.4上，为了与阳极电极2.13相适配，所述陶瓷环2.2也呈矩形，陶瓷环2.2的宽度大于阳极电极2.13的宽度。
[0021]在陶瓷环2.2—侧的下部设有陶瓷环套管穿孔2.12，所述陶瓷环套管穿孔2.12贯通陶瓷环2.2的侧壁，门极套管2.8呈横置状嵌置于所述陶瓷环套管穿孔2.12内。内导电片2.5在陶瓷环2.2内呈竖直分布，内导电片2.5的下部与门极杆2.9连接，门极杆2.9的一端穿入门极套管2.8内，门极杆2.9的另一端将内导电片2.5与门极套管2.8的端部紧密接触。为了确保管座2内的密闭性，在陶瓷环2.2外设有门极堵头2.6，门极堵头2.6的一端能穿入门极套管2.8内，门极堵头2.6的另一端能将门极插片2.7与门极套管2.8的端部紧密接触。具体实施时，内导电片2.5通过钎料与门极杆2.9、门极套管2.8焊接，门极堵头2.6、门极插片2.7与门极套管2.8也焊接固定，内导电片2.5与门极堵头2.6、门极插片2.7、门极套管2.8以及门极杆2.9相互电连接，从而形成所需的门极组件。
[0022]进一步地，门极插片2.7的下方设有应力环插片2.10,所述应力环插片2.10与阳极应力环2.4固定连接，且应力环插片2.10与门极插片2.7接触。
[0023]所述陶瓷环2.2上设有阳极法兰2.1，陶瓷环2.2的外壁上设有若干圈凸环2.14。
[0024]本实用新型实施例中，应力环插片2.10呈L型，应力环插片2.10与阳极应力环2.4固定，并与门极插片2.7接触，门极插片2.7也呈L型。阳极法兰2.1位于陶瓷环2.2的顶端，通过在陶瓷环2.2的外壁上设置凸环2.14能够增加爬电距离。
[0025]所述管盖I包括呈矩形状的阴极电极1.2以及同心封接在所述阴极电极1.2外缘的阴极法兰1.1。
[0026]本实用新型实施例中，为了与阳极电极2.13相适配，阴极电极1.2也呈矩形，阴极法兰1.1封接在阳极法兰1.2的外缘，阴极电极1.2通过阴极法兰1.1与阳极法兰2.1相接触，此时，阴极电极1.2的下部能嵌置于陶瓷环2.2内。具体实施时，所述阴极电极1.2上设有阴极定位孔1.3，在所述阳极电极2.13上设有与所述阴极定位孔1.3呈同轴分布的阳极定位孔2.11。阴极电极1.2上设置两个阴极定位孔1.3，阴极定位孔1.3位于阴极电极1.2的上表面，阳极电极2.13上也设置两个阳极定位孔2.11，所述阳极定位孔2.11位于阳极电极2.13的下表面，两阳极定位孔2.11与上方相应的阴极定位孔1.3呈同轴分布，从而能实现封装时的有效定位。
[0027]本实用新型阳极电极2.13、阴极电极1.2均呈矩形状，且在陶瓷环2.2的下部设置门极组件，从而能有效提高阳极电极2.13上安装IGBT器件的数量，有效提高压接式IGBT器件的单位面积功率，提高适应范围，结构紧凑，安全可靠。
【主权项】
1.一种大功率全压接式IGBT多模架陶瓷管壳，包括管座(2)以及位于管座(2)上并与所述管座(2)匹配连接的管盖(I);其特征是:所述管座(2)包括呈矩形状的阳极电极(2.13)，在所述阳极电极(2.13)的外缘封接有同轴分布的阳极应力环(2.4)，在所述阳极应力环(2.4)上设有陶瓷环(2.2)，所述陶瓷环(2.2)与阳极电极(2.13)呈同轴分布； 在所述陶瓷环(2.2)的下部设有用于将阳极电极(2.13)上IGBT器件的门极引出的门极组件，所述门极组件包括位于陶瓷环(2.2)内的内导电片(2.5)以及贯穿所述陶瓷环(2.2)的导电连接体，所述导电连接体包括用于与内导电片(2.5)电连接的门极杆(2.9)以及允许所述门极杆(2.9)嵌置的门极套管(2.8)，所述门极杆(2.9)从门极套管(2.8)位于陶瓷环(2.2)内的一端穿入，门极套管(2.8)的另一端设有用于封堵门极套管(2.8)的门极堵头(2.6)，所述门极堵头(2.6)位于陶瓷环(2.2)外，且门极堵头(2.6)将门极插片(2.7)固定在门极套管(2.8)位于陶瓷环(2.2)外的端部。2.根据权利要求1所述的大功率全压接式IGBT多模架陶瓷管壳，其特征是:所述内导电片(2.5)在陶瓷环(2.2)内呈竖直分布，门极插片(2.7)的下方设有应力环插片(2.10)，所述应力环插片(2.10)与阳极应力环(2.4)固定连接，且应力环插片(2.10)与门极插片(2.7)接触。3.根据权利要求1所述的大功率全压接式IGBT多模架陶瓷管壳，其特征是:所述陶瓷环(2.2)上设有阳极法兰(2.1)，陶瓷环(2.2)的外壁上设有若干圈凸环(2.14)。4.根据权利要求1所述的大功率全压接式IGBT多模架陶瓷管壳，其特征是:所述管盖(I)包括呈矩形状的阴极电极(1.2)以及同心封接在所述阴极电极(1.2)外缘的阴极法兰(1-1)05.根据权利要求4所述的大功率全压接式IGBT多模架陶瓷管壳，其特征是:所述阴极电极(1.2)上设有阴极定位孔(1.3)，在所述阳极电极(2.13)上设有与所述阴极定位孔(1.3)呈同轴分布的阳极定位孔(2.11)。
【专利摘要】本实用新型涉及一种大功率全压接式IGBT多模架陶瓷管壳，其包括管座以及位于管座上并与所述管座匹配连接的管盖；所述管座包括呈矩形状的阳极电极，在阳极电极的外缘封接有阳极应力环，在阳极应力环上设有陶瓷环；在陶瓷环的下部设有门极组件，门极组件包括位于陶瓷环内的内导电片以及导电连接体，导电连接体包括门极杆以及门极套管，所述门极杆从门极套管位于陶瓷环内的一端穿入，门极套管的另一端设有用于封堵门极套管的门极堵头，所述门极堵头位于陶瓷环外，且门极堵头将门极插片固定在门极套管位于陶瓷环外的端部。本实用新型结构紧凑，能有效提高压接式IGBT器件的单位面积功率，提高压接式IGBT器件的适应范围广，安全可靠。
【IPC分类】H01L29/739, H01L23/10
【公开号】CN205248251
【申请号】CN201520955957
【发明人】王晓刚, 马纲
【申请人】无锡天杨电子有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2015年11月26日