专利名称：太阳电池硅片的刻蚀工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种太阳电池的制作工艺，尤其涉及一种太阳电池硅片的刻蚀工艺。
背景技术：
太阳电池作为新兴的清洁可再生能源，因其具有直接将太阳能转换为电能，且寿 命长、维护简单、可实现无人值守等优势而备受瞩目。太阳能电源系统取得了越来越广泛的 应用。目前在单晶硅太阳电池的制备工艺中，扩散工序是采取将两片硅片并列放置操 作，由于气流的关系，不可避免地在硅片的非扩散面边缘同样形成N区，从而导致硅片短 路。因此，需要在扩散后增加一步刻蚀工艺，将硅片上下表面隔断。现有技术通常采用等离 子刻蚀的方式，即使用氟离子轰击硅片边缘与硅反应，从而起到隔断的工艺效果。但是，经 过等离子轰击后，会对硅片表面造成一定的物理损伤，损伤层的存在造成硅片缺陷及位错， 直接影响电池片的性能。在刻蚀之后，通常使用HF去除表面磷硅相，但HF并不能起到恢复 损伤的效果。
发明内容
本发明的目的，就是为了提供一种能有效恢复损伤层的太阳电池硅片的刻蚀工 艺。为了达到上述目的，本发明采用了以下技术方案一种太阳电池硅片的刻蚀工艺， 包括顺序进行的等离子刻蚀步骤和去磷硅相步骤，等离子刻蚀步骤是使用氟离子轰击硅片 边缘与硅反应将硅片上下隔断，去磷硅相步骤是用氢氟酸去除硅片表面的磷硅相，其特点 是，还包括一个恢复损伤层步骤，该恢复损伤层步骤设置在等离子刻蚀步骤和去磷硅相步 骤之间，是将经过等离子刻蚀后的两片硅片的扩散面朝内并放在一起，置于氢氟酸和硝酸 的混合溶液中反应，从而将硅片四周及背面的损伤层去除。所述的氢氟酸和硝酸的混合溶液中，氢氟酸的重量百分浓度为10-15 %，硝酸的重 量百分浓度为5-8%。本发明的太阳电池硅片的刻蚀工艺借鉴了湿法刻蚀的优点，能将经过等离子刻蚀 后在硅片上产生的损伤层有效去除。从而保证了电池片的质量和性能。
具体实施例方式一种太阳电池硅片的刻蚀工艺，包括顺序进行的等离子刻蚀步骤、恢复损伤层和 去磷硅相步骤，等离子刻蚀步骤是使用氟离子轰击硅片边缘与硅反应将硅片上下隔断，恢 复损伤层步骤是将经过等离子刻蚀后的两片硅片的扩散面朝内并放在一起，置于氢氟酸和 硝酸的混合溶液中反应，从而将硅片四周及背面的损伤层去除，去磷硅相步骤是用氢氟酸 去除硅片表面的磷硅相。本发明中采用的氢氟酸和硝酸的混合溶液中，氢氟酸的重量百分浓度为10-15%，硝酸的重量百分浓度为5-8%。
权利要求
1.一种太阳电池硅片的刻蚀工艺，包括顺序进行的等离子刻蚀步骤和去磷硅相步骤， 等离子刻蚀步骤是使用氟离子轰击硅片边缘与硅反应将硅片上下隔断，去磷硅相步骤是用 氢氟酸去除硅片表面的磷硅相，其特征在于还包括一个恢复损伤层步骤，该恢复损伤层步 骤设置在等离子刻蚀步骤和去磷硅相步骤之间，是将经过等离子刻蚀后的两片硅片的扩散 面朝内并放在一起，置于氢氟酸和硝酸的混合溶液中反应，从而将硅片四周及背面的损伤 层去除。
2.如权利要求1所述的太阳电池硅片的刻蚀工艺，其特征在于所述的氢氟酸和硝酸 的混合溶液中，氢氟酸的重量百分浓度为10-15%，硝酸的重量百分浓度为5-8%。
全文摘要
本发明提供了一种太阳电池硅片的刻蚀工艺，包括顺序进行的等离子刻蚀步骤、恢复损伤层步骤和去磷硅相步骤。其中的恢复损伤层步骤是将经过等离子刻蚀后的两片硅片的扩散面朝内并放在一起，置于氢氟酸和硝酸的混合溶液中反应，从而将硅片四周及背面的损伤层去除。本发明的太阳电池硅片的刻蚀工艺借鉴了湿法刻蚀的优点，能将经过等离子刻蚀后在硅片上产生的损伤层有效去除。从而保证了电池片的质量和性能。
文档编号H01L31/18GK102088043SQ20091019981
公开日2011年6月8日 申请日期2009年12月2日 优先权日2009年12月2日
发明者邓超, 顾涵奥 申请人:上海太阳能科技有限公司