能有效改善前后比，通过实验测得，其所述缺口 7的角度为60° -80°时，前后比效果较佳。
[0049]本实施例所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，所述缺口 7的角度为70° ;所述缺口 7的角度为70°时，能有效改善前后比，通过实验测得，其所述缺口 7的角度为70°时，前后比效果最好。
[0050]本实施例所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，所述第一侧壁I的宽度为1.5cm-2cm ;通过实验测得，其能有效增强高频段的增益效果。
[0051]本实施例所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，所述第一斜壁的自由端设有第一隔离部21 ;通过实验测得，设置第一隔离部21可以有效增加隔离度，隔离度在30dBo
[0052]本实施例所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，所述第三斜壁5的自由端设有第三隔离部51 ;通过实验测得，设置第三隔离部51可以有效增加隔离度，隔离度在 30dB。
[0053]本实施例所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，所述第一隔离部21为二氧化硅半导体。第一隔离部21为二氧化硅半导体时，通过实验测得，第一隔离部21的隔离度最大，低频段均大于30dB。
[0054]本实施例所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，所述第三隔离部51为二氧化硅半导体。第三隔离部51为二氧化硅半导体时，通过实验测得，第二隔离部31的隔离度最大，低频段均大于30dB。
[0055]本实施例所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，所述第二侧壁4靠近另一振子片的一侧并列设有至少一个的半圆形的增频缺孔42 ;过实验测得，其能有效增强高频段的增益效果。
[0056]本实施例所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，所述增频缺孔42数量为5-8个；实验测得，所述增频缺孔42数量为5-8个时，其高频段的增益效果最佳。
[0057]本实施例所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，所述增频缺孔42的直径为0.5mm-1mm ;实验测得，所述增频缺孔42的直径为0.5mm-lmm,其高频段的增益效果最佳。
[0058]本实施例所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，所述第二斜壁的底部设有第二隔离部31 ;通过实验测得，设置第二隔离部31可以有效增加隔离度，隔离度在32dB0
[0059]本实施例所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，所述第二隔离部31为二氧化硅半导体；通过实验测得，第二隔离部31的隔离度最大，低频段均大于35dB。
[0060]本实施例所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，所述第二侧壁4远离另一振子片的一侧并列延伸出至少一个隔离杆41 ;通过实验测得，设置隔离杆41可以有效增加隔离度。
[0061]本实施例所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，所述隔离杆41数量为三根，所述三根隔离杆41的长度从下往上依次递减。通过如此结构设计，在不断实验当中发现，依次递减的结构能有效增加隔离度，使隔离度效果更加。本实施例所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，所述最长的隔离杆41长度为10mm。如此可以使得隔离度效果达到最佳。
[0062]本实施例所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线:所述第一侧壁I设有复数个第一矩形过孔11，所述两个并排的第一矩形过孔11为一组；本实施例所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，每组并列排列；所述每组第一矩形过孔11之间设有第二矩形过孔12，所述第二矩形过孔12内填充有二氧化硅半导体。通过此结构设计，可以使得流经第一侧壁I的电流理论长度增加，实现提高增益的效果，通过此方式排列，其增加的效果明显，增益显著增高。
[0063]本实施例所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，所述第二矩形过孔12的长度为2_-5_。此参数的结构设计，通过实验得知，其效果最佳。通过优良的结构设计，通过不断试验和参数调整下，实现了优良的前后比特性，单个辐射单元最低频点前后比大于30dB，频带内前后比平均大于32dB;并且具有较高的单元增益，依测得数据，从方向图中可以看出，其最低频点增益大于9.37dBi,频带内平均增益大于9.8dB1
[0064]本实施例所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，所述第三隔离部51至第一侧壁I的距离不少于5mm。所述第三隔离部51的宽度不低于Imm0
[0065]以上所述仅是本实用新型的一个较佳实施例，故凡依本实用新型专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，包含在本实用新型专利申请的保护范围内。
【主权项】
1.一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，其特征在于:包括有反射板，设有反射板上的多个振子，所述振子包括有通过馈电线连接的上下对称的两个辐射单元；所述每个辐射单元包括有左右对称设置的两个振子片，所述每个振子片包括有第一侧壁、从第一侧壁的顶端向另一振子片方向斜向下延伸出的第一斜臂、从第一侧壁的底端向另一振子片方向斜向下延伸出的第二斜臂，还包括有与第二斜壁的自由端连接并与第一侧壁平行设置的第二侧壁；所述第二侧壁的顶端向第一侧壁方向斜向上延伸有第三斜壁，所述两个振子片的第二侧壁之间连接有耦合桥；所述两个辐射单元之间连接有馈电臂； 所述第一侧壁设有复数个第一矩形过孔，所述两个并排的第一矩形过孔为一组；每组并列排列，所述每组第一矩形过孔之间设有第二矩形过孔，所述第二矩形过孔内填充有二氧化硅半导体。
2.根据权利要求1所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，其特征在于:所述第一侧壁与第一斜壁连接处的外侧为一圆角，所述圆角的半径为0.
3.根据权利要求2所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，其特征在于:所述圆角的半径为Imm0
4.根据权利要求1所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，其特征在于:所述第一斜壁设有一三角形缺口，所述缺口的角度为60° -80°。
5.根据权利要求4所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，其特征在于:所述缺口的角度为70°。
6.根据权利要求1所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，其特征在于:所述第一侧壁的宽度为1.5cm-2cmo
7.根据权利要求1所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，其特征在于:所述第一斜壁的自由端设有第一隔离部。
8.根据权利要求1所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，其特征在于:所述第三斜壁的自由端设有第三隔离部。
9.根据权利要求7所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，其特征在于:所述第一隔离部为二氧化硅半导体。
10.根据权利要求8所述的一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线，其特征在于:所述第三隔离部为二氧化硅半导体。
【专利摘要】本实用新型公开一种通信技术领域，具体涉及一种设有第一矩形过孔的单极性振子天线；包括有反射板，设有反射板上的多个振子，所述振子包括有通过馈电线连接的上下对称的两个辐射单元；所述每个辐射单元包括有左右对称设置的两个振子片，所述每个振子片包括有第一侧壁、从第一侧壁的顶端向另一振子片方向斜向下延伸出的第一斜臂、从第一侧壁的底端向另一振子片方向斜向下延伸出的第二斜臂，还包括有与第二斜壁的自由端连接并与第一侧壁平行设置的第二侧壁；通过优良的结构设计，该天线的单个辐射单元最低频点前后比大于30dB,频带内前后比平均大于32dB；频带内平均增益大于9.8dBi。
【IPC分类】H01Q1-52, H01Q9-30, H01Q1-36, H01Q9-40
【公开号】CN204375973
【申请号】CN201520038810
【发明人】励春亚
【申请人】象山星旗电器科技有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2015年1月21日