专利名称：一种改进的抗浪涌保护器件的制作方法
技术领域：
实用新型涉及一种过电压保护用半导体抗浪涌器件，尤其是能适应高频、宽带通讯的半导体抗浪涌器件。
背景技术：
程控交换机初级保护及用户终端过电压保护用半导体抗浪涌(如防雷击、抗电力感应、对电力线碰触保护等)放电芯片，如SA系列固体放电芯片，由于抗浪涌能力的要求，芯片需保证一定的面积，所以其极间电容量通常达到或接近200pf，如此高的电容，只能被用于低频通讯。然而随着现代通讯技术的迅速发展，高频、宽带通讯越来越受到欢迎，在高频下放电芯片容抗将变小，接入电路中会导致正常信号被旁路掉，因此现有固体放电芯片难以直接应用于高频、宽带通讯保护。如果采用二个SA系列放电芯片串接，虽能可达到降低极间电容目的，但保护需二个放电芯片同时导通，这样会造成发热量增大，而使芯片耐大电流能力变差，而且二个芯片串接电性能配对匹配复杂。
发明内容
实用新型的目的在于克服上述已有技术的不足，提供一种能有效减小极间电容，使之可用于高频通讯设备保护，且基本不影响原有电气性能的半导体抗浪涌器件。
实用新型目的实现，主要改进是在放电芯片一端或二端串接有反并联二极管，做到在不降低放电芯片原有电性能如击穿电压、转折电压、耐大电流能力，使极间总电容得以下降，能做到50pf以下，使之可以用于高频、宽带通讯设备的保护。具体说，实用新型半导体抗浪涌器件，包括一片抗浪涌的固体放电芯片，其特征在于所说固体放电芯片一端或二端串接有反并联二极管。
实用新型采用串接二极管，可以在不影响放电芯片电性能前提下，使极间电容得到较大降低，从而满足高频、宽带通讯对保护器件的要求。二极管的反并联组合，主要是满足放电管双向保护特性要求。所说二极管可以是封装后的，也可以是未封装的二极管芯片，其中尤以后者为优，有利于封装及减小体积。
实用新型二极管的选用，只要保证二极管的正向抗浪涌电流能力能与放电芯片相匹配即可。串接反并联二极管降容，可以在放电芯片一端，也可以在二端，还可以在反并联二极管两个支路上再按极性同向多个串接，即两单路可以是两只以上二极管极性同向串接，这样可以使总电容降得更低，以适应更高频率和更宽宽带的要求。
实用新型由于在放电芯片一端或二端串接有反并联二极管，不仅可以显著降低极间电容，使之既能适应高频、宽带通讯要求，也可以用于低频通讯，而且放电芯片原有抗浪涌电性能基本维保持不变，扩大了半导体抗浪涌器件使用范围，而且为高频、宽带通讯找到了理想保护器件。
以下结合几个具体实施例，进一步说明实用新型。
图1为实用新型第一实施例结构图。
图2为实用新型第二实施例结构图。
图3为实用新型第三实施例结构图。
具体实施方式
实施例1参见图1，实用新型半导体抗浪涌器件，有抗浪涌的固体放电芯片1，及一端串接的反并联二极管(未封装芯片)2.1和2.2组成，通过外加电极及封装即得到可直接应用的抗浪涌器件。
实施例2参见图2，如实施例1，在放电芯片另一端也串接有反并联二极管3。所述二极管为台面保护结构二极管。
实施例3参见图3，如前述，在反并联二极管二个支路上，分别按极性同向串接有二只二极管芯片。
权利要求1.一种半导体抗浪涌器件，包括一片抗浪涌的固体放电芯片，其特征在于所说固体放电芯片一端或二端串接有反并联二极管。
2.根据权利要求1所述半导体抗浪涌器件，其特征在于所说固体放电芯片二端串接有反并联二极管。
3.根据权利要求1或2所述半导体抗浪涌器件，其特征在于所说反并联二极管两个支路上有多个二极管同向串接。
4.根据权利要求3所述半导体抗浪涌器件，其特征在于所说二极管为未封装的芯片。
5.根据权利要求1或2所述半导体抗浪涌器件，其特征在于所说二极管为未封装的芯片。
6.根据权利要求1或2所述半导体抗浪涌器件，其特征在于所说二极管为台面保护结构。
7.根据权利要求4所述半导体抗浪涌器件，其特征在于所说二极管为台面保护结构。
专利摘要本实用新型涉及一种过电压保护用半导体抗浪涌器件，尤其是能适应高频、宽带通讯的半导体抗浪涌器件，其特征是固体放电芯片一端或二端串接有反并联二极管。实用新型半导体抗浪涌器件，不仅较已有技术可以显著降低极间电容，使之适应高频、宽带通讯要求，也可以用于低频通讯，扩大了半导体抗浪涌器件使用范围，而且放电芯片原有抗浪涌电性能基本得到保持不变，有效避免了因降低极间电容，而导致电性能的下降，使保护功能减弱的缺陷。
文档编号H02H9/04GK2646926SQ0327878
公开日2004年10月6日 申请日期2003年9月24日 优先权日2003年9月24日
发明者陈俊标, 王权 申请人:江苏东光微电子股份有限公司