一种基于真空热处理工艺的铁基纳米晶磁芯的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种基于真空热处理工艺的铁基纳米晶磁芯，所述铁基纳米晶磁芯包括左磁芯、右磁芯，所述左磁芯、右磁芯为相同的C型结构，两个C型磁芯C型端面相向放置，在两个C型磁芯之间设置有多个大小相同的副磁芯，所述副磁芯置于两个C型端面之间的直线上，C型磁芯与副磁芯吸合在一起后，形成环形体，该环形体上表面设置有校准槽，所述校准槽从左磁芯开始，往右磁芯方向延伸，其宽度逐渐增大。本实用新型铁基纳米晶磁芯能够避免磁芯吸合歪斜，校准槽能够避免副磁芯放错位置。
【专利说明】
一种基于真空热处理工艺的铁基纳米晶磁芯
技术领域
[0001]本实用新型涉及磁芯，具体的说是涉及一种基于真空热处理工艺的铁基纳米晶磁芯。
【背景技术】
[0002]磁芯是指由各种氧化铁混合物组成的一种烧结磁性金属氧化物。例如，锰-锌铁氧体和镍-锌铁氧体是典型的磁芯体材料。锰-锌铁氧体具有高磁导率和高磁通密度的特点，且在低于IMHz的频率时，具有较低损耗的特性。镍-锌铁氧体具有极高的阻抗率、不到几百的低磁导率等特性，及在高于IMHz的频率亦产生较低损耗等。铁氧体磁芯用于各种电子设备的线圈和变压器中。
[0003]在很多磁芯应用中，需要用到多种混合型磁芯，因此，会使用副磁芯替代，但副磁芯又有多种材质，需要按一定的规律进行排列，使得副磁芯与主磁芯发挥最大效果，如何将副磁芯与主磁芯快速定位，而且不出错的固定就成为本实用新型的创造重点。
【实用新型内容】
[0004]针对现有技术中的不足，本实用新型要解决的技术问题在于提供了一种基于真空热处理工艺的铁基纳米晶磁芯。
[0005]为解决上述技术问题，本实用新型通过以下方案来实现:一种基于真空热处理工艺的铁基纳米晶磁芯，所述铁基纳米晶磁芯包括左磁芯、右磁芯，所述左磁芯、右磁芯为相同的C型结构，两个C型磁芯C型端面相向放置，在两个C型磁芯之间设置有多个大小相同的副磁芯，所述副磁芯置于两个C型端面之间的直线上，C型磁芯与副磁芯吸合在一起后，形成环形体，该环形体上表面设置有校准槽，所述校准槽从左磁芯开始，往右磁芯方向延伸，其宽度逐渐增大。
[0006]进一步的，所述校准槽为V型槽。
[0007]进一步的，所述环形体内侧面设置有一圈准直槽。
[0008]进一步的，所述准直槽为V型槽，设置在环形体内侧面中部，其与环形体的表面平行。
[0009]进一步的，所述副磁芯为铁基纳米晶磁芯或高导锰锌铁氧体磁块。
[0010]进一步的，所述副磁芯呈方块状，其端面与左磁芯、右磁芯的端面大小相同。
[0011 ]进一步的，所述左磁芯、右磁芯为铁基纳米晶磁芯。
[0012]相对于现有技术，本实用新型的有益效果是:本实用新型铁基纳米晶磁芯设置有主磁芯与副磁芯，主磁芯呈C型状，设置有两个，在两个C型主磁芯之间设置有副磁芯，副磁芯为多种材质，与主磁芯吸合后，形成环形体，在环形体设置校准槽、准直槽，能够避免磁芯吸合歪斜，校准槽能够避免副磁芯放错位置。
【附图说明】
[0013]图1为本实用新型铁基纳米晶磁芯结构示意图。
[0014]图2为图1的组装图。
[0015]附图中标记:左磁芯1、副磁芯2、右磁芯3、准直槽4、校准槽21。
【具体实施方式】
[0016]下面结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。
[0017]请参照附图1?2，本实用新型的一种基于真空热处理工艺的铁基纳米晶磁芯，所述铁基纳米晶磁芯包括左磁芯1、右磁芯3，所述左磁芯1、右磁芯3为相同的C型结构，两个C型磁芯C型端面相向放置，在两个C型磁芯之间设置有多个大小相同的副磁芯2，所述副磁芯2置于两个C型端面之间的直线上，C型磁芯与副磁芯2吸合在一起后，形成环形体，该环形体上表面设置有校准槽21，所述校准槽21从左磁芯I开始，往右磁芯3方向延伸，其宽度逐渐增大，所述校准槽21为V型槽，校准槽21的宽度最小处为0.5mm，最宽处为3mm，所述环形体内侧面设置有一圈准直槽4，准直槽的宽度设置在I?2_之间。所述准直槽4为V型槽，设置在环形体内侧面中部，其与环形体的表面平行。所述副磁芯2为铁基纳米晶磁芯或高导锰锌铁氧体磁块，副磁芯2还可以为其它的合金体。所述副磁芯2呈方块状，其端面与左磁芯1、右磁芯3的端面大小相同。本实用新型铁基纳米晶磁芯设置有主磁芯与副磁芯，主磁芯呈C型状，设置有两个，在两个C型主磁芯之间设置有副磁芯，副磁芯为多种材质，与主磁芯吸合后，形成环形体，在环形体设置校准槽、准直槽，能够避免磁芯吸合歪斜，校准槽能够避免副磁芯放错位置。
[0018]以上所述仅为本实用新型的优选实施方式，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种基于真空热处理工艺的铁基纳米晶磁芯，其特征在于:所述铁基纳米晶磁芯包括左磁芯(I)、右磁芯(3)，所述左磁芯(1)、右磁芯(3)为相同的C型结构，两个C型磁芯C型端面相向放置，在两个C型磁芯之间设置有多个大小相同的副磁芯(2)，所述副磁芯(2)置于两个C型端面之间的直线上，C型磁芯与副磁芯(2)吸合在一起后，形成环形体，该环形体上表面设置有校准槽(21)，所述校准槽(21)从左磁芯(I)开始，往右磁芯(3)方向延伸，其宽度逐渐增大。2.根据权利要求1所述的一种基于真空热处理工艺的铁基纳米晶磁芯，其特征在于:所述校准槽(21)为V型槽。3.根据权利要求1所述的一种基于真空热处理工艺的铁基纳米晶磁芯，其特征在于:所述环形体内侧面设置有一圈准直槽(4)。4.根据权利要求3所述的一种基于真空热处理工艺的铁基纳米晶磁芯，其特征在于:所述准直槽(4)为V型槽，设置在环形体内侧面中部，其与环形体的表面平行。5.根据权利要求1所述的一种基于真空热处理工艺的铁基纳米晶磁芯，其特征在于:所述副磁芯(2)为铁基纳米晶磁芯或尚导猛梓铁氧体磁块。6.根据权利要求5所述的一种基于真空热处理工艺的铁基纳米晶磁芯，其特征在于:所述副磁芯(2)呈方块状，其端面与左磁芯(1)、右磁芯(3)的端面大小相同。7.根据权利要求1所述的一种基于真空热处理工艺的铁基纳米晶磁芯，其特征在于:所述左磁芯(I)、右磁芯(3)为铁基纳米晶磁芯。
【文档编号】H01F27/24GK205542240SQ201620253036
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年3月30日
【发明人】徐志
【申请人】深圳市冶磁科技有限公司