Oled面板反射层及其制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种OLED面板反射层及其制作方法，制作方法包括：提供一OLED面板；于所述OLED面板上形成一第一ITO层；于所述第一ITO层上涂覆一银浆层，并烘干所述银浆层以形成银膜；于所述银膜上形成一第二ITO层；以及蚀刻所述第一ITO层、所述银膜和所述第二ITO层，蚀刻后的所述第一ITO层、所述银膜和所述第二ITO层形成反射层。本发明的OLED面板反射层及其制作方法采用涂覆的方式直接在第一ITO层上涂覆一层银浆，待银浆烘干后形成膜层结构的银膜，代替原来以溅镀方式在第一ITO层上成形金属银层的传统方式，避免了溅镀金属银层，简化制程，降低了制程成本。
【专利说明】
OLED面板反射层及其制作方法
技术领域
[0001]本发明涉及OLED显示技术，尤其涉及一种OLED面板反射层及其制作方法。
【背景技术】
[0002]首先参阅图1所示，有机发光(Organic Light-Emitting D1de，简称0LED)显示面板20主要由硅晶片基底201及依次设于硅晶片基底201上的有源层202、平坦化层203和反射层构成，反射层一般为“三明治”结构，由上至下依次包括一顶层ITO层211、一金属层212和一底层ITO层213，其中，顶层ITO层211使用材料为氧化铟锡(Indium Tin Oxides，简称ITO)，金属层212使用材料为金属单质银(Ag)、底层ITO层213使用材料为氧化铟锡(Indium Tin Oxides，简称ITO)，三层膜层结构共同构成OLED显示面板的IT0/Ag/IT0反射层结构。其中，位于最上层的顶层ITO层211具有导电性好、透明度高、功函数高等优点，被用作像素电极的阳极，可有效提高显示效率。位于中间层的金属层212具有优良的反射率和延展性，因此，在该反射层中起到反射和导电的作用。位于最下层的底层ITO层213用于隔离下方的平坦化层203或者有源层202和上方的金属层212，避免金属层212与平坦化层203或者有源层202接触，防止金属层212发生形变或被氧化。
[0003]配合图2?5所示，传统的IT0/Ag/IT0反射层的制作方法是:采用溅镀的方式在OLED显示面板20的平坦化层203和有源层202上依次溅镀底层ITO层213、金属层212和顶层ITO层211，如图1所示；然后在最上层的顶层ITO层211上涂覆光阻层214，如图2所示；再对光阻层进行图案化得到需要蚀刻的图案，如图3所示；对顶层ITO层211、金属层212和底层ITO层213进行湿蚀刻制程，得到湿蚀刻后的顶层ITO层211、金属层212和底层ITO层213，如图4所示；最后在湿蚀刻制程完成后去除光阻层，完成IT0/Ag/IT0反射层的制作，如图5所示。但是，在溅镀反射层的过程中，由于金属层的溅镀制程成本较高，操作不便，不利于施工和经济效益，因此有待改善。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是提供一种操作简单、无需对Ag层进行溅镀蚀刻的OLED面板反射层及其制作方法。
[0005]为实现上述技术效果，本发明公开了一种OLED面板反射层的制作方法，包括:
[0006]提供一 OLED面板；
[0007]于所述OLED面板上形成一第一 ITO层；
[0008]于所述第一 ITO层上涂覆一银浆层，并烘干所述银浆层以形成银膜；
[0009]于所述银膜上形成一第二 ITO层；以及
[0010]蚀刻所述第一 ITO层、所述银膜和所述第二 ITO层，蚀刻后的所述第一 ITO层、所述银膜和所述第二 ITO层形成反射层。
[0011 ] 所述OLED面板反射层的制作方法进一步的改进在于，所述第一 ITO层透过溅镀方式形成于所述OLED面板上。
[0012]所述OLED面板反射层的制作方法进一步的改进在于，所述第二 ITO层提供溅镀方式形成于所述银膜上。
[0013]所述OLED面板反射层的制作方法进一步的改进在于，蚀刻所述第一 ITO层、所述银膜和所述第二 ITO层的步骤包括:
[0014]于所述第二 ITO层上设定一蚀刻区域和一非蚀刻区域，
[0015]于所述非蚀刻区域上涂覆光阻层；
[0016]蚀刻所述蚀刻区域内的所述第一 ITO层、所述银膜和所述第二 ITO层，而保留所述非蚀刻区域内的所述第一 ITO层、所述银膜和所述第二 ITO层；以及
[0017]去除所述光阻层。
[0018]所述OLED面板反射层的制作方法进一步的改进在于，采用光阻液去除所述光阻层。
[0019]所述OLED面板反射层的制作方法进一步的改进在于，所述蚀刻步骤为湿法蚀刻。
[0020]本发明还公开了一种OLED面板反射层，包括依次设于所述OLED面板上的一第一ITO层、一银膜和一第二 ITO层，其中所述银膜是由涂覆于所述第一 ITO层的一银浆层经烘干形成的。
[0021]本发明由于采用了以上技术方案，使其具有以下有益效果是:采用涂覆的方式直接在第一 ITO层上涂覆一层银浆，待银浆烘干后形成膜层结构的银膜，代替原来以溅镀方式在第一 ITO层上成形金属银层的传统方式，避免了溅镀金属银层，简化制程，降低了制程成本。
【附图说明】
[0022]图1是传统OLED显示面板的反射层的结构示意图；
[0023]图2?图5是传统OLED显示面板的反射层的制作方法示意图；
[0024]图6是本发明OLED面板反射层的结构示意图；
[0025]图7?图12是本发明OLED面板反射层的制作方法示意图。
【具体实施方式】
[0026]下面结合附图以及【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明。
[0027]首先参阅图6所示，OLED面板10主要由玻璃基板101及依次设于玻璃基板101上的多晶硅层102、绝缘层103和平坦化层104构成。配合图7?12所示，为本发明OLED面板反射层的制作方法，在绝缘层103和平坦化层104上依次形成有一第一 ITO层11、一银膜12和一第二 ITO层13，该第一 ITO层11、银膜12及第二 ITO层13构成了“三明治”结构的OLED面板的IT0/Ag/IT0反射层。
[0028]其中，第一 ITO层11采用溅镀的方式制作于OLED面板10的绝缘层103和平坦化层104上。第一 ITO层11采用的材料为氧化铟锡(Indium Tin Oxides，简称ITO)，用于隔离下方的绝缘层103和平坦化层104和上方的银浆层12，避免银浆层12与绝缘层103或平坦化层104接触，防止银浆层12发生形变或被氧化。
[0029]银膜12采用涂覆银浆的方式涂覆于第一 ITO层11上，并通过烘干银浆形成膜层结构的银浆层12。银浆为银粒子与溶剂的混和物，经网版印刷后可成形有图案的银膜12，以代替传统的通过溅镀方式制作银金属层的方法，简化制程，降低了成本，有利于市场经济的发展。同时，银膜12具有优良的反射率和延展性，因此，在反射层中起到反射和导电的作用。
[0030]第二 ITO层13采用溅镀的方式成形于银膜12上。第二 ITO层13采用的材料为氧化铟锡(Indium Tin Oxides，简称ITO)，具有导电性好、透明度高、功函数高等优点，被用作像素电极的阳极，可有效提高显示效率。
[0031]本发明的OLED面板反射层的制作方法主要包括以下步骤:
[0032]提供一 OLED面板10，如图6所示，该OLED面板10由玻璃基板101及依次设于玻璃基板101上的多晶硅层102、绝缘层103和平坦化层104构成；
[0033]采用溅镀的方式于OLED面板10上制作形成第一 ITO层11，如图7所示；
[0034]于第一 ITO层11上涂覆一层银浆，如图8所示，将该银浆烘干后形成膜层结构的银膜12，由于银浆是银粒子与溶剂的混和物，经网版印刷后便可成形有图案的银膜12，可代替传统的通过溅镀方式制作形成银金属层的方法，简化制程，降低生产成本；
[0035]采用溅镀的方式于银膜12上制作形成第二 ITO层13，如图9所示，形成未经蚀刻的IT0/Ag/IT0 “三明治”结构。
[0036]而后，对未经蚀刻的IT0/Ag/IT0 “三明治”结构进行蚀刻，采用湿蚀刻的方式蚀刻第一 ITO层11、银膜12和第二 ITO层13，具体步骤如下:
[0037]首先于第二 ITO层13上设定一蚀刻区域和一非蚀刻区域，
[0038]于非蚀刻区域上涂覆光阻层14，如图10所示；
[0039]湿蚀刻上述蚀刻区域内的第一 ITO层11、银膜12和第二 ITO层13，而保留非蚀刻区域内的第一 ITO层11、银膜12和第二 ITO层13，形成IT0/Ag/IT0 “三明治”结构的OLED面板反射层，如图11所示；
[0040]待湿蚀刻完成后，采用光阻液去除非蚀刻区域内的光阻层14，如图12所示，完成OLED面板反射层的湿蚀刻制程，蚀刻后的第一 ITO层11、银膜12和第二 ITO层13形成ITO/Ag/ΙΤΟ “三明治”结构的OLED面板反射层，简化了制程、制程良率高、经济效益高。
[0041]以上结合附图实施例对本发明进行了详细说明，本领域中普通技术人员可根据上述说明对本发明做出种种变化例。因而，实施例中的某些细节不应构成对本发明的限定，本发明将以所附权利要求书界定的范围作为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种OLED面板反射层的制作方法，其特征在于包括: 提供一 OLED面板； 于所述OLED面板上形成一第一 ITO层； 于所述第一 ITO层上涂覆一银浆层，并烘干所述银浆层以形成银膜； 于所述银膜上形成一第二 ITO层；以及 蚀刻所述第一 ITO层、所述银膜和所述第二 ITO层，蚀刻后的所述第一 ITO层、所述银膜和所述第二 ITO层形成反射层。2.如权利要求1所述的OLED面板反射层的制作方法，其特征在于:所述第一ITO层透过溅镀方式形成于所述OLED面板上。3.如权利要求1所述的OLED面板反射层的制作方法，其特征在于:所述第二ITO层透过溅镀方式形成于所述银膜上。4.如权利要求1所述的OLED面板反射层的制作方法，其特征在于，蚀刻所述第一ITO层、所述银膜和所述第二 ITO层的步骤包括: 于所述第二 ITO层上设定一蚀刻区域和一非蚀刻区域， 于所述非蚀刻区域上涂覆光阻层； 蚀刻所述蚀刻区域内的所述第一 ITO层、所述银膜和所述第二 ITO层，而保留所述非蚀刻区域内的所述第一 ITO层、所述银膜和所述第二 ITO层；以及 去除所述光阻层。5.如权利要求4所述的OLED面板反射层的制作方法，其特征在于:采用光阻液去除所述光阻层。6.如权利要求1或4所述的OLED面板反射层的制作方法，其特征在于:所述蚀刻步骤为湿法蚀刻。7.—种OLED面板反射层，其特征在于:所述反射层包括依次设于所述OLED面板上的一第一 ITO层、一银膜和一第二 ITO层，其中所述银膜是由涂覆于所述第一 ITO层的一银浆层经烘干形成的。
【文档编号】H01L51/56GK106033764SQ201510106881
【公开日】2016年10月19日
【申请日】2015年3月11日
【发明人】林信安, 林志明, 谭莉, 曾瑞轩, 刘峻承
【申请人】上海和辉光电有限公司