] 除了取代UNITIKA株式会社制的TR6-75,而粘贴了 UNITIKA株式会社制的TR1-50 (相当于隔片B)W外，与实施例5相同地得到评价用的双面带有隔片的密封用片。
[0196] (实施例8)
[0197] 除了取代UNmKA株式会社制的TR6-75,而粘贴了 UNmKA株式会社制的TR1H-50 (相当于隔片B)W外，与实施例5相同地得到评价用的双面带有隔片的密封用片。
[019引（比较例1)
[0199] 除了密封用片的厚度设为2.0mm，将大小设为lOmXlOmW外，与实施例1相同地得 到评价用的双面带有隔片的密封用片。
[0200] (比较例2)
[0201] 除了密封用片的厚度设为2.0mm，将大小设为lOmXlOmW外，与实施例5相同地得 到评价用的双面带有隔片的密封用片。
[0202] <隔片的剥离力的测定>
[0203] 从双面带有隔片的密封用片剥离隔片（相当于隔片B的隔片），测定出密封用片与 隔片（隔片B)之间的剥离力F2。
[0204] 具体而言，在下述条件下进行剥离，测定出此时的载荷的最大载荷(除去测定初期 的峰顶的载荷的最大值），将该最大载荷作为树脂片与隔片间的剥离力(N/20mm宽)求出。其 后，算出F2(N/20mm)XA(m2)Xt(mm)。将结果表示于表l~表3中。
[0205] 而且，密封用片与娃酬脱模处理后的MRU-50(相当于隔片A)之间的剥离力F1为 0.016N/20mm 宽。
[0206] (剥离力的测定条件）
[0207]使用装置:Autograph AGS-J(岛津制作所公司制） [020引溫度：23°C
[0209] 剥离角度:180。
[0210] 拉伸速度:300mm/min
[0211] [表 1]
[0212] [表 1]
[0213]
[0214] [表 2]
[0別引[表2]
[0220] (评价）
[0221] 从利用实施例1~8、比较例1~2制作的评价用的双面带有隔片的密封用片先剥离 娃酬脱模处理后的MRU-50(相当于隔片A)，然后剥离下剥离力不同的各个隔片（相当于隔片 B)。对于其结果，将在密封用片中没有产生裂纹或破裂的设为0,如果产生了裂纹或破裂的 至少任意一种则设为X，进行了评价。将结果表示于表4~表6中。
[0222] [表 4]
[0223] [表 4]
[0224]
[0225] [表 5]
[0226] [表 5]
[0227]
[022引
[0229]
[0230]
[0231] 符号的说明
[0232] 10 双面带有隔片的密封用片，
[0233] 11 密封用片，
[0234] 18 单面带有隔片的密封用片，
[0235] 16a 隔片（隔片 A)，
[0236] 16b 隔片（隔片 B)，
[0237] 20、50 层叠体，
[023引 22 半导体晶片，
[0239] 23 半导体忍片，
[0240] 28 密封体，
[0241] 29 半导体装置
【主权项】
1. 一种双面带有隔片的密封用片，其特征在于，具备： 密封用片、 层叠于所述密封用片的一个面的隔片A、和 层叠于所述密封用片的另一个面的隔片B， 在将所述密封用片与所述隔片A之间的剥离力设为F1，将所述密封用片与所述隔片B之 间的剥离力设为F2,将所述密封用片的厚度设为t，将所述密封用片的面积设为A时，满足下 述(1)的关系： (1) 0<F2XAXt<10.0 其中，满足F1<F2， F2的单位为N/20mm，A的单位为m2，t的单位为mm。2. -种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有： 工序A，准备在支撑体上固定有半导体芯片的层叠体； 工序B，准备权利要求1所述的双面带有隔片的密封用片； 工序C，从所述双面带有隔片的密封用片剥离所述隔片A而得到单面带有隔片的密封用 片； 工序D，以使所述单面带有隔片的密封用片的剥离了所述隔片B的一侧的面与所述层叠 体的所述半导体芯片的面相面对的方式，将所述单面带有隔片的密封用片配置于所述层叠 体的所述半导体芯片上； 工序E，将所述半导体芯片埋入所述密封用片，形成在所述密封用片中埋入有所述半导 体芯片的密封体;和 工序F，剥离所述隔片B。
【文档编号】H01L23/32GK105874582SQ201480069830
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2014年12月22日
【发明人】饭野智绘, 石坂刚, 盛田浩介, 志贺豪士
【申请人】日东电工株式会社