一种高压续流二极管模块的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供了一种高压续流二极管模块，包括壳体和壳体相配合构成腔体的底板，壳体上盖有一盖板，腔体内设有一个高压续流二极管组件，所述高压续流二极管组件包括至少三个高压续流二极管、绝缘基板、第一电极和第二电极，至少三个高压续流二极管、绝缘基板和第一电极均设于底板上，第二电极设于绝缘基板上，高压续流二极管包括一N型高掺杂硅衬底层、一第一N型掺杂半导体层、一第二N型掺杂半导体层、一二极管阳极层，三个高压续流二极管极性相同的N型高掺杂硅衬底层与第一电极相连；三个高压续流二极管极性相同的二极管阳极层与第二电极相连；第一电极和第二电极均引出所述盖板。本实用新型提供的高压续流二极管模块提高了各二极管之间的回路电流的均流性。
【专利说明】
一种高压续流二极管模块
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种高压续流二极管模块。
【背景技术】
[0002]随着电力电子技术的发展，各种变频电路、斩波电路的应用不断扩大，这些电力电子电路中的主回路不论是采用换流关断的晶闸管，还是采用有自关断能力的新型电力电子器件，都需要一个与之并联的且反向恢复时间较短的二极管。为提高模块的过电流能力、功率密度，模块化封装的HPSD(High pressure stream d1de，高压续流二极管)采用并联的方式，将多颗小电流二极管并联，以得到大电流HPSD模块。随着电力技术的发展，需要并联的二极管数量增多，如果均流性差，HPSD容易出现因过流击穿损坏、失效的问题。
【发明内容】
[0003]本实用新型要解决的技术问题，在于提供一种高压续流二极管模块，提高了各二极管之间的回路电流的均流性，提高了模块稳定性。
[0004]本实用新型是这样实现的:一种高压续流二极管模块，包括壳体和壳体相配合构成腔体的底板，所述壳体上盖有一盖板，所述腔体内设有一个高压续流二极管组件，所述高压续流二极管组件包括至少三个高压续流二极管、绝缘基板、第一电极和第二电极，所述的至少三个高压续流二极管、绝缘基板和第一电极均设于底板上，所述第二电极设于绝缘基板上，所述高压续流二极管包括一 N型高掺杂硅衬底层、一第一 N型掺杂半导体层、一第二 N型掺杂半导体层、一二极管阳极层，所述第一 N型掺杂半导体层位于第二 N型掺杂半导体层和N型高掺杂娃衬底层之间，所述二极管阳极层位于第二 N型掺杂半导体层之上;三个高压续流二极管极性相同的N型高掺杂硅衬底层与第一电极相连;三个高压续流二极管极性相同的二极管阳极层与第二电极相连;所述第一电极和第二电极均引出所述盖板。
[0005]进一步地，所述第一 N型掺杂半导体层和第二 N型掺杂半导体层的宽度均为5um至50umo
[0006]本实用新型的优点在于:本实用新型的高压续流二极管模块，能够避免高压续流二极管模块因内部二极管不均流导致的击穿损坏、失效问题，从而提高各二极管之间的回路电流的均流性，提高高压续流二极管模块的稳定性。
【附图说明】
[0007]图1为本实用新型的高压续流二极管模块剖面图。
[0008]图2为本实用新型高压续流二极管的结构示意图。
【具体实施方式】
[0009]请参阅图1至图2所示，本实用新型的一种高压续流二极管模块，包括壳体I和壳体I相配合构成腔体的底板2，所述壳体I上盖有一盖板3，所述腔体内设有一个高压续流二极管组件4，所述高压续流二极管组件4包括至少三个高压续流二极管41、绝缘基板42、第一电极43和第二电极44，所述的至少三个高压续流二极管41、绝缘基板42和第一电极43均设于底板上，所述第二电极44设于绝缘基板上，所述高压续流二极管41包括一 N型高掺杂硅衬底层411、一第一 N型掺杂半导体层412、一第二 N型掺杂半导体层413、一二极管阳极层414，所述第一N型掺杂半导体层412位于第二N型掺杂半导体层413和N型高掺杂娃衬底层411之间，所述二极管阳极层414位于第二 N型掺杂半导体层413之上;三个高压续流二极管极性相同的N型高掺杂硅衬底层411与第一电极43相连;三个高压续流二极管极性相同的二极管阳极层414与第二电极44相连;所述第一电极43和第二电极44均引出所述盖板3。通过将三个高压续流二极管极性相同的N型高掺杂硅衬底层411与第一电极43相连，且将三个高压续流二极管极性相同的二极管阳极层414与第二电极44相连，这样能够避免高压续流二极管模块因内部二极管不均流导致的击穿损坏、失效问题。
[0010]其中，高压续流二极管41的N型高掺杂硅衬底层411、第一N型掺杂半导体层412、第二N型掺杂半导体层413、二极管阳极层414;形成一 “PNN-N+”的结构，其中第一N型掺杂半导体层的掺杂浓度比第二 N型掺杂半导体层的掺杂浓度低，于是形成一个NN-结。P为二极管阳极层;N为第二 N型掺杂半导体层;N-为第一 N型掺杂半导体层;N+为N型高掺杂娃衬底层;该二极管41使用寿命长，不易被击穿烧毁。
[0011]所述第一 N型掺杂半导体层和第二 N型掺杂半导体层的宽度d均为5um至50umo
[0012]总之，本实用新型的高压续流二极管模块，能够避免高压续流二极管模块因内部二极管不均流导致的击穿损坏、失效问题，从而提高各二极管之间的回路电流的均流性，提高高压续流二极管模块的稳定性。
[0013]虽然以上描述了本实用新型的【具体实施方式】，但是熟悉本技术领域的技术人员应当理解，我们所描述的具体的实施例只是说明性的，而不是用于对本实用新型的范围的限定，熟悉本领域的技术人员在依照本实用新型的精神所作的等效的修饰以及变化，都应该涵盖在本实用新型的权利要求所保护的范围内。
【主权项】
1.一种高压续流二极管模块，其特征在于:包括壳体和壳体相配合构成腔体的底板，所述壳体上盖有一盖板，所述腔体内设有一个高压续流二极管组件，所述高压续流二极管组件包括至少三个高压续流二极管、绝缘基板、第一电极和第二电极，所述的至少三个高压续流二极管、绝缘基板和第一电极均设于底板上，所述第二电极设于绝缘基板上，所述高压续流二极管包括一 N型高掺杂硅衬底层、一第一 N型掺杂半导体层、一第二 N型掺杂半导体层、一二极管阳极层，所述第一 N型掺杂半导体层位于第二 N型掺杂半导体层和N型高掺杂娃衬底层之间，所述二极管阳极层位于第二 N型掺杂半导体层之上;三个高压续流二极管极性相同的N型高掺杂硅衬底层与第一电极相连;三个高压续流二极管极性相同的二极管阳极层与第二电极相连;所述第一电极和第二电极均引出所述盖板。2.根据权利要求1所述的一种高压续流二极管模块，其特征在于:所述第一N型掺杂半导体层和第二 N型掺杂半导体层的宽度均为5um至50umo
【文档编号】H01L25/11GK205452282SQ201620261891
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2016年3月31日
【发明人】黄福仁, 黄国灿, 林勇
【申请人】福建安特微电子有限公司