包括具有复合载体的洛仑兹致动器的光刻设备的制作方法

专利名称：包括具有复合载体的洛仑兹致动器的光刻设备的制作方法
技术领域：
本发明主要涉及一种具有洛仑兹致动器的光刻设备以及一种洛仑兹 致动器。
背景技术：
光刻设备是一种将所需图案施加到衬底上、通常施加到衬底的目标部
分上的机器。光刻设备例如可用在集成电路(ic)制造中。这种情况下， 可替换地称作掩模或掩模版的图案形成装置可用于产生将形成在ic的单
层上的电路图案。该图案可被转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例 如包括部分管芯、 一个或几个管芯)上。图案的转移通常经由成像到提供 在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而进行。 一般，单个衬底将含有 连续被图案化的相邻目标部分的网络。常规光刻设备包括所谓的步进机，
其中每一个目标部分都通过一次将整个图案暴露到目标部分上来照射；和 所谓的扫描器，其中每个目标部分都通过在给定方向("扫描"方向)上穿 过辐射束扫描图案同时同步沿平行或反向平行该方向扫描衬底而照射。还 可以通过将图案印到衬底上而将图案从图案形成装置转移到衬底上。
上述类型的光刻设备釆用了多个致动器用于定位一部分设备。采用这 种致动器用于定位衬底台、 一部分辐射系统、 一部分照射系统或光刻设备 的任何其他部分。这样，需要高精确度的相对定位，这一般都借助于洛仑 兹致动器完成。
洛仑兹致动器包括导电元件诸如线圈以及磁体组件。该磁体组件产生 磁场，其与在导电元件中流动的电流相互作用，从而在垂直于电流和该点
处磁场方向的方向上在导电元件和磁体组件之间产生洛仑兹力。通常，磁 体组件包括在导电元件一侧或每一侧上的至少一组磁体以在导电体周围 产生近似均匀的磁场。磁体组件包括从一个磁体向另 一个磁体引导磁通量 的背铁(back iron)。背铁由具有高磁饱和度的材料制成且位于磁体的外侧。背铁通常较大以防止饱和且其构成了致动器质量的主要部分且是发动 机效率损耗的来源。
目前公知的短行程洛仑兹致动器使用背铁不只从一个磁体向另一个 磁体引导磁通量，而且还用作结构载体。对于该公知的背铁被构造成具有 粘合于其上的磁体的基本平坦的铁板。
但是，铁作为结构上的载体材料较重且导致较重的致动器，这将导致 较低的加速度且由此导致较低的生产量。而且，应当提高公知致动器的动 力性能和精确性。而且，当加热时由于发动机变热导致铁的膨胀也是不希 望的。

发明内容
希望至少部分地克服常规致动器的上述影响，或者提供一种可用的替 换方案。更特别地，希望提供一种具有洛仑兹致动器的光刻设备，该洛仑 兹致动器质量减小但不损失致动器性能。
根据本发明的实施例，提供了一种光刻设备，包括被构成为调整辐 射束的照射系统；被构成为支撑图案形成装置的支撑件，该图案形成装置 能够将图案在其截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束；保持衬底的衬 底台；投影系统，被构成为将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上； 和致动器，其被构造和设置为在该设备的第一和第二部分之间产生偏移力 (displacement force),从而相对于彼此偏移设备的第一和第二部分，该致 动器至少包括一第一磁体系统子组件，其连接到设备的第一和第二部分中 的一个，被构成为提供基本垂直于偏移力方向的磁场；和导电元件，其连 接到设备的第一和第二部分中的另一个且被设置在第一磁体子组件附近， 被构成为通过由导电元件运载的电流和磁场的相互作用产生偏移力，该第 一磁体子组件包括至少一组至少两个相邻设置的磁体，其被取向为使得其 磁极化基本彼此相反，和用磁通量引导材料制成且连接磁体的背块(back mass),用于引导其间的磁通量，其中第一磁体子组件还包括由非磁通量 引导材料制成的载体，该载体包括其中嵌入了至少一组背块和磁体的至少 一个凹槽。
在本发明的另一实施例中，提供了一种致动器，其被构造且设置成在设备的第一和第二部分之间产生偏移力，以相对于彼此偏移第一和第二装 置部分，该致动器包括至少第一磁体系统子组件，其连接到设备的第一 和第二部分中的一个，被构成为提供基本垂直于偏移力方向的磁场；和导 电元件，其连接到该设备的第一和第二部分中的另一个且被设置在第一磁 体子组件附近，被构成为通过由导电元件携带的电流和磁场的相互作用产 生偏移力，该第一磁体子组件包括至少一组至少两个相邻设置的磁体，其 被取向为使得其磁极化基本彼此相反，和由磁通量引导材料制成且连接磁 体的背块，以引导其间的磁通量，其中第一磁体子组件还包括由非磁通量 引导材料制成的载体，该载体包括其中嵌入了至少一组背块和磁体的至少 一个凹槽。 '


现在将仅借助于实例、参考示意性附图描述本发明的实施例，附图中 相应的附图标记表示相应的部分，且附图中-
图1描述出根据本发明实施例的光刻设备；
图2示出根据本发明实施例的洛仑兹致动器结构的示意性截面图，其 包括针对该结构计算的磁场线；
图3示出了如上设置的图2的那组背块和磁体的透视图； 图4示出了根据本发明实施例具有承载多组图3所示结构的复合载体
的磁体系统子组件；
图5示出了图4的载体；
图6示出了根据本发明实施例具有附加子载体的图4的磁体系统子组
件；
图7示出了根据本发明实施例设置成彼此相对的图6的两个磁体系统 子组件；
图8示出了图7的磁体组件的俯视图9示出了根据本发明实施例沿着图8中的线E-E的截面图； 图10示出了图9中细节F的放大图11示出了根据本发明另一实施例具有承载多组图3所示结构的复 合载体的磁体系统子组件；图12示出根据本发明另一实施例被设置成彼此相反的两个磁体系统 子组件。
具体实施例方式
图1示意性描述出根据本发明的一个实施例的光刻设备。该设备包 括被构成为调整辐射束B (例如UV辐射或者任何其他合适的辐射)的 照射系统(照射器)IL;支撑结构或支撑件或图案支撑件(例如掩模台)
MT，其被构造为支撑图案形成装置(例如掩模)MA并连接到被构成为 根据某些参数精确定位图案形成装置的第一定位装置PM。该设备还包括 衬底台(例如晶片台)WT或"衬底支撑件"，其被构造为保持衬底(例如 涂覆有抗蚀剂的晶片)W且被连接到被构成为根据某些参数精确定位衬 底的第二定位装置PW。该设备还包括投影系统(例如折射投影透镜系统) PS，其被构成为将通过图案形成装置MA赋予到辐射束B的图案投影到 衬底W的目标部分C (例如包括一个或多个管芯)上。该投影系统PS被 支撑在基准架RF上。
照射系统可以包括各种类型的光学部件，诸如折射、反射、磁性、电 磁性、静电或其他类型光学部件，或者其任意组合，用于导向、成形或控 制辐射。
支撑结构以取决于图案形成装置取向、光刻设备设计以及其他条件诸
如图案形成装置是否被保持在真空环境中的方式保持图案形成装置。支撑
结构可使用机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案形成装置。支撑
结构可以是框架或者是台，例如，根据需要其可是固定的或者是可移动的。 支撑结构可确保图案形成装置例如相对于投影系统处于所需位置。认为此
处任意使用的术语"掩模版"或"掩模"与更加上位的术语"图案形成装置" 同义。
在此使用的术语"图案形成装置"应当宽泛解释为涉及到能够用于将 图案在其截面赋予辐射束以便在衬底的目标部分中产生图案的任意装置。 应当注意，例如如果图案包括相移特征或者所谓的辅助特征，则赋予辐射 束的图案并非完全地对应于衬底目标部分中的所需图案。通常，赋予辐射 束的图案与在目标部分中形成的器件诸如集成电路中的特定功能层相对应。
图案形成装置可以是透射的或者是反射的。图案形成装置的实例包括
掩模、可编程反射镜阵列、和可编程LCD面板。掩模在光刻中是普遍公 知的，且包括掩模类型诸如二元、交替相移和衰减相移以及各种混合掩模 类型。可编程反射镜阵列的实例釆用小反射镜的矩阵布置，其每一个都能 单独倾斜以便在不同方向上反射入射辐射束。倾斜的反射镜将图案赋予由 反射镜矩阵反射的辐射束。
在此使用的术语"投影系统"应当宽泛解释为包括任意类型投影系统， 包括折射、反射、反射折射、磁性、电磁性和静电光学系统或其任意组合， 如适合于所使用的曝光辐射或其他因素诸如使用浸没液体或使用真空。在 此术语"投影透镜"的任何使用都被认为与更上位的术语"投影系统"同义。
如在此所描述的，该设备是透射型的(例如采用透射掩模)。替换地， 该设备可以是折射型的(例如采用如上所述类型的可编程反射镜阵列或采 用反射掩模)。
光刻设备可以是具有两个(双台)或多个衬底台或"衬底支撑件"(和 /或两个或多个掩模台或"掩模支撑件")的类型。在这种"多台"机器中， 附加的台或支撑件可并行使用或者在一个或多个台或支撑件上实施准备 步骤同时将其他台或支撑件用于曝光。
光刻设备也可以是其中至少部分衬底被具有相对高折射率的液体例 如水所覆盖，以便填充投影系统和衬底之间的空隙。浸没液体也可用于光 刻设备的其他空隙，例如掩模和投影系统之间的空隙。浸没技术可用于增 加投影系统的数值孔径。如在此使用的术语"浸没"意思不是结构诸如衬底 必须浸没在液体中，而是仅意味着在曝光期间液体位于投影系统和衬底之 间。
参考图1，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。例如当源是准分 子激光时，该源和光刻设备都是独立的实体。这种情况下，不会认为该源 形成光刻设备的部分且辐射束借助于束传送系统BD从源SO传送到照射 器IL，该束传送系统BD包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器。在 其他情况下，例如当该源是汞灯时，该源可以是光刻设备的主要部分。源 SO和照射器IL以及如果需要与束传送系统BD —起被称作辐射系统。照射器IL可以包括被构成为调整辐射束角强度分布的调整器AD。 通常，可以调整照射器光瞳平面中强度分布的至少外部和/或内部的径向
范围(通常被分别称作o-外部和(j-内部)。此外，照射器IL可包括各种 其他部件，诸如积分器IN和聚光器CO。该照射器可用于调整辐射束， 以具有所需的均匀度以及其截面中的强度分布。
辐射束B入射到图案形成装置(例如掩模)MA上，该图案形成装置 被保持在支撑结构(例如掩模台)MT上，且被图案形成装置图案化。通 过横向的图案形成装置(例如掩模)MA之后，辐射束B穿过投影系统 PS，其将辐射束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位装置PW 和位置传感器IF (例如干涉量度器件、线性编码器或电容性传感器)，衬 底台WT能够精确移动，例如以便在辐射束B的路径中定位不同目标部 分C。相似地，例如在自掩模库机械获取之后或者在扫描期间，第一定位 装置PM和另一位置传感器(其没有在图1中明确描述)能用于相对于辐 射束B的路径精确定位图案形成装置(例如掩模)MA。通常，支撑结构 (例如掩模台)MT的移动可借助于长行程驱动模块(粗定位)和短行程 模块(精细定位)实现，这两个模块形成第一定位装置PM的一部分。相 似地，衬底台WT或者"衬底支撑件"的移动可使用长行程模块和短行程模 块实现，这两个模块形成了第二定位器PW的一部分。在步进机(与扫描 器相对)的情况下，支撑结构(例如掩模台)MT可仅仅连接到短行程致 动器，或者可以是固定的。
长行程驱动模块LS可通过平面电动机移动，例如如WO 01 / 18944 中描述的。磁体板MP被固定到光刻设备的机械框架，且长行程驱动模块 LS提供有当通过线圈SP1发送电流时产生力的第一组线圈SP1。该力能 够浮动和沿着磁体板MP移动长行程驱动模块LS。借助于洛仑兹致动器 相对于长行程模块驱动LS移动衬底台WT，该洛伦兹致动器包括第二线 圈SP2和磁体MS。如果通过第二线圈SP2发送电流，则在长行程驱动模 块LS和提供到衬底台WT的磁体MS之间产生力，以精细定位衬底台 WT。衬底台WT能够相对于长行程驱动模块LS在高达六个自由度(X、 Y、 Z、 RZ、 RY和RX)上移动。
图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W可使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、 P2对准。尽管如所示出的衬底对准标记占据了
专用的目标部分，但是其可位于目标部分之间的间隙中(这些公知为划线 对准标记)。相似地，在其中多于一个管芯提供在图案形成装置(例如掩
模)MA上的情况下掩模对准标记可位于管芯之间。 所描述的装置可用在以下模式中的至少一个中
1. 在步进模式中，支撑结构(例如掩模台)MT或者"掩模支撑件"和 衬底台WT或者"衬底支撑件"实质上被保持固定，同时赋予辐射束的整个 图案被一次投影到目标部分C上(即单一静态曝光)。衬底台WT或者"衬 底支撑件"此时在X和/或Y方向上被移位，以便能对不同的目标部分C 进行曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一静态曝光中成 像的目标部分C的尺寸。
2. 在扫描模式中，支撑结构(例如掩模台)MT或"掩模支撑件"和衬 底台WT或"衬底支撑件"被同步扫描，同时赋予辐射束的图案被投影到目 标部分C上(即单一动态曝光)。衬底台WT或"衬底支撑件"相对于支撑 结构(例如掩模台)MT或"掩模支撑件"的速度和方向可通过投影系统PS 的放大(縮小)率和图像反转特性确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺 寸限制了在单一动态曝光中目标部分的宽度(在非扫描方向上)，然而扫 描移动的长度确定了目标部分的高度(在扫描方向上)。
3. 在另一模式中，用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩 模台)MT或者"掩模支撑件"实质上被保持固定，且衬底台WT或"衬底 支撑件"被移动或扫描，同时赋予辐射束的图案被投影到目标部分C上。 在这种模式中，通常，采用脉冲辐射源，并在每一次移动衬底台WT或"衬 底支撑件"之后或者在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新可编 程图案形成装置。这种操作模式能够易于用于利用了可编程图案形成装置 诸如如上所述类型的可编程反射镜阵列的无掩模光刻。
也可采用对上述模式的组合和/或变形，或完全的不同模式。 图2示出了根据本发明实施例的致动器的截面图。图3中以透视图局 部示出了相同致动器。使用中，该致动器在第一方向(或其相反方向)上 产生力，其可用于驱动短行程驱动模块用于定位支撑结构(例如掩模台) MT或衬底台WT或透镜元件或晶片夹具。在图2中，该第一方向是图中平面内的水平方向。该致动器包括第一磁体子组件1、第二磁体子组件11
(图1中的MS)和线圈21 (图1中的SP2)。第一和第二磁体子组件l、 11在垂直于第一方向的第二方向上限定了其间的间隙。线圈21位于该间隙中。
第一和第二磁体子组件1、 11的组合形成了安装到将由致动器驱动的
衬底台WT或支撑结构(例如掩模台)MT上的磁体组件。线圈21安装 在长行程模块(未示出)上，或者，在不具有长行程模块(如上所述)的 晶片步进机设备的支撑结构(例如掩模台)MT的情况下，安装在设备的 固定部分(或者框架或基座)上。
尽管磁体组件可替换地安装在衬底台或掩模台上的长行程模块和线 圈上，但是由于本结构利于向线圈供电和冷却因此其是优选的。
第一磁体子组件1包括第一磁体2和第二磁体7。第二磁体子组件11 相应地具有第一磁体12和第二磁体17。在优选的布置中，磁体是永久磁 体。
磁体子组件l、 11中的每一个都分别具有背块6、 16。在每一个子组 件l、 11中，背块6、 16位于向着限定在磁体子组件1、 ll之间的间隙的 磁体的另一侧上。背块6、 16在其子组件1、 11中分别连接每一个磁体2、 7和12、 17且优选分别整体覆盖磁体2、 7和12、 17的表面。背块6、 16 优选在远离磁体子组件1、 11之间的间隔方向上至少部分地为锥形。背块 6、 16优选由CoFe形成，但是也可由任何其他磁性材料制成。
具有两侧21a和21b (于图2中示出)的线圈21 (图1中的SP2)位 于磁体子组件1、 11 (图1中的MS)之间且包括正交循环绕组(orthocyclic winding)。也可以是其它类型线圈，比如箔线圈。线圈21被设置成在其 位于第一和第二磁体子组件l、 ll之间的位置处，构成该线圈的导线同时 垂直于如上限定的第一和第二方向。如图2a中所示，在垂直于图中平面 的方向上定向导线。
定向在第一和第二磁体子组件1、 11中的磁体，以使第一磁体子组件 1中的第一磁体2的磁性极化平行于第二磁体子组件11的第一磁体12的 磁性极化且在垂直于如上所限定的第一方向的方向上，即垂直于由致动器 生成的力的方向。优选定向第二磁体7、 17以使其磁性极化相互平行且与第一磁体2、 12的磁性极化反向平行。还可以使用以小角度磁化的磁体结
构。而且，使用霍尔巴赫磁体(Hall-bach magnet)来加强磁场也是一种 选择。
如图2中所示的该结构产生的磁场包括在两对磁体之间的近似均匀 磁场区域。线圈21a、 21b的两侧位于这些区域中。当电流通过线圈21 时，流过线圈21两侧的电流方向相反。所以，由于在线圈21a、 21b两侧 所在的两个区域中的磁场方向也是相反的，因此施加到线圈21两侧上的 力处在相同方向上(垂直于磁场和电流)。
图2中，每一个磁体子组件还包括由非引导磁通量材料制成的载体 25。这样，该组背块6和磁体2、 7嵌入到载体25中的凹槽26中。载体 25在背块6背面侧延伸，还沿着背块6和磁体2、 7的侧壁部分向上延伸 直到与磁体2、 7的前表面相齐。由于磁体2、 7嵌入到载体25中，且由 于载体25由非磁通量引导材料制成，因此可以使用在磁体2、 7周围的可 获得的间隙作为载体结构。磁体2、 7和背块6的刚性对载体结构的刚性 有贡献。该设计导致致动器较高的固有频率。具有嵌入的背块6和磁体2、 7的载体25的子组件形成刚性结构。该刚性结构可以使得载体25由重量 轻材料制成。特别是相对于其中背块也需要实施载体功能且由此需要被构 成为很大的现有实施例的情况，这节省了重量。根据本发明的实施例，背 块6仅需要覆盖磁体2、 7，且由此能被制作得很薄。再者，这节省了重 量，这导致了更高的可能加速度且由此导致更高的可能生产量。而且，相 当大地提高了动态性能和精确度。
优选地，载体由纤维增强塑料材料制成，特别是由碳纤维增强环氧树 脂材料或者陶瓷如碳化硅(SiC)或者氧化铝(A1203)制成。这提供结合 有合理成本的高刚度。纤维可以通过在特定方向上将其单向设置在塑料材 料中在所需方向上优化刚度。在实施例中，载体由具有密度低于背块材料 的材料制成。而且可以由具有低热膨胀系数的材料制造载体。这导致由于 致动器热负载造成的变形较小，否则该变形将导致重叠损耗(overlay loss)。
由于背块现在仅仅位于那里用于将磁通量从一个磁体引导向另一个 相邻磁体，且不是必须实施载体功能，因此可以使用对于引导磁通量较优的材料，诸如钴铁。其引导磁通量优于常规铁高达20%。反之这可以使 得背块甚至更薄，并节省背块材料，从而导致更轻的致动器，导致更高的 生产量。例如，可实现具有高于固有频率几乎百分之30的重量轻了多于
百分之30的轻质致动器。由于背块仅需要覆盖其磁体，且不必须采用载
体的不利形状，因此钴铁更难定形的事实不再是问题。
在本发明的实施例中，每一组背块和磁体都粘结到载体中其相应的凹 槽中。这提供了简单且可靠的连接。而且，胶水能够充满凹槽壁和该组背 块和磁体之间的整个间隙，由此使得整个磁体组件刚度更好。
在连接至其的多组背块和磁体被定位成相互相邻和/或相互接近的 情况下，本发明的实施例特别有益。应当理解，由于载体由非通量引导材
料制成，这些组相互不短路。其实例于图4一10中示出。在这些图中，示 出了其中将如图3中所示的背块6和磁体2、 7的三个双组嵌入到复合板 形载体41中的各个凹槽40中的磁体子组件的实施例。这样，沿着等腰三 角形各个等分线43设置双组1中的每一个。载体41也由非磁通量引导材 料制成。凹槽40被定形成与该组背块和磁体的形状互补，特别是使得限 定凹槽40界限的载体壁部分覆盖在磁体2、7的整个高度上侧表面的较大 部分直到与磁体前表面平齐。凹槽40还使得载体材料也覆盖该组背块和 磁体的背面侧。
在此，复合载体与嵌入到其中的背块和磁体一起，有利地形成了可靠 且刚性的结构，其被构造和设置成保持磁体和背块的独立封装。使用这种 类型的载体导致具有较高固有频率的结构，其直接涉及到晶片台、质量台 或设备的其它部分的定位的精确度。这导致在制造工艺期间设备更好的重 叠性能。
图6示出了也包括板状子载体60的子组件，该子载体60覆盖在其中 具有嵌入的背块6和磁体2、 7的组的载体41前侧的大部分。子载体也由 非磁通量引导材料制成，优选与制成载体的材料相同的材料，也就是说， 纤维增强塑料材料，尤其是碳纤维增强环氧树脂材料。子载体60具有为 子组件增加刚度的益处。
可准各向同性或单向地取向载体和/或子载体的纤维，例如沿着三角 形子组件各个等分线43或者垂直于这些等分线。图7示出了与图6中示出的子组件相对应的第一和第二磁体子组件
70、 71的完整组件。在两个子组件之间，提供中心星形间距保持器72 (见 图4)。而且，在三角形子组件70、 71拐角上，设置连接块74，该连接 块74与各个载体中的界面75 —起能够相互连接子组件而不需在载体中提 供螺纹。
本发明的另一实施例的实例于图11一12中示出。在这些图中，示出 了其中图3中示出的三个双组的背块和磁体嵌入到复合板状载体41中的 各个凹槽40中的磁体子组件的实施例。这样，双组l中的每一个都沿着 三角形的每条边设置。载体41也由非磁通量引导材料制成。图12示出了 第一和第二磁体子组件70、 71的完整组件。
除了所示出的实施例之外，很多变形也是可以的。例如，致动器的多 个部分可以具有不同形状。在载体中的凹槽可嵌入背块和/或磁体的更大 或更小部分。以另一种方式例如借助于形成连接将该组背块和磁体与载体 连接也是可以的。载体也可由另一种非磁通量引导材料制成，例如陶瓷材 料如SiC或者Al203或具有金属硬度的碳纤维增强环氧树脂材料。纤维增 强变形体纤维也可由另一种材料制成，例如玻璃纤维、凯夫拉尔(Kevlar) 纤维、高强度纤维或者高模量纤维。
除了在光刻设备中的使用之外，根据本发明实施例的致动器也可用于 其它目的，例如拾取和设置应用、引线键合、E-束应用、电子显微镜等。 而且，致动器也可用在线性驱动型洛仑兹致动器、和单面致动器中，其中 根据本发明的两个相对的磁体(北和南)相互相邻地设置在嵌入到载体中 的背块中，且其中磁通量从一个磁体向另一个磁体弯曲。
尽管在本文中对制造IC中光刻设备的使用作出具体参考，但是应当 理解，在此描述的光刻设备可以具有其他应用，例如制造集成光学系统、 用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、 薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在这种替换应用的范围内，在此的 术语"晶片"或"管芯"的任何使用都应认为分别与更上位的术语"衬底"或 "目标部分"同义。在此涉及的衬底可在曝光之前或之后被处理，例如在轨 道系统(track)(—种通常施加抗蚀剂层至衬底并显影所曝光的抗蚀剂的 工具)中、度量工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，此处的公开可应用到这种或其它衬底处理工具中。而且，例如为了产生多层IC，衬 底可被处理多于一次，以使在此使用的术语"衬底"也可表示已经含有多 个被处理层的衬底。
尽管以上在光刻的情况中己经作出使用本发明实施例的具体参考，但 是应当理解，本发明可用于其它应用如压印光刻，只要情况允许就不限于 是光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的拓扑定义了形成在衬底上的图 案。图案形成装置的拓扑可被印刷到提供到衬底的抗蚀剂层中，其上通过 施加电磁辐射、加热、加压或其组合固化抗蚀剂。在固化抗蚀剂之后，移 除图案形成装置，并在抗蚀剂中留下图案。
在此使用的术语"辐射"和"束"包括所有类型的电磁辐射，包括紫外线
(UV)辐射(例如具有为或约365、 248、 193、 157或126nm的波长)和 极紫外线(EUV)辐射(例如具有在5—20nm范围的波长)以及粒子射 束诸如离子束或电子束。
上下文允许之处的术语"透镜"涉及各种类型光学部件中的任一个或 其组合，包括折射、反射、磁性、电磁和静电光学部件。
虽然以上已经描述了本发明的实施例，但是将理解，可以以除所描述 以外的方式实施本发明。
上述描述为说明性的，而不是限制性的。由此，本领域技术人员将明 白，可在不偏离所附的权利要求的范围的情况下，对如所述的本发明作出 改进。
权利要求
1.一种光刻设备，包括照射系统，被构成为调整辐射束；支撑件，被构造为支撑图案形成装置，该图案形成装置能够将图案在其横截面中赋予辐射束以形成图案化的辐射束；衬底台，被构造为保持衬底；投影系统，被构成为将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；致动器，被构造且设置成在第一和第二部分之间产生偏移力，以相对彼此设置第一和第二部分，该致动器包括第一磁体子组件，其连接到第一和第二部分，且被构成为在基本垂直于偏移力的方向上提供磁场；和导电元件，其连接到第一和第二部分中的另一个且被设置在第一磁体子组件附近，且被构成为通过由导电元件携带的电流与磁场的相互作用产生偏移力，第一磁体子组件包括至少一组的至少两个相邻设置的磁体和背块，所述磁体被取向为使得它们的磁体极化基本彼此相反，所述背块由磁体通量引导材料制成且连接磁体以引导其间的磁通量，其中第一磁体子组件包括由非磁通量引导材料制成的载体，该载体包括其中嵌入了至少一组背块和磁体的至少一个凹槽。
2. 如权利要求1的光刻设备，其中载体包括其中设置了至少一个凹槽 的板。
3. 如权利要求1的光刻设备，其中所述至少一组背块和磁体由至少覆 盖磁体的一部分侧表面的载体壁部分确定界限。
4. 如权利要求1的光刻设备，其中所述至少一组背块和磁体由至少基 本在其整个高度上覆盖磁体的一部分侧表面的载体壁部分确定界限。
5. 如权利要求1的光刻设备，其中所述至少一组背块和磁体由基本上 延伸到磁体前表面的载体壁部分确定界限。
6. 如权利要求1的光刻设备，其中所述至少一组背块和磁体由至少覆 盖磁体多于一半的侧表面的载体壁部分确定界限。
7. 如权利要求1的光刻设备，其中载体被构成为覆盖至少一组背块和 磁体的至少一部分背面侧。
8. 如权利要求1的光刻设备，其中载体由纤维增强塑料材料制成。
9. 如权利要求8的光刻设备，其中载体由碳纤维增强环氧树脂材料制成。
10. 如权利要求1的光刻设备，其中背块具有基本上与背块连接的磁 体的背面侧相对应的尺寸。
11. 如权利要求1的光刻设备，其中背块由钴铁制成。
12. 如权利要求1的光刻设备，其中载体被构成为承载至少三组背块 和磁体，每一组都沿着等腰三角形各个等分线设置。
13. 如权利要求1的光刻设备，其中该组背块和磁体被粘结到载体凹槽。
14. 如权利要求1的光刻设备，其中背块被粘附到其连接的磁体。
15. 如权利要求1的光刻设备，其中致动器包括子载体，该子载体被 构成为基本覆盖载体前侧和所述至少一组背块和磁体。
16. 如权利要求15的光刻设备，其中子载体由纤维增强塑料材料制成。
17. 如权利要求16的光刻设备，其中子载体由碳纤维增强环氧树脂材 料制成。
18. 如权利要求16的光刻设备，其中子载体由陶瓷材料如碳化硅(SiC)制成。
19. 如权利要求16的光刻设备，其中子载体由陶瓷材料如氧化铝 (A1203)制成。
20. 如权利要求16的光刻设备，其中子载体由具有金属硬度的碳纤维 增强环氧树脂材料制成。
21. 如权利要求1的光刻设备，其中致动器还包括第二磁体子组件， 该导电元件置于第一和第二磁体子组件之间。
22. 如权利要求1的光刻设备，其中导电元件是线圈。
23. 如权利要求1的光刻设备，其中第一部分连接到衬底台或者支撑 件且第二部分连接到长行程模块或框架。
24. —种致动器，其被构造且被设置成在第一和第二部分之间产生偏移力，从而相对于彼此偏移第一和第二部分，该致动器包括第一磁体子组件，其连接到第一和第二部分中的一个，且被配置为提供基本垂直于偏移力方向的磁场；导电元件，其连接到第一和第二部分中的另一个，且被设置在第一磁体子组件附近，并且被构成为通过由导电元件携带的电流和磁场的相互作用产生偏移力，第一磁体子组件包括至少一组的至少两个相邻设置的磁体和背块，该 磁体被取向为使得其磁性极化基本上彼此相反，该背块由磁性通量引导材 料制成且连接磁体，以引导其间的磁通量，其中第一磁体子组件包括由非磁通量引导材料制成的载体，该载体包 括其中嵌入了至少一组背块和磁体的至少一个凹槽。
全文摘要
本发明公开了一种具有复合载体的洛仑兹致动器以及具有该致动器的光刻设备，该致动器被构成为在第一和第二部分之间产生偏移力，以相对彼此偏移第一和第二部分。该致动器包括第一磁体子组件，其连接到第一和第二部分之中的一个；和导电元件，其连接到第一和第二部分中的另一个，且被设置在第一磁体子组件附近。该第一磁体子组件包括至少一组的至少两个相邻设置的磁体，其被取向成使得其磁性极化基本上彼此相反；和由磁通量引导材料制成且连接磁体的背块，以引导其间的磁通量。该第一磁体子组件包括由非磁通量引导材料制成，该载体包括其中嵌入至少一组背块和磁体的至少一个凹槽。
文档编号H02K41/03GK101408735SQ200810179919
公开日2009年4月15日 申请日期2008年9月26日 优先权日2007年9月26日
发明者M·A·H·特肯, P·M·H·沃斯特斯 申请人:Asml荷兰有限公司