专利名称：一种大电流mosfmt器件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种大电流MOSFMT器件。
背景技术：
在直流无刷多相电机的驱动和控制器设计中，大电流MOSFMT器件多使用TO. 220 封装的MOSFMT管并联并排连接方式安装在陶瓷PCB线路板上。MOSFMT管分为上、下桥臂管， 电源线和电机线之间并联的MOSFMT称做上桥臂管，电源地线和电机线之间并联的MOSFMT 称做下桥臂管，上下桥臂管串成一线焊接在陶瓷PCB上，MOSFMT管的散热片成一平面压紧贴在散热器上。并联的上桥臂管的源极连接并联的下桥臂管的漏极；由于上、下桥臂管一般各由多封装的MOSFMT管并联而成，现有技术中一般来说，MOSFMT管安装在陶瓷PCB板一侧， 把MOSFMT管的散热片贴在陶瓷PCB板侧面的铝散热器上，用螺钉固定，加工和更换都比较麻烦；MOSFMT管并联密植连接方式时，存在安装压紧固定、有效散热和抗电磁干扰的问题。
实用新型内容本实用新型为了解决直插型的MOSFMT器件并联密植连接方式时，存在的上述问题，在经过对现有方式和应用做过详细分析，对现有技术中MOSFMT管的安装连接方式做出重大改进，具体技术方案如下一种大电流MOSFMT器件，包括陶瓷PCB线路板，陶瓷PCB线路板上设置有MOSFMT 管、第一高压开关电路PM0SFET、第二高压开关电路NM0SFET、第一电平位移电路，第二电平位移电路，第一分压电路，第二分压电路、电容和电阻；MOSFMT管分为上、下桥臂管，采用串联密植方式安装在陶瓷PCB线路板上，所述MOSFMT管的散热片与所述MOSFMT管的散热器是采用相同的材料一体成型；所述MOSFMT管包括一半导体衬底；第一型掺杂阱，位于所述半导体衬底上；高浓度第一型掺杂的漏极接触区，位于所述第一型掺杂阱中；第二型掺杂阱，位于所述半导体衬底上；第二型基区，位于所述第二型掺杂阱中，掺杂深度比所述第二型掺杂阱浅；高浓度第一型掺杂的源极区，位于所述第二型基区中；栅极区，和所述第一型掺杂阱和第二型基区部分重叠；以及场氧区，位于栅极区和漏极接触区之间；其中，位于栅极区下方的第二型基区中的沟道呈水平结构。所述的大电流MOSFMT器件，其中，所述散热器是“M"型散热器，MOSFMT管设在“M” 型散热器相邻的栅之间。所述的大电流MOSFMT器件，其中，所述上桥臂管包括1 5个MOSFMT管；下桥臂管包括2—7个MOSFMT管。所述的大电流MOSFMT器件，其中，所述散热片与散热器采用相同的材料是陶瓷或铝基。本实用新型结构通过铝型材散热器使MOSFMT管设在陶瓷PCB上达到密植并联方式，并用固定装置使MOSFM管密贴在型材上，加工简单，而且有效解决安装压紧固定和散热的问题。采用2个“M”型散热器时，在上、下桥臂管所在的两个“M”型散热器之问还留出电容的安装位置，使陶瓷PCB上印制线的走线距离短，高、低电压分离；解决了电磁干扰问题。在驱动开关组件高压PM0SFET和高压NM0SFET的主通道上用稳压二极管代替传统高压 MOSFET驱动电路中的三极管，大大的减小了整个驱动电路的静态功耗；而且直接用电阻分压的方式保证驱动开关组件高压PM0SFET和高压NM0SFET它们的栅源极间电压不超过最大栅源极间电压值，既可以保证最大栅源极间电压的限制，还可以有效的降低整个电路的负载调整率。
图1是本实用新型实施例的正视图；图2是本实用新型实施例的侧视图。
具体实施方式
以下结合附图和实例对本实用新型进一步说明。如图1、图2所示，一种大电流MOSFMT器件，包括陶瓷PCB线路板4，陶瓷PCB线路板4上设置有MOSFMT管2、第一高压开关电路PM0SFET、第二高压开关电路NM0SFET、第一电平位移电路，第二电平位移电路，第一分压电路，第二分压电路、电容和电阻；MOSFMT 管分为上、下桥臂管，采用串联密植方式安装在陶瓷PCB线路板上，所述MOSFMT管的散热片与所述MOSFMT管的散热器是采用相同的材料一体成型；所述MOSFMT管包括一半导体衬底；第一型掺杂阱，位于所述半导体衬底上；高浓度第一型掺杂的漏极接触区，位于所述第一型掺杂阱中；第二型掺杂阱，位于所述半导体衬底上；第二型基区，位于所述第二型掺杂阱中，掺杂深度比所述第二型掺杂阱浅；高浓度第一型掺杂的源极区，位于所述第二型基区中；栅极区，和所述第一型掺杂阱和第二型基区部分重叠；以及场氧区，位于栅极区和漏极接触区之间；其中，位于栅极区下方的第二型基区中的沟道呈水平结构。所述的大电流MOSFMT器件，其中，所述散热器是“M"型散热器，MOSFMT管设在“M” 型散热器相邻的栅之间。所述的大电流MOSFMT器件，其中，所述上桥臂管包括1 5个MOSFMT管；下桥臂管包括2—7个MOSFMT管。所述的大电流MOSFMT器件，其中，所述散热片与散热器采用相同的材料是陶瓷或铝基。MOSFMT管2的散热片上贴有散热器。所述MOSFMT管2的散热片贴在散热器对应的面上用“A，型卡簧3卡紧，使散热片密贴在散热器对应的面上，达到很好的导热效果。所述散热器是“M，型铝型材散热器，MOSFMT管2设在“M”型散热器1相邻的栅之间。本实用新型结构通过铝型材散热器使MOSFMT管设在陶瓷PCB上达到密植并联方式，并用固定装置使MOSFM管密贴在型材上，加工简单，而且有效解决安装压紧固定和散热的问题。采用2个“M”型散热器时，在上、下桥臂管所在的两个“M”型散热器之问还留出电容的安装位置，使陶瓷PCB上印制线的走线距离短，高、低电压分离；解决了电磁干扰问题。 上述电容5是电解电容。在驱动开关组件高压PM0SFET和高压NM0SFET的主通道上用稳压二极管代替传统高压MOSFET驱动电路中的三极管，大大的减小了整个驱动电路的静态功耗；而且直接用电阻分压的方式保证驱动开关组件高压PM0SFET和高压NM0SFET它们的栅源极间电压不超过最大栅源极间电压值，既可以保证最大栅源极间电压的限制，还可以有效的降低整个电路的负载调整率。 应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换， 而所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。
权利要求1.一种大电流MOSFMT器件，其特征是，包括陶瓷PCB线路板，陶瓷PCB线路板上设置有MOSFMT管、第一高压开关电路PM0SFET、第二高压开关电路NM0SFET、第一电平位移电路， 第二电平位移电路，第一分压电路，第二分压电路、电容和电阻;MOSFMT管分为上、下桥臂管，所述MOSFMT管的散热片与所述MOSFMT管的散热器是采用相同的材料一体成型；所述 MOSFMT管包括一半导体衬底；第一型掺杂阱，位于所述半导体衬底上；高浓度第一型掺杂的漏极接触区，位于所述第一型掺杂阱中；第二型掺杂阱，位于所述半导体衬底上；第二型基区，位于所述第二型掺杂阱中，掺杂深度比所述第二型掺杂阱浅；高浓度第一型掺杂的源极区，位于所述第二型基区中；栅极区，和所述第一型掺杂阱和第二型基区部分重叠；以及场氧区，位于栅极区和漏极接触区之间；其中，位于栅极区下方的第二型基区中的沟道呈水平结构。
2.根据权利要求1所述的大电流MOSFMT器件，其特征是，所述散热器是“M"型散热器，MOSFMT管设在“M”型散热器相邻的栅之间。
3.根据权利要求1所述的大电流MOSFMT器件，其特征是，所述上桥臂管包括1 5个 MOSFMT管；下桥臂管包括2—7个MOSFMT管。
4.根据权利要求1所述的大电流MOSFMT器件，其特征是，所述散热片与散热器采用相同的材料是陶瓷或铝基。
专利摘要本实用新型公开了一种大电流MOSFMT器件，包括陶瓷PCB线路板，陶瓷PCB线路板上设置有MOSFMT管、电容和电阻；MOSFMT管分为上、下桥臂管，采用串联密植方式安装在陶瓷PCB线路板上，所述MOSFMT管的散热片与所述MOSFMT管的散热器是采用相同的材料一体成型；所述MOSFMT管的散热片与散热器是采用相同的材料一体成型本实用新型结构通过铝型材散热器使MOSFMT管设在陶瓷PCB上达到密植并联方式，并用固定装置使MOSFM管密贴在型材上，加工简单，而且有效解决安装压紧固定和散热的问题。
文档编号H02P6/00GK202307892SQ20112042670
公开日2012年7月4日 申请日期2011年10月31日 优先权日2011年10月31日
发明者丁杰, 王金 申请人:深圳市锐骏半导体有限公司