专利名称：一种变频调速器主结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及变频调速器，具体是一种变频调速器的主结构。
技术背景 目前，变频调速器通常包括整流器、逆变器和直流部分，其中，整流器将输入的交 流电转换成直流电，逆变器将直流电再转换成所需频率的交流电，有的变频器还可能包括 变压器和电池，其中，变压器用来改变电压并可以隔离输入\输出的电路，电池用来补偿变 频器内部线路上的能量损失。市场上出现的变频调速器都是将整流器成串联排放，主回控 电容并排安装在电容底板上，这样放置不仅占用空间过大，导致同功率的变频调速器体积 庞大，而且安装在大功率的变频调速器中容易导致增大主电路直流母排的电感量，导致因 电感产生高压冲穿IGBT，降低了系统可靠性
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种结构合理，安装维修方便，而且避 免通过直流母排的电感量，避免因电感产生高压冲穿IGBT，增强了系统可靠性的变频调速 器主结构。 本实用新型为解决技术问题采用的技术方案是， —种变频调速器主结构，将主结构中的整流器并联放置，其特征在于所述整流器 的主回控电容平均分成三部份，分别作用了 UVW三相，縮短电容与底下IGBT正负之间的间 距。 在所述每个主回控电容的底座上均安装卡箍，所述的卡箍将主回控电容和电容底 板紧紧的连接在一起，构成了电容底座。 所述的电容底座可以在未安装在变频调速器上时是预先应力组装，大大简化了安 装程序，方便操作。 如上所述在主结构的尾端设置有三个并排排列的整流可控硅接近输入端子，同时 与正负母排极为接近，这样就减小主电路直流母排的电感量，避免了因电感产生高压冲穿 IGBT，增加了系统可靠性。 本实用新型产生的有益效果是，由于采用了分组结构，使得安装维护方便，而且还 极大的縮小产品体积，提高了产品内腔的空间利用率。
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步说明 如图1所示，一种变频调速器主结构l，包括电容底座2，整流器11并联放置，其主回控电容平均分成三部份，分别作用了UVW三相，縮短电容与底下IGBT正负之间的间距。每 一部分分别安装四个主回控电容，在每个主回控电容的尾端上均安装卡箍21，卡箍21内部 设置有螺钉，这样卡箍21穿过电容底板22将主回控电容和电容底板22紧紧的拧紧连接在 一起后共同构成了电容底座2。 其中电容底座2可以在未安装在变频调速器前时是预先应力组装，大大简化了安 装程序，方便操作。 在主结构的尾端设置有三个并排排列的整流可控硅接近输入端子3，同时与正负 母排极为接近，这样就减小主电路直流母排的电感量，避免了因电感产生高压冲穿IGBT，增 加了变频调速器的系统可靠性。 以上显示和描述了本实用新型的基本原理和技术特征和主要优点。本行业的技术 人员能够了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说 明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种 变化和改进，这些变化和改进都应落入要求保护的本实用新型的范围内。本实用新型要求 保护的范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
权利要求一种变频调速器主结构，将主结构中的整流器并联放置，其特征在于所述整流器的主回控电容平均分成三部份，分别作用了UVW三相，缩短电容与底下IGBT正负之间的间距。
2. 根据权利要求1所述变频调速器主结构，其特征在于所述每个主回控电容的底座 上均安装卡箍，卡箍将主回控电容和电容底板紧紧的连接在一起，构成了电容底座。
3. 根据权利要求1所述变频调速器主结构，其特征在于主结构的尾端设置有三个并 排排列的整流可控硅接近输入端子，同时与正负母排极为接近，这样就减小主电路直流母 排的电感量。
专利摘要一种变频调速器主结构，涉及变频调速器，将主结构中的整流器并联放置，其特征在于所述整流器的主回控电容平均分成三部份，分别作用了UVW三相，缩短电容与底下IGBT正负之间的间距。所述每个主回控电容的底座上均安装卡箍，并在主结构的尾端设置有三个并排排列的整流可控硅接近输入端子，同时与正负母排极为接近，这样就减小主电路直流母排的电感量，避免了因电感产生高压冲穿IGBT，增加了系统可靠性。产生的有益效果是，由于采用了分组结构，使得安装维护方便，而且还极大的缩小产品体积，提高了产品内腔的空间利用率。
文档编号H02P27/06GK201436781SQ20092006801
公开日2010年4月7日 申请日期2009年2月24日 优先权日2009年2月24日
发明者陈国成 申请人:上海雷诺尔电气有限公司