监控水箱内的水位。如可设置水箱内的水位低于1/2时则向水箱内注水，而当水箱内的水位到达3/4时，则停止注水。本领域技术人员可以理解，具体的注水水位和停水水位可根据需求进行设定。
[0038]此处需要说明的是，本实用新型的湿法刻蚀硅片水覆膜装置，一般情况下水箱的内部的压力为一定值。因此，还可以在水箱200中设置气门针和压力传感器。
[0039]且气门针和压力传感器均设置在水箱的上部。其中气门针用于向水箱中充气调整水箱内部的压力；压力传感器与控制部件电连接，用于检测水箱内部的压力并传输信号到控制部件。
[0040]具体的，在使用过程中，首先将本装置水箱200内注入超过3/4的水(一般留有小部分空余量即可)，然后使用气门针向水箱内部充气，使水箱内部压力达到预设压力值。而本实用新型的装置在使用过程中，通过滴水管滴水到硅片上之后，水箱内的压力会下降，此时压力传感器会反馈信息给控制部件，使控制部件控制第二电磁阀打开，向水箱内注水，并在水箱内的压力达到或者稍大于预设压力值时停止注水，关闭第二电磁阀。
[0041]第二电磁阀及压力传感器的设置使水箱内的压力更加稳定，从而使滴水管向硅片滴水的速度及水滴大小等更稳定，硅片覆水膜效果统一，工艺精度高。
[0042]其中压力传感器可采用型号AP-C3C基恩士压力传感器。
[0043]为保证装置整体的可靠性，本装置中还包括安装在水箱上部的机械限压阀。当水箱内压力高于机械限压阀的动作压力时，机械限压阀立刻打开，进行泄水或者泄气，保证水箱内部的压力不超过设计值，从而保证安全。
[0044]在其中一个实施例中，装置中的机械限压阀的规格为2公斤。
[0045]如图2中所示，其中001为第二电磁阀安装处，002处表示压力传感器安装处，003处为机械限压阀安装处，004为气门针安装处，005表示滴水管与水箱的连接处。
[0046]另外，在其中一个实施例中，水箱200采用PP材料制成，且最大承压为2.5公斤。
[0047]作为一种可实施方式，将第一电磁阀设置在单道支架和覆膜承载架相连接的位置处。如此设置第一电磁阀更容易固定，装置整体结构更加紧凑，使用寿命长。且所述的第一电磁阀和第二电磁阀为一般的痛断纯水的电磁阀。其中作为一种选择方式，第一电磁阀可选择使用型号为LZ-E003-A南洋快插鼓膜电磁阀。
[0048]在其中一个实施例中，控制部件包括可编程逻辑控制器(PLC)和人机界面。人机界面与可编程逻辑控制器电连接，用于进行参数调整及装置控制。其中，可编程逻辑控制器包括PLC主机DI/DO模块和PLC程序。PLC主机DI/DO模块用于程序的编辑修改与执行。PLC主机DI /DO模块可使用西门子系列，可选用型号为:6ES7321 -1AE14-0AB0、6ES7321-1BH02-0AA0.6ES7322-1BH01-0AA0ο
[0049]PLC程序为整个装置的核心控制程序，分为敷膜程序，用于控制水滴的时间等，水稳压程序用于控制水箱的注水。
[0050]8道刻蚀的电气原理图如图3所示，电路连接采用2mm多股线，采用电源为DC24V，5A电源供电，电源输出端配置8A保险与220V，10A断路器。图3中I部分为第一电磁阀连接结构，2部分为第一电磁阀的连接结构，3部分为传感器连接结构，4部分为水箱中的压力传感器连接结构DO为输出模块，DI为输入模块。
[0051]而本实用新型实施例中，人机界面用于人机控制，可进行参数调整，设备控制等功能。具体使用西门子HMI，6英寸无按键屏幕。采用人机界面后人机控制简洁，且能够在线进行数据调试修改。
[0052]另外还需要说明的是，所述覆膜承载架的具体大小可设计为宽45毫米左右，高45毫米左右，长1700毫米左右。单道支架可设计为长10毫米左右，宽10毫米左右，高180毫米左右。如此设置可方便的将本实用新型的装置设置到湿法刻蚀机中。且如图1所示，单道支架是竖直设置在所述覆膜承载架上的。本装置安装到刻蚀机上之后，硅片可经过单道支架的正下方。
[0053]更加的，若定义单道支架在靠近覆膜承载架的一端为第一端，远离覆膜承载架的一端为第二端。那么可在单道支架在距离第一端10毫米左右处设置有支架固定孔，在距离第一端150毫米左右处设置有传感器固定孔。单道支架通过所述支架固定孔固定到所述覆膜承载架上，前述的检测硅片用的传感器通过所述传感器固定孔固定到所述单道支架上。为了配合所述单道支架的大小及使用的便利性，可设置所述支架固定孔和所述传感器固定孔均为直径为4毫米的圆孔。
[0054]以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种湿法刻蚀硅片水覆膜装置，其特征在于，包括: 覆膜承载架，所述覆膜承载架设置在距刻蚀主体中的滚轮第一预设距离的位置；且所述覆膜承载架上设置有预设数量的朝向要刻蚀的硅片的单道支架，所述单道支架上设置有用于滴水到硅片上的滴水管，所述滴水管的出口在要刻蚀的硅片的上方第二预设距离处； 水箱，所述水箱中盛装覆膜所需的水；所述滴水管和所述水箱的底面连接并连通所述水箱的内部； 传感器，用于检测硅片的位置，每个所述传感器设置在一个所述单道支架的下部上； 第一电磁阀，设置在所述滴水管的管路上，用于控制是否进行滴水；以及 控制部件，所述传感器和所述第一电磁阀均与所述控制部件电连接。
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀硅片水覆膜装置，其特征在于，所述水箱为密闭水箱； 所述水箱的进水口处设置有第二电磁阀，且所述第二电磁阀与所述控制部件电连接。
3.根据权利要求1所述的湿法刻蚀硅片水覆膜装置，其特征在于，还包括气门针和压力传感器； 所述气门针和所述压力传感器均设置在所述水箱的上部；所述气门针用于向所述水箱中充气调整水箱内部的压力；所述压力传感器与所述控制部件电连接，用于检测水箱内部的压力并传输信号到所述控制部件。
4.根据权利要求1所述的湿法刻蚀硅片水覆膜装置，其特征在于，还包括安装在所述水箱上部的机械限压阀。
5.根据权利要求1所述的湿法刻蚀硅片水覆膜装置，其特征在于，所述第一电磁阀设置在所述单道支架和所述覆膜承载架相连接的位置处。
6.根据权利要求1所述的湿法刻蚀硅片水覆膜装置，其特征在于，所述控制部件包括可编程逻辑控制器和人机界面； 所述人机界面与所述可编程逻辑控制器电连接，用于进行参数调整及装置控制。
7.根据权利要求1所述的湿法刻蚀硅片水覆膜装置，其特征在于，所述覆膜承载架和所述单道支架均由铝合金材料制成。
8.根据权利要求1所述的湿法刻蚀硅片水覆膜装置，其特征在于，所述预设数量为8。
9.根据权利要求8所述的湿法刻蚀硅片水覆膜装置，其特征在于，所述覆膜承载架宽45+1毫米，高45+1毫米，长1700+5毫米，所述单道支架长10+1毫米，宽10+1毫米，高180+5毫米。
10.根据权利要求9所述的湿法刻蚀硅片水覆膜装置，其特征在于，所述单道支架在靠近所述覆膜承载架的一端为第一端，远离所述覆膜承载架的一端为第二端，且所述单道支架在距离所述第一端10+1毫米处设置有支架固定孔，在距离所述第一端150+2毫米处设置有传感器固定孔。
【专利摘要】本实用新型公开了一种湿法刻蚀硅片水覆膜装置。该装置包括：覆膜承载架，覆膜承载架设置在距刻蚀主体中的滚轮第一预设距离的位置；且覆膜承载架上设置有预设数量的朝向要刻蚀的硅片的单道支架，单道支架上设置有用于滴水到硅片上的滴水管，滴水管的出口在要刻蚀的硅片的上方第二预设距离处；水箱，水箱中盛装覆膜所需的水；滴水管和水箱的底面连接并连通水箱的内部；传感器，用于检测硅片的位置，每个传感器设置在一个单道支架的下部上；第一电磁阀，设置在滴水管的管路上，用于控制是否进行滴水；控制部件，传感器和第一电磁阀均与控制部件电连接。其通过滴水到硅片上，在硅片正面形成水保护膜，避免硅片刻蚀后出现黑色印迹现象。
【IPC分类】H01L21-67, H01L31-18
【公开号】CN204361117
【申请号】CN201420850778
【发明人】李清郎
【申请人】光为绿色新能源股份有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2014年12月29日