影像传感器封装及其逃气槽结构的制作方法

文档序号:10956295阅读:457来源:国知局
影像传感器封装及其逃气槽结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种影像传感器封装及其逃气槽结构,该影像传感器封装包括依次安装的电路基板、CMOS传感器、底座,该底座上设有逃气槽结构。该影像传感器封装的逃气槽结构包括连通外界的沉槽,连通传感器内部的T型槽,该沉槽与T型槽相连通。经由沉槽流入的空气,通过T型槽再进入传感器内部,空气中所携带的灰尘碎屑等经过T型槽的分流沉淀,不会直接进入传感器内部,有效隔离灰尘、碎屑,该结构能够大大提高封装测试良率,并且该结构封装堆叠简单。
【专利说明】
影像传感器封装及其逃气槽结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及通讯领域,尤其是涉及一种影像传感器封装及其逃气槽结构。【【背景技术】】
[0002]过去CMOS影像传感器基本是采用芯片级封装(CSP,chip scale package;),投资大,成本高。随着平板电脑,智慧手机的应用,像素微小化以及先进制程的技术突破,带动了CMOS影像传感器大举进军高像素(像素500万以上)应用市场,而芯片级封装(CSP:ChipScale Package)在高像素CMOS影像传感器封装会有技术的缺陷与瓶颈,板上芯片(COB:Chip On Board)封装必定是趋势,在500万像素以上CSP封装已无能为力,必须采用板上芯片封装(C0B:Chip On Board)。随着科技的发展,手机及平板电脑越来越小越薄,对洁净度越来越高,目前绝大部分高像素CMOS影像传感器COB板上芯片封装结构的底座所设置的逃气孔或逃气槽,如图1和图2所示,现有技术的逃气槽110或逃气孔120结构直通芯片内部,没能有效防止外界对影像传感器的污染,外界的灰尘、微粒、碎肩等会通过逃气槽110或逃气孔120进入芯片内部,这样就会造成芯片不良、污点不良,造成整体封装良率低。
[0003]因此,提供一种能有效阻隔外界污染、封装良率高的影像传感器封装及其逃气槽结构实为必要。

【发明内容】

[0004]本实用新型的目的在于提供一种能有效阻隔外界污染、封装良率高的影像传感器封装的逃气槽结构。
[0005]本实用新型的目的在于提供一种能有效阻隔外界污染、封装良率高的影像传感器封装。
[0006]为实现本实用新型目的,提供以下技术方案:
[0007]本实用新型提供一种影像传感器封装的逃气槽结构,其包括连通外界的沉槽,连通传感器内部的T型槽,该沉槽与T型槽相连通。经由沉槽流入的空气,通过T型槽再进入传感器内部,空气中所携带的灰尘碎肩等经过T型槽的分流沉淀,不会直接进入传感器内部,有效隔离灰尘、碎肩跑到CMOS影像传感器上面,该结构能够大大提高封装测试良率,并且该结构封装堆叠简单。
[0008]优选的,该T型槽包括主气道和相连通的分流气道。经由沉槽流入的空气,通过T型槽的主气道,然后再改变气流方向进入分流气道,最后才进入传感器内部,空气中所携带的灰尘碎肩等经过T型槽的分流沉淀,得到有效阻隔,不会进入传感器内部。
[0009]优选的,该T型槽的主气道下方设置凹形结构,该相连通的分流气道分布在该凹形结构两侧。经由沉槽、T型槽主气道进入的气流,在凹形结构改变气流方向再进入分流气道,气体所携带的灰尘碎肩等在凹形结构得以沉淀,大大提高气流的洁净度,有效阻止这些灰尘碎肩进入传感器内部。
[0010]优选的,该逃气槽结构的T型槽包括两个所述主气道、两个设置在主气道下方的凹形结构,以及三个所述分流气道,该三个分流气道分布在该两个凹形结构的两侧以及中间。该实施方式有效利用空间,两个凹形结构之间的分流气道共用,使结构简单紧凑。
[0011]本实用新型还提供一种影像传感器封装,其包括依次安装的电路基板、CMOS传感器、底座,该底座上设有如上所述的逃气槽结构。该影像传感器封装能有效阻隔外界污染、封装良率高。
[0012]优选的,该电路基板上设有驱动马达芯片和电容。
[0013]优选的,该影像传感器封装还包括有滤光玻璃片,该滤光玻璃片安装在底座上,部分遮蔽逃气槽结构,该逃气槽结构的沉槽与外界连通。
[0014]该影像传感器封装的组装过程为:将CMOS传感器贴装在已经安装好电容、驱动马达芯片的电路基板上,快速固化;随后将金线焊接,并进行清洗;然后在电路基板上安装底座,进行清洗;最后将滤光玻璃片贴装在底座上,进行高温固化。
[0015]滤光玻璃片贴装在底座上,高温固化时,T型槽与沉槽能有效排气;高温固化后,型槽与沉槽能阻碍外界的灰尘,脏污直接进入CMOS传感器表面,避免造成测试污点不良。
[0016]对比现有技术,本实用新型具有以下优点:
[0017]本实用新型影像传感器封装能有效阻隔外界污染、封装良率高;本实用新型逃气槽结构通过沉槽与T型槽结构,有效隔离灰尘、碎肩,经由沉槽流入的空气,通过T型槽再进入传感器内部,空气中所携带的灰尘碎肩等经过T型槽的分流沉淀,不会直接进入传感器内部,有效隔离灰尘、碎肩跑到CMOS影像传感器上面,该结构能够大大提高封装测试良率,并且该结构封装堆叠简单。
【【附图说明】】
[0018]图1为现有技术传感器封装结构的逃气槽示意图;
[0019]图2为现有技术传感器封装结构的逃气孔示意图;
[0020]图3为本实用新型影像传感器封装结构的爆炸图;
[0021]图4为图3中a部分的局部放大示意图;
[0022]图5为本实用新型的立体结构不意图;
[0023]图6为本实用新型的逃气槽的结构正面示意图;
[0024]图7为图6中b部分的局部放大不意图;
[0025]图8为图6的A-A方向剖视图;
[0026]图9为图8中c部分的局部放大示意图;
[0027]图10为本实用新型的封装步骤一结构示意图;
[0028]图11为本实用新型的封装步骤二结构示意图;
[0029]图12为本实用新型的封装步骤三结构示意图。
【【具体实施方式】】
[0030]请参阅图3?9,本实用新型影像传感器封装包括依次安装的电路基板210、CMOS传感器220、底座230、滤光玻璃片240,在电路基板210上安装有驱动马达芯片250、电容260,该CMOS传感器220也安装在电路基板210上。
[0031]该底座230上设有逃气槽结构300,该滤光玻璃片240与底座230上的窗口相匹配安装。
[0032]该逃气槽结构300内设置有连通外界的沉槽310和连通传感器内部的T型槽320,该沉槽310与T型槽320相连通。该T型槽320包括主气道321和相连通的分流气道322。该滤光玻璃片240安装在底座230上,部分遮蔽该逃气槽结构300,同时该逃气槽结构的沉槽310与外界连通。
[0033]在本实施例中,该T型槽320设有两个所述主气道321以及三个所述分流气道322,该两个所述主气道321的下方分别设置有凹形结构323,该相连通的分流气道322分布在该凹形结构323两侧以及中间。
[0034]如图4和图7所示,经由沉槽310流入的空气流d、e,通过T型槽320的主气道321,在凹形结构323流转,然后分流并改变气流方向,再进入分流气道322,分成三股气流f、g、h,最后才进入传感器内部,气体所携带的灰尘碎肩等在凹形结构323得以沉淀,大大提高气流的洁净度,经过T型槽的分流沉淀,得到有效阻隔,有效阻止这些灰尘碎肩进入传感器内部,该结构能够大大提高封装测试良率,并且该结构封装堆叠简单。
[0035]请一并参阅图10?12,本实用新型影像传感器封装的组装过程为:
[0036]1、将电容260、驱动马达芯片250安装在电路基板210上,将CMOS传感器220贴装在已经安装好电容260、驱动马达芯片250的电路基板210上,快速固化;
[0037]2、随后对CMOS传感器220与电路基板210之间进行金线焊接,并进行清洗;
[0038]3、然后在基板上安装底座230,进行清洗;
[0039]4、最后将滤光玻璃片240贴装在底座230上,进行高温固化,完成封装过程。
[0040]将滤光玻璃片240贴装在底座230上,高温固化时,T型槽320与沉槽310能有效排气;高温固化后,T型槽与沉槽能阻碍外界的灰尘,脏污直接进入CMOS传感器表面,避免造成测试污点不良。
[0041]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,本实用新型的保护范围并不局限于此,任何基于本实用新型技术方案上的等效变换均属于本实用新型保护范围之内。
【主权项】
1.一种影像传感器封装的逃气槽结构,其特征在于,其包括连通外界的沉槽,连通传感器内部的T型槽,该沉槽与T型槽相连通。2.如权利要求1所述的影像传感器封装的逃气槽结构,其特征在于,该T型槽包括主气道和相连通的分流气道。3.如权利要求2所述的影像传感器封装的逃气槽结构,其特征在于,该T型槽的主气道下方设置凹形结构,该相连通的分流气道分布在该凹形结构两侧。4.如权利要求2所述的影像传感器封装的逃气槽结构,其特征在于,该逃气槽结构的T型槽包括两个所述主气道、两个设置在主气道下方的凹形结构,以及三个所述分流气道,该三个分流气道分布在该两个凹形结构的两侧以及中间。5.一种影像传感器封装,其包括依次安装的电路基板、CMOS传感器、底座,其特征在于,该底座上设有如权利要求1?4任一项所述的逃气槽结构。6.如权利要求5所述的影像传感器封装,其特征在于,该电路基板上设有驱动马达芯片和电容。7.如权利要求6所述的影像传感器封装,其特征在于,该影像传感器封装还包括有滤光玻璃片,该滤光玻璃片安装在底座上,部分遮蔽逃气槽结构,该逃气槽结构的沉槽与外界连通。
【文档编号】H01L23/13GK205645790SQ201620410138
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年5月9日
【发明人】劳景益, 刘振茂
【申请人】深圳市森邦半导体有限公司
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