一种n电极下n型区域部分刻蚀的led芯片的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体器件技术领域，尤其涉及一种N电极下N型区域部分刻蚀的LED芯片。
【背景技术】
[0002]在半导体照明LED芯片的制成中，因N型层在P型层下层，P型层为GaN材料，在ICP刻蚀工艺对上层P型层进行刻蚀后，由于制程中的污染以及材料的缺陷杂质等，会造成刻蚀后的面不平整，有点状粗糙颗粒，而在上面蒸镀电极后也会存在粗糙颗粒，在封装过程中会造成以下不良效果:
[0003](I)由于P电极为平整的，N电极上有粗糙颗粒，在封装设备带有的摄像系统中存在颜色差别，且粗糙颗粒大小、多少都会造成不同的颜色显示，这给设备自动识别电极带来极大困难。严重的可能无法识别。
[0004](2)因N电极有粗糙颗粒，导致封装焊金属线形成的焊面和N电极表面接触少，造成焊线不牢或者焊不上线的情况，对产品的质量产生很大影响。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型的目的是克服现有技术存在的缺陷，提供一种N电极下N型区域部分亥Ij蚀的LED芯片，可消除N电极下N型层的ICP刻蚀带来的粗糙颗粒点，造成LED芯片的不良、封装的电极颜色差别问题和焊线不牢、焊不上线的难题，提高电极焊线稳定性。
[0006]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种N电极下N型区域部分刻蚀的LED芯片，包括衬底层，位于衬底层上表面的N型层，位于N型层上表面的P型层，位于P型层上表面的电流扩展层，位于电流扩展层上表面的P电极，位于N型层上表面的N电极，用于连接P电极和基板的P焊点以及用于连接N电极和基板的N焊点。
[0007]所述的N电极下为N型区域，N型区域边缘部分被刻蚀，N型区域中间部分保留，形成凸台。通过减小N型区域的刻蚀区域，使得只有N型区域边缘部分在刻蚀后有粗糙颗粒。
[0008]所述P电极下表面平整，N电极下N型区域中间部分表面平整，N型区域边缘部分存在粗糙颗粒，使得所述P电极和N电极在封装设备下的颜色显示差别不大，不影响封装设备的自动识别。
[0009]所述N焊点和N型区域中间部分接触面积大，焊线牢固。
[0010]所述衬底层材料为蓝宝石，厚度为430微米。
[0011]所述N型层材料为GaN，厚度为10微米。
[0012]所述P型层材料为GaN，厚度为1000纳米。
[0013]有益效果:本实用新型解决了【背景技术】中存在的缺陷，不增加成本，不增加制成步骤，只是修改下ICP刻蚀的掩膜版图，原来的全部刻蚀掉改为N电极下N型区域中间部分保留，N型区域边缘部分被刻蚀，可消除N电极下N型层的ICP刻蚀带来的粗糙颗粒点，造成LED芯片的不良、封装的电极颜色差别问题和焊线不牢、焊不上线的难题。
【附图说明】
[0014]下面结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。
[0015]图1是现有的版图1CP刻蚀后的结构示意图；
[0016]图2是现有LED芯片的结构示意图。
[0017]其中:101为衬底、102为N型层、103为P型层、104为电流扩展层、105为P电极、106为N电极、107为P焊点、108为N焊点、109为N型区域。
[0018]图3是本实用新型的版图1CP刻蚀后的结构示意图；
[0019]图4是本实用新型一种N电极下N型区域部分刻蚀的LED芯片的结构示意图。
[0020]其中:201为衬底、202为N型层、203为P型层、204为电流扩展层、205为P电极、206为N电极、207为P焊点、208为N焊点、209为N型区域中间部分、210为N型区域边缘部分。
【具体实施方式】
[0021]以下结合附图给出本实用一种N电极下N型区域部分刻蚀的LED芯片的【具体实施方式】，提供实施例。但是，需要指出的是，本实用新型的实施不限于以下的实施内容。
[0022]如图3、4所示，本实用新型是一种N电极下N型区域部分刻蚀的LED芯片，包括衬底层201，位于衬底层201上表面的N型层202，位于N型层202上表面的P型层203，位于P型层203上表面的电流扩展层204，位于电流扩展层204上表面的P电极205，位于N型层202上表面的N电极206，用于连接P电极205和基板的P焊点207以及用于连接N电极206和基板的N焊点208。
[0023]所述的N电极206下为N型区域，N型区域边缘部分210被刻蚀，N型区域中间部分209保留，形成凸台。通过减小N型区域的刻蚀区域，使得只有N型区域边缘部分210在刻蚀后有粗糙颗粒。
[0024]所述P电极205下表面平整，N电极206下N型区域中间部分209表面平整，N型区域边缘部分210存在粗糙颗粒，使得所述P电极205和N电极206在封装设备下的颜色显示差别不大，不影响封装设备的自动识别。
[0025]所述N焊点208和N型区域中间部分209接触面积大，焊线牢固。
[0026]所述衬底层201材料为蓝宝石，厚度为430微米。
[0027]所述N型层202材料为GaN，厚度为10微米。
[0028]所述P型层203材料为GaN，厚度为1000纳米。
[0029]本实用新型解决了【背景技术】中存在的缺陷，不增加成本，不增加制成步骤，只是修改下ICP刻蚀的掩膜版图，原来的全部刻蚀掉改为N电极206下N型区域中间部分209保留，可消除N电极206下N型层202的ICP刻蚀带来的粗糙颗粒点，造成LED芯片的不良、封装的电极颜色差别问题和焊线不牢、焊不上线的难题。
[0030]应当理解，以上所描述的具体实施例仅用于解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。由本实用新型的精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之中。
【主权项】
1.一种N电极下N型区域部分刻蚀的LED芯片，其特征在于，包括衬底层，位于衬底层上表面的N型层，位于N型层上表面的P型层，位于P型层上表面的电流扩展层，位于电流扩展层上表面的P电极，位于N型层上表面的N电极，用于连接P电极和基板的P焊点以及用于连接N电极和基板的N焊点，所述的N电极下为N型区域，N型区域边缘部分被刻蚀，N型区域中间部分保留，形成凸台。
2.根据权利要求1所述的一种N电极下N型区域部分刻蚀的LED芯片，其特征在于，所述P电极下表面平整，N电极下N型区域中间部分表面平整，N型区域边缘部分存在粗糙颗粒。
3.根据权利要求1所述的一种N电极下N型区域部分刻蚀的LED芯片，其特征在于，所述衬底层材料为蓝宝石，厚度为430微米。
4.根据权利要求1至3任一所述的一种N电极下N型区域部分刻蚀的LED芯片，其特征在于，所述N型层材料为GaN，厚度为10微米。
5.根据权利要求1至3任一所述的一种N电极下N型区域部分刻蚀的LED芯片片，其特征在于，所述P型层材料为GaN，厚度为1000纳米。
【专利摘要】本实用新型公开了一种N电极下N型区域部分刻蚀的LED芯片，包括衬底层，N型层，P型层，电流扩展层，P电极，N电极，P焊点以及N焊点，所述的N电极下为N型区域，N型区域边缘部分被刻蚀，N型区域中间部分保留，形成凸台，所述P电极下表面平整，N电极下N型区域中间部分表面平整，N型区域边缘部分存在粗糙颗粒。通过修改ICP刻蚀的掩膜版图，使原来的全部刻蚀掉改为N电极下N型区域中间部分保留，N型区域边缘部分被刻蚀，克服了N电极下N型层的ICP刻蚀带来的粗糙颗粒点，造成LED芯片的不良、封装的电极颜色差别问题和焊线不牢、焊不上线的难题。
【IPC分类】H01L33-22
【公开号】CN204361122
【申请号】CN201520076413
【发明人】张振, 黎连佳, 潘林
【申请人】江苏晶瑞半导体有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2015年2月3日