静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的制作方法
【专利摘要】本发明提供的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其利用改进的密封件多层次的多个密封部的设置，使改进的密封件与静电吸附承盘的侧壁间具有多重密封点，并且完全填满静电吸附承盘的沟槽，使蚀刻制程长久作业之后，纵使该改进的密封件的其中一密封点被电浆气体侵蚀而破损，仍能有够效防止漏气的发生，并且提供一缓冲时间，供产线人员实时更换改进的密封件，降低密封件因为突然的纵裂而导致漏气的危险，使半导体蚀刻制程更加安全，产品合格率更加提升。
【专利说明】
静电吸附承盘侧壁的改进的密封件
技术领域
[0001]本发明为一种电浆蚀刻设备的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，尤指一种可填入静电吸附承盘的沟槽中，并且能与沟槽间具有多个密封点的改进的密封件。
【背景技术】
[0002]现有技术的电浆蚀刻设备如图9所示，其包括一静电吸附承盘90，该静电吸附承盘90包含有由陶瓷介电材料所构成的一上部元件91、一下部元件92、以及由软质材料所构成的一连结层93，该连结层93连接上部元件91与下部元件92，另该静电吸附承盘90的周缘进一步设有延伸承载晶圆的一延伸单元100，该静电吸附承盘90与延伸单元100间存在有缝隙110与沟槽113，该缝隙110使得制程电浆气体120由上往下进行蚀刻制程时，电浆气体120会通过缝隙110进入静电吸附承盘90与延伸单元100之间，并且进一步进入沟槽113内使连结层93受到电浆气体120的侵蚀破坏而产生漏气点，因此静电吸附承盘90内部的工作流体会通过此漏气点泄漏至静电吸附承盘90的外部，造成环境的污染。
[0003]过去为解决此漏气污染的问题，开发出将环氧树脂130填入沟槽113中的技术，如图10所示，通过环氧树脂130的填入以密封该沟槽113，达到防止连结层93受到电浆气体120蚀刻破坏的效果。然而，环氧树脂130极容易被电浆气体120蚀刻而损耗，因此长期使用之后同样会产生漏气点，导致环氧树脂130失去密封与保护的功效。此外，环氧树脂130的有效期间难以估计，所以工作人员无法定期在漏气点产生前进行补强或更换，因此也会影响整体制程合格率。
[0004]另一现有技术为提供一种可更换式的O形环140取代传统环氧树脂130装设于沟槽113中，如图11所示，以密封该沟槽113，并且克服上述使用环氧树脂130的缺点。然而，现有的O形环140的设计，其与沟槽113的相对关系仅包含一密封点150，但由于所述沟槽113实际上尺寸很小，故要将O形环140均匀地套设进入沟槽113中并不容易，若是安装不确实导致O形环140内部张应力分散不均，将使O形环140被电浆气体120侵蚀后，于张应力的区域发生纵裂或因变薄破损而产生漏气，导致O形环140失效，此将使O形环140的有效使用期难以估计，以致工作人员无法及时在其破损前更换新的O形环140。故现有技术在电浆蚀刻的制程上仍存在有许多因为工作流体的泄漏及电浆气体120对沟槽113的侵蚀所造成的设备损坏、环境污染以及产品合格率不一的问题。
【发明内容】
[0005]本发明的目的是提供一种能够不会因为O形环的局部破损即导致漏气的情形发生，并且能提供缓冲时间，使O形环寿命能够预期，让工程人员在O形环破损、并且产生漏气前及时更换新的O形环，有效防止流体泄漏，使蚀刻制程更加稳定、安全的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件。
[0006]为达到上述的发明目的，本发明所采用的技术手段为提供一种静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其中，该静电吸附承盘包括有一上部元件、一连结层以及一下部元件，该连结层连接上部元件与下部元件，并且于连结层的侧部外缘形成有一沟槽，所述沟槽形成于上部元件与下部元件之间，所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件形成为一 O形环，其包括:
[0007]—主密封部，该主密封部朝向沟槽的一侧具有至少一边角，所述边角为倒角；以及
[0008]至少一副密封部，该副密封部由主密封部的周缘朝向远离主密封部的方向凸出于该主密封部。
[0009]较佳的是，其中该O形环的截面为L型，且该O形环的主密封部朝向沟槽的一侧具有一边角，该边角为一倒角；而该O形环具有一第一副密封部，该第一副密封部由主密封部的内缘朝向沟槽的方向凸出于该主密封部，并且该第一副密封部朝向沟槽的一侧具有两边角，两边角为两倒角。此技术手段是简单利用一主密封部以及一第一副密封部组成截面为L型的O形环，以配合L型的沟槽使用，并且搭配每个边角均为倒角的设置，使O形环更容易安装于沟槽内，以密封该沟槽，并且不易因为凸出于沟槽而影响静电吸附承盘的下放定位。
[0010]更佳的是，其中该O形环进一步具有至少一第二副密封部，所述第二副密封部由主密封部的外缘朝向远离沟槽的方向凸出于该主密封部，并且所述第二副密封部朝向远离沟槽的一侧具有倒角。此技术手段是利用一主密封部、一第一副密封部以及所述第二副密封部组成的O形环，使该静电吸附承盘侧壁的改进的密封件与沟槽间形成有三重密封点的保护，并且使第二副密封部封闭该静电吸附承盘与延伸单元间的缝隙，更能够有效避免电浆气体通过缝隙进入沟槽中对连结层进行侵蚀。
[0011]较佳的是，其中该O形环的截面为T型，且该O形环的主密封部朝向沟槽的一侧具有两边角，所述边角为倒角；而该O形环具有一第一副密封部，该第一副密封部由主密封部的内缘朝向沟槽的方向凸出于该主密封部，并且该第一副密封部朝向沟槽的一侧具有两边角，两边角为两倒角。此技术手段是利用一主密封部以及一第一副密封部组成截面为T型的O形环，以配合T型的沟槽使用，并且搭配每个边角均为倒角的设置，使O形环更容易安装于沟槽内，以密封该沟槽，并且不易因为凸出于沟槽而影响静电吸附承盘的下放定位。
[0012]更佳的是，其中该O形环进一步具有至少一第二副密封部，所述第二副密封部由主密封部的外缘朝向远离沟槽的方向凸出于该主密封部，并且所述第二副密封部朝向远离沟槽的一侧具有倒角。此技术手段是利用一主密封部、一第一副密封部以及至少一第二副密封部组成的O形环，使该改进的密封件与沟槽间形成有三重密封点的保护，并且使所述第二副密封部封闭该静电吸附承盘与延伸单元间的缝隙，更能够有效避免电浆气体通过缝隙进入沟槽中对连结层进行侵蚀。
[0013]更佳的是，其中该O形环进一步具有一第三副密封部以取代所述第二副密封部，该第三副密封部由主密封部的外缘朝向远离沟槽的方向凸出于该主密封部，并且该第三副密封部的高度大于主密封部的高度，且该第三副密封部分别与上部元件以及下部元件的外缘相连接接触。此技术手段是利用一主密封部、一第一副密封部以及一第三副密封部组成的O形环，使该第三副密封部取代所述第二副密封部，并且使该第三副密封部封闭且部分填满该静电吸附承盘与延伸单元间的缝隙，使本发明的静电吸附承盘侧壁改进的密封件更能够承受电浆气体的冲击与侵蚀，更能有效避免电浆气体通过缝隙进入沟槽中对连结层造成损害。
[0014]本发明的优点在于简单利用主密封部与至少一副密封部的搭配设置，使该改进的密封件与沟槽间形成有多重密封点的保护，当单一密封点受到电浆气体侵蚀而破损时，不会因此马上漏气，造成连结层被侵蚀损坏，并且提供一缓冲时间，让工程人员在改进的密封件严重破损至漏气前可以及时更换新的密封件，有效防止工作流体泄漏，使蚀刻制程更加安全、产品合格率更加稳定。
【附图说明】
[0015]以下附图仅旨在于对本发明做示意性说明和解释，并不限定本发明的范围。其中:
[0016]图1是本发明的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的第一实施例图。
[0017]图2是本发明的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的第二实施例图。
[0018]图3是本发明的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的第三实施例图。
[0019]图4是本发明的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的第四实施例图。
[0020]图5是本发明的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的第五实施例图。
[0021]图6是本发明的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的第六实施例图。
[0022]图7是本发明的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的第七实施例图。
[0023]图8是本发明的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的第八实施例图。
[0024]图9是现有技术的电浆蚀刻设备的静电吸附承盘的示意图。
[0025]图10是现有技术的环氧树脂填入沟槽中的示意图。
[0026]图11是现有技术的可更换式的O形环填入沟槽中的示意图。
[0027]附图标号说明:
[0028]10、10A、90静电吸附承盘11、11A、91上部元件
[0029]111、IllA上部元件的底部112、112A上部元件的顶部
[0030]12、12A、93 连结层 13、13A、92 下部元件
[0031]13U131A下部元件的顶部132、132A下部元件的底部
[0032]14、14A、113 沟槽
[0033]20、20A、20B、20C、20C’、20D、20E、20E’、140 O 形环
[0034]21、21A、21B、21C、21C’、21D、21E、21E’ 主密封部
[0035]211、211A、211B、211C、211C’、211D、211E、211E’ 主密封部的边角
[0036]22、22A、22B、22C、22C’、22D 第一副密封部
[0037]221、221A、221B、221C、221C’、221D 第一副密封部的边角
[0038]23A、23C、23C’ 第二副密封部
[0039]231A、231C、231C’第二副密封部的倒角
[0040]24D、24E、24E’第三副密封部
[0041]30、30A、100 延伸单元 31、31A、110 缝隙
[0042]40、120电浆气体
[0043]w、wl I上部元件的底部截面宽度
[0044]W、Wll上部元件的顶部截面宽度
[0045]W’、W”连结层的截面宽度
[0046]wl3下部元件的顶部截面宽度
[0047]W13下部元件的底部截面宽度
[0048]D 深度
[0049]H、H1、H2第三副密封部的高度
[0050]h、hl、h2主密封部的高度
[0051]130环氧树脂150密封点
【具体实施方式】
[0052]以下请配合附图及本发明的较佳实施例，进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段。
[0053]本发明的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件使用于静电吸附承盘10的侧壁，其中该静电吸附承盘10包括有一上部元件11、一连结层12以及一下部元件13，该上部元件11的底部111截面宽度w小于顶部112的截面宽度W，而该连结层12连接上部元件11的底部111与下部元件13，并且于连结层12的侧部外缘形成有一沟槽14，所述沟槽14形成于上部元件11与下部元件13之间。
[0054]本发明的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件使用前先将沟槽14内的软质连结层12清除一深度D，使连结层12的截面宽度W’小于上部元件11的底部111的截面宽度W，借以使沟槽14的截面呈L型，如图1及图2所示。
[0055]本发明的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的第一实施例如图1所示，该静电吸附承盘侧壁的改进的密封件形成为一 O形环20，该O形环20的截面为L型，即该O形环的轴向截面为对称的L型，借此与L型的沟槽14相对应，该O形环20其包括:一主密封部21以及一第一副密封部22，该主密封部21朝向沟槽14的一侧具有一边角211，该边角211为一倒角，并且该边角211与上部元件11的底部111与顶部112间的转折处相对应。该第一副密封部22由主密封部21的内缘朝向沟槽14的方向凸出于该主密封部21，该第一副密封部22朝向沟槽14的一侧具有两边角221，两边角221均为倒角，并且两边角221分别与上部元件11的底部111与连结层12间的转折处以及下部元件13与连结层12间的转折处相对应，而所述倒角的设置使O形环20更容易安装于沟槽14内，以密封该沟槽14。
[0056]本发明所搭配使用的静电吸附承盘10的侧壁周缘进一步设有一延伸单元30，该延伸单元30与静电吸附承盘10间存在有缝隙31，该缝隙31与沟槽14相连通，如图2所示，并且蚀刻制程所使用的电浆气体40会通过该缝隙31进入延伸单元30与静电吸附承盘10之间，进而对沟槽14内的软质连结层12进行侵蚀，产生漏气现象。
[0057]本发明的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的第二实施例如图2所示，该静电吸附承盘侧壁的改进的密封件形成为一 O形环20A，该O形环20A的截面大致为L型，借此与L型的沟槽14相对应，该O形环20A包括:一主密封部21A、一第一副密封部22A以及一第二副密封部23A，该主密封部21A朝向沟槽14的一侧具有一边角211A，该边角21IA为一倒角，并且该边角211A与上部元件11的底部111与顶部112间的转折处相对应。该第一副密封部22A由主密封部21A的内缘朝向沟槽14的方向凸出于该主密封部21A，该第一副密封部22A朝向沟槽14的一侧具有两边角221A，两边角221A均为倒角，并且两边角221A分别与上部元件11的底部111与连结层12间的转折处以及下部元件13与连结层12间的转折处相对应，所述倒角的设置使O形环20A更容易安装于沟槽14内，以密封该沟槽14。而该第二副密封部23A由主密封部21A的外缘朝向远离沟槽14的方向凸出于该主密封部21A，并且紧邻于主密封部21A与上部元件11的顶部112的接触处，该第二副密封部23A朝向远离沟槽14的一侧具有一倒角231A，并且所述第二副密封部23A可以将延伸单元30与静电吸附承盘10间的缝隙31封闭，以阻止蚀刻制程所使用的电浆气体40进入该缝隙31与沟槽14中。
[0058]本发明的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件使用于另一形态的静电吸附承盘1A的侧壁，其中该静电吸附承盘1A包括有一上部元件11A、一连结层12A以及一下部元件13A，该上部元件IlA的底部11IA截面宽度wll小于顶部112A的截面宽度Wll，该下部元件13A的顶部131A截面宽度wl3小于底部132A的截面宽度W13，而该连结层12A连接上部元件IlA的底部IllA与下部元件13A的顶部131A，并且于连结层12A的侧部外缘形成有一沟槽14A，所述沟槽14A形成于上部元件IlA与下部元件13A之间。
[0059]本发明的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件使用前先将沟槽14A内的软质连结层12A同样清除一深度D，使连结层12A的截面宽度W”小于上部元件IlA的底部IllA的截面宽度wll以及下部元件13A的顶部131A的截面宽度wl3，借以使沟槽14A的截面呈T型，如图3至5所示。
[0060]本发明的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的第三实施例如图3所示，该改进的密封件形成为一 O形环20B，该O形环20B的截面为T型，即该O形环20B的轴向截面呈对称的T型，借此与T型的沟槽14A相对应，该O形环20B其包括:一主密封部21B以及一第一副密封部22B，该主密封部21B朝向沟槽14A的一侧具有两边角211B，两边角21IB均为倒角，并且两边角211B分别与上部元件IlA的底部IllA与顶部112A间的转折处以及下部元件13A的顶部131A与底部132A间的转折处相对应。该第一副密封部22B由主密封部21B的内缘朝向沟槽14A的方向凸出于该主密封部21B，该第一副密封部22B朝向沟槽14A的一侧具有两边角221B，两边角221B均为倒角，并且两边角221B分别与上部元件IlA的底部IllA与连结层12A间的转折处以及下部元件13A的顶部131A与连结层12A间的转折处相对应，而所述倒角的设置使O形环20B更容易安装于沟槽14A内，以密封该沟槽14A。
[0061]本发明所搭配使用的另一形态的静电吸附承盘1A的侧壁周缘进一步设有一延伸单元30A，该延伸单元30A与静电吸附承盘1A间存在有缝隙31A，该缝隙31A与沟槽14A相连通，如图4所示，并且蚀刻制程所使用的电浆气体40会通过该缝隙31A进入延伸单元30A与静电吸附承盘1A之间，进而对沟槽14A内的软质连结层12A进行侵蚀，使连结层12A产生破损、漏气现象。
[0062]本发明的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的第四实施例如图4所示，该静电吸附承盘侧壁的改进的密封件形成为一 O形环20C，该O形环20C的截面大致为T型，借此与T型的沟槽14A相对应，该O形环20C包括:一主密封部21C、一第一副密封部22C以及一第二副密封部23C，该主密封部21C朝向沟槽14A的一侧具有两边角211C，两边角21IC均为倒角，并且两边角211C分别与上部元件IlA的底部IllA与顶部112A间的转折处以及下部元件13A的顶部131A与底部132A间的转折处相对应。该第一副密封部22C由主密封部21C的内缘朝向沟槽14A的方向凸出于该主密封部21C，该第一副密封部22C朝向沟槽14A的一侧具有两边角221C，两边角221C均为倒角，并且两边角221C分别与上部元件IlA的底部IllA与连结层12A间的转折处以及下部元件13A的顶部131A与连结层12A间的转折处相对应，而所述倒角的设置使O形环20C更容易安装于沟槽14A内，以密封该沟槽14A。而该第二副密封部23C由主密封部21C的外缘朝向远离沟槽14A的方向凸出于该主密封部21C，并且紧邻于主密封部21C与上部元件IlA的顶部112A的接触处，该第二副密封部23C朝向远离沟槽14A的一侧具有一倒角231C，并且所述第二副密封部23C可以将延伸单元30A与静电吸附承盘1A间的缝隙31A封闭，以阻止蚀刻制程所使用的电浆气体40进入该缝隙3IA与沟槽14A中。
[0063]本发明的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的第五实施例如图5所示，该静电吸附承盘侧壁的改进的密封件形成为一 O形环20C’，该O形环20C’的截面大致也为T型，借此与T型的沟槽14A相对应，该O形环20C’包括:一主密封部21C’、一第一副密封部22C’以及三个第二副密封部23C’，该主密封部21C’朝向沟槽14A的一侧具有两边角211C’，两边角211C’均为倒角，并且两边角211C’分别与上部元件IlA的底部IllA与顶部112A间的转折处以及下部元件13A的顶部131A与底部132A间的转折处相对应。该第一副密封部22C’由主密封部21C’的内缘朝向沟槽14A的方向凸出于该主密封部21C’，该第一副密封部22C’朝向沟槽14A的一侧具有两边角221C’，两边角221C’均为倒角，并且两边角221C’分别与上部元件IlA的底部IllA与连结层12A间的转折处以及下部元件13A的顶部131A与连结层12A间的转折处相对应，而所述倒角的设置使O形环20C’更容易安装于沟槽14A内，以密封该沟槽14A。所述第二副密封部23C’分别由主密封部21C’的上、中、下部外缘朝向远离沟槽14A的方向凸出于该主密封部21C’，并且所述第二副密封部23C’朝向远离沟槽14A的一侧分别具有倒角231C’，使所述第二副密封部23C’可以将延伸单元30A与静电吸附承盘1A间的缝隙31A多段封闭，以阻止蚀刻制程所使用的电浆气体40进入该缝隙31A与沟槽14A中。所述第二副密封部23C’不限于分别自主密封部21C’的上、中、下部向外凸出，本实施例仅以此作为示例，于此不再赘述。
[0064]本发明的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的第六实施例如图6所示，该静电吸附承盘侧壁的改进的密封件形成为一 O形环20D，该O形环20D的截面大致为T型，该O形环20D包括:一主密封部21D、一第一副密封部22D以及一第三副密封部24D，该主密封部21D朝向沟槽14A的一侧具有两边角211D，两边角211D均为倒角，并且两边角211D分别与上部元件IlA的底部IllA与顶部112A间的转折处以及下部元件13A的顶部131A与底部132A间的转折处相对应。该第一副密封部22D由主密封部21D的内缘朝向沟槽14A的方向凸出于该主密封部21D，该第一副密封部22D朝向沟槽14A的一侧具有两边角221D，两边角221D均为倒角，并且两边角221D分别与上部元件IlA的底部IllA与连结层12A间的转折处以及下部元件13A的顶部131A与连结层12A间的转折处相对应，而所述倒角的设置使O形环20D更容易安装于沟槽14A内，以密封该沟槽14A。而该第三副密封部24D由主密封部21D的外缘朝向远离沟槽14A的方向凸出于该主密封部21D，并且该第三副密封部24D的高度H大于主密封部21D的高度h，且该第三副密封部24D分别与上部元件IlA的顶部112A的外缘以及下部元件13A的底部132A的外缘相连接接触，使所述缝隙31A部分被第三副密封部24D填入并且封闭，以阻止电浆气体40进入缝隙31A与沟槽14A中对软质连结层12A产生侵蚀以致漏气。
[0065]本发明的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的第七实施例及第八实施例如图7、图8所示，该静电吸附承盘侧壁的改进的密封件形成为一 O形环20E、O形环20E’，该O形环20E、O形环20E’的截面大致为帽状，该O形环20E、O形环20E’分别包括:一主密封部2IE、主密封部21E’以及一第三副密封部24E、第三副密封部24E’，该主密封部2IE、主密封部21E’朝向沟槽14A、沟槽14的一侧具有边角211E、边角211E’，边角211E、边角211E’均为倒角，并且边角211E、边角211E’分别与上部元件11A、上部元件11的底部111A、底部111与顶部112A、顶部112间的转折处以及下部元件13A的顶部131A与底部132A或是下部元件13与连结层12间的转折处相对应。而该第三副密封部24E、第三副密封部24E’由主密封部21E、主密封部21E’的外缘朝向远离沟槽14A、沟槽14方向凸出于该主密封部21E、主密封部21E’，并且该第三副密封部24E、该第三副密封部24E’的高度H1、高度H2大于主密封部2IE、主密封部2IE’的高度h1、高度h2，且该第三副密封部24E、第三副密封部24E’分别与上部元件IlA的顶部112A的外缘、上部元件11的顶部112的外缘以及下部元件13A的外缘、下部元件13的外缘相连接接触，使所述缝隙31A、缝隙31部分被第三副密封部24E、第三副密封部24E’填入并且封闭，以阻止电浆气体40进入缝隙31A、缝隙31与沟槽14A、沟槽14中对软质连结层12A、连结层12产生侵蚀以致漏气。
[0066]上述O形环20E、O形环20E’的差异仅在于主密封部21E、主密封部21E’的高度hl、高度h2以及第三副密封部24E、第三副密封部24E’的高度H1、高度H2，此设置差异主要用于适应不同的下部元件13A、下部元件13设计，如图7、图8所示，使沟槽14A、沟槽14可以完全被密封，以达到保护软质连结层12A、连结层12免于被侵蚀以致漏气的目的。
[0067]前述各种O形环20、O形环20A、O形环20B、O形环20C、O形环20C’、O形环20D、O形环20E、O形环20E’均由具有弹性的橡胶所制成，其具有弹性的特性使得O形环20、O形环20A、O形环20B、O形环20C、O形环20C’、O形环20D、O形环20E、O形环20E’装设进入沟槽14、沟槽14A后可以完全密封所述沟槽14、沟槽14A，以达到保护软质连结层12、连结层12A免于被侵蚀以致漏气的目的。
[0068]综上所述，本案所提供的装设于静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其利用多层次的多个密封部的设置，使本发明的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件与静电吸附承盘10的侧壁间具有双重、甚至三重密封点，并且完全填满所述沟槽14、沟槽14A，纵使该静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的第一密封点被电浆气体40长久侵蚀而破损，仍能有效防止漏气的情形发生，并且能实时更换改进的密封件，降低密封件未如预期地突然纵裂或变薄破损而导致漏气所造成的产能损失，使半导体制程有更进一步的发展。
[0069]以上所述仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明做任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何所属技术领域中的普通技术人员，在不脱离本发明技术方案的范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
【主权项】
1.一种静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，所述静电吸附承盘包括有一上部元件、一连结层以及一下部元件，所述连结层连接所述上部元件与所述下部元件，并且于所述连结层的侧部外缘形成有一沟槽，所述沟槽形成于所述上部元件与所述下部元件之间，所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件形成为一 O形环，其包括: 一主密封部，所述主密封部朝向所述沟槽的一侧具有至少一边角，所述边角为倒角；以及 至少一副密封部，所述副密封部由所述主密封部的周缘朝向远离所述主密封部的方向凸出于所述主密封部。2.根据权利要求1所述的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，形成为所述O形环的所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的所述主密封部朝向所述沟槽的一侧具有一个所述边角；形成为所述O形环的所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件具有一第一副密封部，所述第一副密封部由所述主密封部的内缘朝向所述沟槽的方向凸出于所述主密封部。3.根据权利要求2所述的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，所述第一副密封部朝向所述沟槽的一侧具有两边角，两所述边角为两倒角。4.根据权利要求2或3所述的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，形成为所述O形环的所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件进一步具有至少一第二副密封部，所述第二副密封部由所述主密封部的外缘朝向远离所述沟槽的方向凸出于所述主密封部。5.根据权利要求4所述的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，所述第二副密封部朝向远离所述沟槽的一侧具有倒角。6.根据权利要求2或3所述的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，形成为所述O形环的所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的截面为L型。7.根据权利要求4所述的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，形成为所述O形环的所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的截面为L型。8.根据权利要求5所述的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，形成为所述O形环的所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的截面为L型。9.根据权利要求1所述的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，形成为所述O形环的所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的所述主密封部朝向所述沟槽的一侧具有两所述边角；形成为所述O形环的所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件具有一第一副密封部，所述第一副密封部由所述主密封部的内缘朝向所述沟槽的方向凸出于所述主密封部。10.根据权利要求9所述的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，所述第一副密封部朝向所述沟槽的一侧具有两边角，两所述边角为两倒角。11.根据权利要求9或10所述的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，形成为所述O形环的所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件进一步具有至少一第二副密封部，所述第二副密封部由所述主密封部的外缘朝向远离所述沟槽的方向凸出于所述主密封部。12.根据权利要求11所述的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，所述第二副密封部朝向远离所述沟槽的一侧具有倒角。13.根据权利要求9或10所述的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，形成为所述O形环的所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的截面为T型。14.根据权利要求11所述的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，形成为所述O形环的所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的截面为T型。15.根据权利要求12所述的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，形成为所述O形环的所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的截面为T型。16.根据权利要求9或10所述的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，形成为所述O形环的所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件进一步具有一第三副密封部，所述第三副密封部由所述主密封部的外缘朝向远离所述沟槽的方向凸出于所述主密封部，并且所述第三副密封部的高度大于所述主密封部的高度，且所述第三副密封部分别与所述上部元件的外缘以及所述下部元件的外缘相连接接触。17.根据权利要求1所述的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，形成为所述O形环的所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的所述主密封部朝向所述沟槽的一侧具有两所述边角；形成为所述O形环的所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件进一步具有一第三副密封部，所述第三副密封部由所述主密封部的外缘朝向远离所述沟槽的方向凸出于所述主密封部，并且所述第三副密封部的高度大于所述主密封部的高度，且所述第三副密封部分别与所述上部元件的外缘以及所述下部元件的外缘相连接接触。
【文档编号】H01J37/20GK105895570SQ201510724773
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2015年10月30日
【发明人】张佑语, 黄俊尧
【申请人】麦丰密封科技股份有限公司