湿法刻蚀硅片水覆膜装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及太阳能电池加工技术领域，尤其涉及一种湿法刻蚀硅片水覆膜装置。
【背景技术】
[0002]在太阳能电池的加工过程中，扩散后的硅片经过湿法刻蚀工序对硅片进行腐蚀处理，把硅片四周与背面的PN结腐蚀掉，只留下正面的PN结，生产为合格片。由于刻蚀过程中使用的酸液不可避免的使硅片正面的边缘部分会浸入酸液中，最终在硅片正面的边缘留下黑色印迹，黑色印迹大于0.5_即为不合格片。实际生产过程中，由于温度或排风或滚轮水平及酸液流量等其它原因，使得硅片正面的黑色印迹常大于0.5_，造成大量不合格品产生，且因在生产过程中对环境敏感度过高，造成黑色印迹故障出现率多且不易调节。造成极高的产能与人力时间浪费。
【实用新型内容】
[0003]基于此，有必要针对传统技术中因为硅片正面边缘浸入酸液中而留下黑色印迹的问题，提供一种能够在硅片表面覆盖水膜从而防止黑色印迹形成的湿法刻蚀硅片水覆膜装置。
[0004]为实现本实用新型目的提供的一种湿法刻蚀硅片水覆膜装置，包括:
[0005]覆膜承载架，所述覆膜承载架设置在距刻蚀主体中的滚轮第一预设距离的位置；且所述覆膜承载架上设置有预设数量的朝向要刻蚀的硅片的单道支架，所述单道支架上设置有用于滴水到硅片上的滴水管，所述滴水管的出口在要刻蚀的硅片的上方第二预设距离处；
[0006]水箱，所述水箱中盛装覆膜所需的水；所述滴水管和所述水箱的底面连接并连通所述水箱的内部；
[0007]传感器，用于检测硅片的位置，每个所述传感器设置在一个所述单道支架的下部上;
[0008]第一电磁阀，设置在所述滴水管的管路上，用于控制是否进行滴水；以及
[0009]控制部件，所述传感器和所述第一电磁阀均与所述控制部件电连接。
[0010]作为一种湿法刻蚀硅片水覆膜装置的可实施方式，所述水箱为密闭水箱；
[0011]所述水箱的进水口处设置有第二电磁阀，且所述第二电磁阀与所述控制部件电连接。
[0012]作为一种湿法刻蚀硅片水覆膜装置的可实施方式，还包括气门针和压力传感器；
[0013]所述气门针和所述压力传感器均设置在所述水箱的上部；所述气门针用于向所述水箱中充气调整水箱内部的压力；所述压力传感器与所述控制部件电连接，用于检测水箱内部的压力并传输信号到所述控制部件。
[0014]作为一种湿法刻蚀硅片水覆膜装置的可实施方式，还包括安装在所述水箱上部的机械限压阀。
[0015]作为一种湿法刻蚀硅片水覆膜装置的可实施方式，所述第一电磁阀设置在所述单道支架和所述覆膜承载架相连接的位置处。
[0016]作为一种湿法刻蚀硅片水覆膜装置的可实施方式，所述控制部件包括可编程逻辑控制器和人机界面；
[0017]所述人机界面与所述可编程逻辑控制器电连接，用于进行参数调整及装置控制。
[0018]作为一种湿法刻蚀硅片水覆膜装置的可实施方式，所述覆膜承载架和所述单道支架均由铝合金材料制成。
[0019]作为一种湿法刻蚀硅片水覆膜装置的可实施方式，所述预设数量为8。
[0020]作为一种湿法刻蚀硅片水覆膜装置的可实施方式，所述覆膜承载架宽45±1毫米，尚45 ± I晕米，长1700 ±5晕米，所述单道支架长10 ± I晕米，宽10± I晕米，尚180 ±5毫米。
[0021]作为一种湿法刻蚀硅片水覆膜装置的可实施方式，所述单道支架在靠近所述覆膜承载架的一端为第一端，远离所述覆膜承载架的一端为第二端，且所述单道支架在距离所述第一端10± I毫米处设置有支架固定孔，在距离所述第一端150±2毫米处设置有传感器固定孔。
[0022]本实用新型的有益效果包括:本实用新型提供的一种湿法刻蚀硅片水覆膜装置，将本装置设置在刻蚀机的改为进滚轮的上面，通过控制第一电磁阀通断就可以控制滴到硅片上的出水量，所以通过调节电磁阀的通断时间就可以选取合适的出水量在硅片正面形成一定厚度的水保护膜，避免湿法刻蚀过程中使用的酸液接触到硅片正面，从而消除硅片刻蚀后的黑色印迹现象。提高产品一次成品率。
【附图说明】
[0023]图1为本实用新型一种湿法刻蚀硅片水覆膜装置一具体实施例的覆膜承载架及单道支架连接示意图；
[0024]图2为本实用新型一种湿法刻蚀硅片水覆膜装置一具体实施例的水箱结构示意图；
[0025]图3为一具体实例中8道刻蚀的电气原理图。
【具体实施方式】
[0026]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图对本实用新型的湿法刻蚀硅片水覆膜装置的【具体实施方式】进行说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0027]首先对本实用新型的湿法刻蚀硅片水覆膜装置的原理进行说明。硅片经扩散后表面会形成一层亲水氧化膜，当一定量的纯水滴到硅片上，因亲水氧化膜的存在，使得纯水快速在硅片表明均匀扩散覆盖从而形成一层保护层，保护硅片正面不接触酸液。从而消除硅片刻蚀后的黑色印迹现象。
[0028]本实用新型一实施例的湿法刻蚀硅片水覆膜装置，包括:覆膜承载架100，本实用新型实施例的装置在使用时，覆膜承载架100设置在距刻蚀主体中的滚轮第一预设距离的位置。其中第一预设距离并没有严格的限制，只要覆膜承载架100在进行湿法刻蚀设备的刻蚀主体(刻蚀机)进滚轮的上面即可。且如图1所示，覆膜承载架100上设置有预设数量的朝向要刻蚀的硅片的单道支架110。其中，所述预设数量与湿法刻蚀设备进行几道刻蚀相对应。如湿法刻蚀机以8道刻蚀进行工作，则可在覆膜承载架100上设置8个单道支架110。当然也可根据需求在覆膜承载架100上设置其他数量的单道支架。但需要在每个单道支架上设置有用于滴水到硅片上的滴水管，且要保证滴水管的出口在要刻蚀的硅片的上方第二预设距离处，滴水管中的水能够滴到要刻蚀的硅片上。此处第二预设距离与第一预设距离的含义相同，并没有严格的长度或者高度限制。较佳地，可设定第二预设距离为3毫米。
[0029]其中，覆膜承载架和单道支架可均由铝合金等不易变形的材料制成。
[0030]装置中还包括水箱200，如图2所示。水箱200主要起盛装覆膜所需的水的作用。因此，对于水箱的材料没有太大限制，只要可装入水，同时又不会对水造成污染的材料即可。滴水管和水箱200的底面连接并连通水箱的内部，也即，水箱中的水能够在重力及水箱中压力的作用下进入到滴水管中，并能够通过滴水管将水滴到要加工或者要刻蚀的硅片的正面上。
[0031]装置中还设置有传感器120，用于检测要进行刻蚀工艺的硅片的位置。在本实用新型一个实施例中，传感器的数量与单道支架的数量相同，一个传感器设置在一个单道支架上，来检测硅片的位置。较佳地，传感器可设置在单道支架的下部上。距离硅片较近，提高检测的准确度。
[0032]同时，为了对是否滴水进行控制，本装置中还包括第一电磁阀。第一电磁阀设置在滴水管的管路上，通过控制管路的通和断控制是否滴水到硅片上。通过控制第一电磁阀通断就可以控制滴到硅片上的出水量，所以通过调节电磁阀的通断时间就可以选取合适的出水量在硅片上形成一定厚度的水保护膜。
[0033]为了根据传感器的信号对第一电磁阀进行控制，本装置中还设置有控制部件。传感器和第一电磁阀均与控制部件电连接，控制部件接收传感器的信号判断检测范围内是否有硅片存在，若是，则控制第一电磁阀打开，滴水到硅片上并控制滴水的时长，使硅片表面形成一定厚度的水保护膜。
[0034]具体地，控制部件中还可以包括计时装置(可以为计时器)，当硅片进入传感器感应范围后控制进行滴水，并计时滴水的时间，并滴水预设时间后停止。如此，使用计时器可对开始滴水的时间及进行滴水的时长都进行控制，使滴水也即在硅片上覆水膜的效果更好。
[0035]通过将本装置设置在刻蚀机的进滚轮的上面，在刻蚀前在硅片的正面上覆上水膜，从而避免湿法刻蚀过程中使用的酸液接触到硅片正面。也就避免了硅片正面由于接触酸液而产生黑色印迹。提高产品一次成品率。
[0036]较佳地，本实用新型一实施例中，水箱200为密闭水箱。水箱一般可设计为方形结构。当然也可使用其他形状的水箱。且在水箱的上方设置有进水口，用于将覆水膜用的水注入到水箱中。更加的，可在水箱的进水口处设置有第二电磁阀，且第二电磁阀与控制部件电连接。由控制部件控制所述第二电磁阀的打开或者关闭，从而控制是否向所述水箱中注入水。
[0037]更加的，可在水箱内部设置水位传感器，用于