一种具有SiO2侧壁PN结保护制程结构的LED芯片的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种具有S12侧壁PN结保护制程结构的LED芯片。
【背景技术】
[0002]在大尺寸LED芯片的制作过程中，因其边缘面积大，很容易在芯片表面引入杂质污染，包括各种金属离子，有机物，无机物离子等，此杂质污染很容易在芯片边缘绕过LED的PN节，造成芯片的漏电，降低LED芯片的电学性能，降低产品的质量。
[0003]在现有的制程中，在ICP刻蚀N型层后，因边缘的P型层、N型层相距很近，所以很容易造成LED芯片的漏电，制程步骤越多，引入的杂质污染可能性越大，做出的LED芯片的漏电几率越大，产品的良率越低。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的是克服现有技术存在的缺陷，提高一种具有S12侧壁PN结保护制程结构的LED芯片。在大尺寸LED芯片的ICP刻蚀后，用绝缘的S1jl对边缘的暴露的P型层和N型层进行保护至芯片制作完成，可有效避免余下制程中的污染杂质对边缘造成漏电，可显著提升大尺寸LED芯片的漏电性能，增加产品良率。
[0005]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种具有S12侧壁PN结保护制程结构的LED芯片，包括衬底，位于衬底上表面的N型层，位于N型层上表面的P型层，位于P型层上表面的电流阻挡层，位于电流阻挡层上表面的电流扩展层，位于电流扩展层上表面的P电极，位于N型层上表面的N电极，所述的LED芯片的边缘的上表面形成S1Jla，对边缘的P型层，N型层进行绝缘保护。
[0006]在所述S1Jl a的上表面形成S1 2层b，用绝缘的S1 2层对边缘的P型层和N型层进行保护至芯片制作完成，防止引入污染杂质造成芯片漏电。
[0007]进一步的，所述的衬底为蓝宝石、碳化硅、氮化镓、硅材料中的一种。
[0008]进一步的，所述电流阻挡层材料为S12。
[0009]进一步的，所述3;102层a，厚度为150纳米。
[0010]进一步的，所述3;102层b，厚度为78纳米。
[0011]本实用新型的制备工艺，包括以下步骤:
[0012]在ICP刻蚀后，制作上述P电极下的电流阻挡层；
[0013]在做制作电流阻挡层的时候，保留边缘的S1Jl a，对边缘的P型层，N型层进行绝缘保护；
[0014]在所述S1Ji a的上表面制作S1 2层比防止引入污染杂质造成芯片漏电。
[0015]有益效果:本实用新型解决了【背景技术】中存在的缺陷，在边缘有2层S1jl，即S1Jl a和S1Jl b，S1Jl a在ICP刻蚀制程后，一直保护着芯片边缘，防止引入污染杂质造成芯片漏电。本发明的工艺做出的LED芯片在漏电良率上，比现有的常规工艺高9.88%。
【附图说明】
[0016]下面结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。
[0017]图1是现有LED芯片的结构示意图；
[0018]其中:101为衬底，102为N型层，103为P型层，104为电流阻挡层，105为电流扩展层，106为P电极，107为N电极，108为S1jl b。
[0019]图2是本实用新型一种具有S12侧壁PN结保护制程结构的LED芯片的结构示意图。
[0020]其中:201为衬底，202为N型层，203为P型层，204为电流阻挡层，205为电流扩展层，206为P电极，207为N电极，208为S12M a，209为S1 2层b。
【具体实施方式】
[0021]以下结合附图给出本实用【具体实施方式】，提供实施例。
[0022]如图2所示，本实用新型提供一种具有S12侧壁PN结保护制程结构的LED芯片，包括衬底201，位于衬底上表面的N型层202，位于N型层202上表面的P型层203，位于P型层203上表面的电流阻挡层204，位于电流阻挡层204上表面的电流扩展层205，位于电流扩展层205上表面的P电极206，位于N型层202上表面的N电极207，所述的LED芯片的边缘的上表面形成S1Jl a 208，对边缘的P型层203，N型层202进行绝缘保护。
[0023]其中，在所述S1Jl a 208的上表面形成S1jl b 209，用绝缘的S1jl对边缘的P型层203和N型层202进行保护至芯片制作完成，防止引入污染杂质造成芯片漏电。
[0024]其中，所述的衬底201为蓝宝石、碳化硅、氮化镓、硅材料中的一种；所述电流阻挡层204材料为S12;所述S1 2层a 208，厚度为150纳米；所述S1 2层b 209，厚度为78纳米。
[0025]本实用新型的制备工艺，包括以下步骤:
[0026]在ICP刻蚀后，制作上述P电极206下的电流阻挡层204 ；
[0027]在做制作电流阻挡层204的时候，保留边缘的3102层a 208，对边缘的P型层203，N型层202进行绝缘保护；
[0028]在所述S1Jl a 208的上表面制作S1jl b 209，防止引入污染杂质造成芯片漏电。
[0029]应当理解，以上所描述的具体实施例仅用于解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。由本实用新型的精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之中。
【主权项】
1.一种具有Si02侧壁PN结保护制程结构的LED芯片，其特征在于:包括衬底，位于衬底上表面的N型层，位于N型层上表面的P型层，位于P型层上表面的电流阻挡层，位于电流阻挡层上表面的电流扩展层，位于电流扩展层上表面的P电极，位于N型层上表面的N电极，所述的LED芯片的边缘的上表面形成Si02层a ;在所述Si02层a的上表面形成Si02层b0
2.根据权利要求1所述的一种具有Si02侧壁PN结保护制程结构的LED芯片，其特征在于:所述的衬底为蓝宝石、碳化硅、氮化镓、硅材料中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种具有Si02侧壁PN结保护制程结构的LED芯片，其特征在于:所述电流阻挡层材料为Si02。
4.根据权利要求1至3任一所述的一种具有Si02侧壁PN结保护制程结构的LED芯片，其特征在于:所述Si02层a厚度为150纳米。
5.根据权利要求1至3任一所述的一种具有Si02侧壁PN结保护制程结构的LED芯片，其特征在于:所述Si02层b厚度为78纳米。
【专利摘要】本实用新型公开了一种具有SiO2侧壁PN结保护制程结构的LED芯片，包括衬底，位于衬底上表面的N型层，位于N型层上表面的P型层，位于P型层上表面的电流阻挡层，位于电流阻挡层上表面的电流扩展层，位于电流扩展层上表面的P电极，位于N型层上表面的N电极，其中所述的LED芯片的边缘的上表面形成SiO2层a，对边缘的P型层，N型层进行绝缘保护；在所述SiO2层a的上表面形成SiO2层b，用绝缘的SiO2层对边缘的P型层和N型层进行保护至芯片制作完成，防止引入污染杂质造成芯片漏电；可有效避免余下制程中的污染杂质对边缘造成漏电，可显著提升大尺寸LED芯片的漏电性能，增加产品良率。
【IPC分类】H01L33-14
【公开号】CN204361121
【申请号】CN201520077175
【发明人】宋超, 张振, 黎连佳
【申请人】江苏晶瑞半导体有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2015年2月3日