电缆的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于电缆技术领域，尤其是涉及一种电缆。
【背景技术】
[0002]电缆广泛应用于电力、通信传输，随着技术的不断发展，电缆适用的场合的复杂化，多样化。目前，电缆的结构一般为多个线芯直接包裹在绝缘材料中，相邻线芯之间不存在间距，如此，当不同的信号在各自的线芯中传输的过程中，不同的信号之间会发生电磁干扰现象，影响了该电缆的应用，同时也不具备相应的耐高温能力及耐磨性能;且此种结构的电缆，使用了较多的绝缘材料，带来了不必要的浪费，而且电缆的抗压抗拉能力差；因此予以改进。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的是针对上述现有技术存在的不足，提供一种电缆，它具有抗扰能力强、耐高温耐磨性能强、能够提高电缆的保护性能、增强电缆的抗压抗拉能力及延长使用寿命的特点。
[0004]为了实现上述的目的，本实用新型所采用的技术方案是:电缆，包括芯导体及绝缘层;所述绝缘层包裹在芯导体上;所述绝缘层外围设有内护层及外护层，所述外护层设置在内护层的外围；所述芯导体和绝缘层之间设置有发泡层;所述绝缘层外部设有屏蔽层，所述屏蔽层外部设有耐高温层;所述芯导体之间填设有若干填充物;所述内护层和外护层之间设置有铠装层;所述外护层外围设置有耐磨层。
[0005]所述绝缘层的外表面包裹有铝箔麦拉带。
[0006]所述铠装层采用若干束金属丝交叉环壁设置在外护层的内侧壁。
[0007]所述填充物的横截面为圆形结构。
[0008]采用上述结构后，本实用新型和现有技术相比具有的优点是:本实用新型结构简单，通过在芯导体和绝缘层之间发泡层的设置，提高了电缆的保护性能，增强了电缆的抗压抗拉能力，延长了电缆的使用寿命;绝缘层外部设有屏蔽层，使得抗扰能力强;通过耐高温层及耐磨层的设置，提高了电缆的耐高温及耐磨性能。
【附图说明】
[0009]图1是本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0010]以下所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不因此而限定本实用新型的保护范围，下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
[0011]实施例，见图1所示，电缆，包括芯导体10及绝缘层11;绝缘层11包裹在芯导体10上;绝缘层11外围设有内护层12及外护层13，外护层13设置在内护层12的外围；外护层13外围设置有耐磨层19，提高了电缆的耐磨性能。绝缘层11的外表面包裹有铝箔麦拉带20，用以对多导体的干扰遮蔽;绝缘层11外部设有屏蔽层15，使得抗扰能力强;屏蔽层15外部设有耐高温层16，提高了电缆的耐高温性能;芯导体1之间填设有若干填充物17;填充物17的横截面为圆形结构，使电缆的整体形状非常的圆整，结构更加稳定。芯导体10和绝缘层11之间设置有发泡层14，内护层12和外护层13之间设置有铠装层18，其铠装层18采用若干束金属丝交叉环壁设置在外护层13的内侧壁，通过采用这种设置，增强了电缆的抗压、抗拉能力，从而起到保护电缆不被外力损伤的作用，从而延长了电缆的使用寿命。
【主权项】
1.电缆，包括芯导体(10)及绝缘层(11);所述绝缘层(11)包裹在芯导体(10)上;所述绝缘层(11)外围设有内护层(12)及外护层(13)，所述外护层(13)设置在内护层(12)的外围；其特征在于:所述芯导体(10)和绝缘层(11)之间设置有发泡层(14);所述绝缘层(11)外部设有屏蔽层(15)，所述屏蔽层(15)外部设有耐高温层(16);所述芯导体(10)之间填设有若干填充物(17);所述内护层(12)和外护层(13)之间设置有铠装层(18);所述外护层(13)外设置有耐磨层(19)。2.根据权利要求1所述的电缆，其特征在于:所述绝缘层(II)的外表面包裹有铝箔麦拉带(20)。3.根据权利要求1所述的电缆，其特征在于:所述铠装层(18)采用若干束金属丝交叉环壁设置在外护层(13)的内侧壁。4.根据权利要求1所述的电缆，其特征在于:所述填充物(17)的横截面为圆形结构。
【专利摘要】本实用新型公开了一种电缆，包括芯导体及绝缘层；所述绝缘层包裹在芯导体上；所述绝缘层外围设有内护层及外护层，所述外护层设置在内护层的外围；所述芯导体和绝缘层之间设置有发泡层；所述绝缘层外部设有屏蔽层，所述屏蔽层外部设有耐高温层；所述芯导体之间填设有若干填充物；所述内护层和外护层之间设置有铠装层；所述外护层外设置有耐磨层。本实用新型结构简单，通过在芯导体和绝缘层之间发泡层的设置，提高了电缆的保护性能，增强了电缆的抗压抗拉能力，延长了电缆的使用寿命；绝缘层外部设有屏蔽层，使得抗扰能力强；通过耐高温层及耐磨层的设置，提高了电缆的耐高温及耐磨性能。
【IPC分类】H01B7/17, H01B9/02, H01B7/18, H01B7/29
【公开号】CN205194372
【申请号】CN201520926701
【发明人】武志炳
【申请人】万光电缆有限公司
【公开日】2016年4月27日
【申请日】2015年11月19日