专利名称：电流采样保持电路以及包括其的显示器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及电路，尤其涉及一种对初始图像-信号电流进行采样和保持的采样保持电路。尽管本发明适用于宽范围的应用，其尤其适于简化电路结构。
背景技术：
通常，有机发光二极管为有源发光元件，其通过电子和空穴的复合而发光。包括有机发光二极管的有机发光显示器件用于壁挂式电子设备或者便携型电子设备。与诸如液晶显示器等需要单独光源的无源发光器件相比，有机发光显示器件具有快速的响应时间，低的直流驱动电压和薄的外形。
有机发光显示器(OLED)利用像素发射不同类型的颜色。各像素包括一起用于发射颜色的红、绿和蓝子像素。这样，可以一起使用所有像素以显示图像。
可以根据其驱动方法对OLED分类，诸如无源矩阵型OLED(PMOLED)和有源矩阵型OLED(AMOLED)，有源矩阵型OLED在各子像素中使用薄膜晶体管(TFT)。AMOLED驱动方法又被再分类为电流驱动方法、电压驱动方法和数字驱动方法。电流驱动方法还进一步分为电流源型驱动方法和电流阱型驱动方法。电流阱型AMOLED通常包括采样和保持初始图像信号电流的采用保持电路，并且将输入图像信号电流汇入(sink)到OLED的数据线。
图1示出了现有技术采样保持电路的电路图。参照图1，现有技术的采样保持电路10通过两条数据线12连接到包括第一、第二、第三和第四TFT P1到P4以及两个电容Cst和Cboost的子像素电路14。第一到第四TFT P1到P4为p沟道金属氧化物半导体(PMOS)TFT。像素电路14进一步包括分别施加选择扫描信号“select[m]”、引导扫描信号“boost[m]”和发射扫描信号“emit[m]”的第一、第二和第三扫描线。尽管图1只示出了一个采样保持电路10、一条数据线12和一个子像素电路14，通常，OLED包括通过数据线连接到多个子像素的多个采样保持电路。这里为了便于说明，图1只是简化的电路。
现有技术的采样保持电路10包括六个晶体管和电容Chold。在六个晶体管中，第一晶体管M1、第二晶体管M2、第四晶体管M4、第五晶体管M5和第六晶体管M6为p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，而第三晶体管M3为n沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。采样/保持信号“A”可以同时施加到第二、第四和第五晶体管M2、M4和M5的栅极，并且存储信号“B”可以同时施加到第三晶体管M3和第六晶体管M6的栅极。
第二晶体管M2的源极连接到电源线VDD并且第二晶体管M2的漏极连接到电容Chold和第六晶体管M6的漏极。第六晶体管M6的源极连接到数据线12并且第六晶体管M6的漏极连接到第二晶体管M2的漏极和电容Chold。第一晶体管M1的漏极连接到第三晶体管M3的源极和第五晶体管M5的源极。第一晶体管M1的栅极连接到电容Chold和第四晶体管M4的源极。第三晶体管M3的漏极连接到地电压VSS2，并且第四晶体管M4和第五晶体管M5的漏极通过电流源连接到地电压VSS1。
图2示出了用于图1所示的现有技术电流采样保持电路的信号波形图。下面参照图1和图2描述现有技术的电流采样保持电路10的工作。当将采样/保持信号“A”施加到现有技术的电流采样保持电路时，第一、第二和第五晶体管M1、M2和M5导通，并且初始图像信号电流“Idata1”从电压源VDD1流经第一、第二和第五晶体管M1、M2和M5，从而在电容Chold中采样和保持初始图像信号电流“Idata1”。
如果施加采样/保持信号“A”以在存储电容Chold中采样和保持输入的图像信号电流“Idata1”，并且然后接下来向电流采样保持电路10和像素电路14分别施加存储信号“B”和选择扫描信号“select[m]”，则输入的图像信号电流“Idata2”从像素电路14流经电流采样保持电路10的数据线12和第六、第一和第三晶体管。随着输入的图像信号电流“Idata2”流动，数据被存储在像素电路14的存储电容Cst中。当发射扫描信号emit[m]施加到像素电路14的第四TFT P4时，存储在存储电容Cst中的数据可以将驱动电流“Ioled”施加到有机发光二极管，从而从有机发光二极管发光。
在现有技术的采样保持电路10中需要第三晶体管M3以防止当采样保持初始图像信号电流“Idata1”对电容Chold充电时初始图像信号电流“Idata1”流到VSS2。当第三晶体管M3截止时，可以对初始图像信号电流“Idata1”采样并且存储到电容Chold。第六晶体管M6由存储信号“B”导通，使得然后采样保持电路10通过第六晶体管M6连接到数据线12。
现有技术的OLED具有的缺点在于在电流采样保持电路上需要多个引脚以连接到各驱动信号线，诸如OLED中采样保持电路的采样/保持和存储信号线。用于连接驱动信号的多个引脚导致该电流采样保持电路增加了OLED的制造成本。与OLED中用于连接驱动信号的多个引脚相关的问题导致电流采样保持电路在需要多个电流采样保持电路的高分辨率OLED中问题更加严重。
发明内容
因此，本发明涉及一种电流采样保持电路以及包括其的显示器件，其基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而产生的一个或者多个问题。
本发明的一个目的是提供一种具有减少信号线数目的电流采样保持电路。
本发明的另一目的在于提供一种具有减少引脚数目的电流采样保持电路。
本发明的附加优点、目的和特征将在后面的描述中得以阐明，通过以下描述，将使其对本领域技术人员来说显而易见，或者可通过实践本发明来认识。本发明的这些目的和其它优点可通过说明书及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和得到。
为了实现这些目的和其它优点，按照本发明的目的，作为具体和广义的描述，按照本发明的电流采样保持电路包括用于存储初始图像信号电流的存储电容；第一晶体管，用于接收来自电压源的初始图像信号电流和来自像素电路的输入图像信号电流其中之一；第二晶体管，连接在所述第一晶体管和第一地之间；第三晶体管和第四晶体管，用于偏置所述第一晶体管和第二晶体管的栅极以响应控制信号采用第二地采样和保持所述初始图像信号电流并且响应从所述像素电路接收输入图像信号电流将来自像素电路的输入图像信号电流汇入到所述第一地。
在本发明的另一方面，所提供的一种电流采样保持电路包括用于存储初始图像信号电流的存储电容；第一晶体管，其具有用于接收来自电压源的初始图像信号电流和来自像素电路的输入图像信号电流其中之一的源极，该第一晶体管的源极连接到所述存储电容的第一电极，该第一晶体管的栅极连接到所述电容的第二电极；第二晶体管，连接在所述第一晶体管和第一地之间，用于将所述输入图像信号电流从像素电路汇入到所述第一地，该第二晶体管的栅极连接到所述第一晶体管的栅极；第三晶体管和第四晶体管，用于偏置所述第一晶体管和第二晶体管的栅极以响应控制信号产生位于所述第一晶体管和第二地之间且经过电流源的第一传导路径以采样和保持所述初始图像信号电流并且响应从所述像素电路接收输入图像信号电流的所述第一晶体管的源极产生位于所述第一晶体管的漏极和第一地之间且经过所述第二晶体管的第二传导路径；以及第五晶体管，用于响应所述控制信号将所述第一晶体管的源极连接到电压源。
在本发明的再一方面，一种显示器件包括像素电路，设置于数据线和扫描线的交叉点处；以及电流采样保持电路，其连接到电压源、第一地、第二地并且通过数据线连接到所述像素电路，该电流采样保持电路包括用于响应控制信号产生位于所述电压源和第二地之间且经过电流源的第一传导路径以采样和保持所述初始图像信号电流并且响应通过所述数据线从所述像素电路接收输入图像信号电流产生位于数据线和第一地之间且经过所述第二晶体管的第二传导路径的转换装置。
应该理解，本发明上面的概述和下面的详细说明都是示例性和解释性的，意欲对所要求保护的本发明提供进一步解释。
将参照下述附图详细说明本发明，在附图中相似的标号表示相似的部件。
图1示出了现有技术用于有机发光显示器件中的电流采样保持电路的电路图；图2示出了用于图1所示的现有技术电流采样保持电路中的信号波形图；图3示出了按照本发明第一实施方式用于0LED的电流采样保持电路的电路图；图4示出了用于图3所示的电流采样保持电路中的信号波形图；图5a和5b示出了图3所示的电流采样保持电路的各驱动状态的电路图，其中采用图4所示的信号波形驱动；图6示出了按照本发明第二实施方式的电流采样保持电流的电路图；以及图7示出了按照本发明第三实施方式的电流采样保持电流的电路图。
具体实施例方式
以下将参照附图更详细地描述本发明的优选实施方式。
图3示出了按照本发明第一实施方式的电流采样保持电路的电路图。如图3所示，电流采样保持电流20将输入的图像信号电流从电流阱型AMOLED 24的数据线22汇入到第一地GND1并且采用第二GND2采样并且保持初始图像信号电流。图4示出了用于图3所示的电流采样保持电路中的信号波形图。
参照图3，按照本发明第一实施方式的电流采样保持电路20通过数据线22连接到像素电路24。像素电路24包括第一、第二、第三和第四p沟道MOSTFT S-TFT2、D-TFT2、S/W4和S/W5以及电容Csgs。此外，用于选择扫描信号“select[m]”的扫描线连接到第三和第四p沟道TFT S/W 4和S/W 5的栅极。尽管图3只示出了一个采样保持电路20、一条数据线22和一个像素电路24，按照本发明实施方式的OLED包括多个通过数据线连接到多个像素电路的电路采样保持电路。
电流采样保持电路20包括第一晶体管S-TFT1、第二晶体管D-TFT1、第三晶体管S/W1、第四晶体管S/W2、第五晶体管S/W3和电容Chold。第一、第二、第三、第四和第五晶体管可以是p沟道TFT。通常，第三和第四晶体管S/W1和S/W2偏置第一和第二晶体管S-TFT1和D-TFT1的栅极，从而响应采样/保持信号“A”经过电流源产生第一晶体管S-TFT1的漏极和第二地GND2之间的传导路径以采样和保持初始图像信号电流“Idata1”，并且响应从像素电路24接收输入的图像信号电流“Idata2”的第一晶体管S-TFT1的源极经过第二晶体管D-TFT1产生第一晶体管S-TFT1的漏极和第一地GND1之间的不同传导路径。
如图3所示，可以将采样/保持信号“A”施加到电流采样保持电路20的第三晶体管S/W1的栅极、第四晶体管S/W2的栅极和第五晶体管S/W3的栅极并且将信号“B”施加到数据线22上第六晶体管S/M6的栅极。在图3所示的按照本发明第一实施方式的电流采样保持电路20中，由于保持信号“B”只施加到可能位于电流采样保持电路20之外的数据线上的第六晶体管，与现有技术电流采样保持电路相比可以将用于电流采样保持电路20的信号线的数目减少一条，其中保持信号“B”施加到现有技术的电流采样保持电路中的晶体管。
如图3所示，第五晶体管S/W3的源极连接到电压源VDD。第五晶体管S/W3的漏极连接到第一晶体管S_TFT1的源极、存储电容Chold的第一电极和数据线22上的第六晶体管S-TFT1的漏极。第一晶体管S-TFT1的源极从电压源VDD接收初始图像信号电流“Idata1”并且通过数据线22从像素电路24接收输入的图像信号电流“Idata2”。第一晶体管S-TFT1的漏极连接到第二晶体管D-TFT1的源极和第四晶体管S/W2的漏极。第二晶体管D-TFT1连接在第一晶体管和第一地GND1之间以将输入的图像信号电流“Idata2”从像素电路汇入到第一地GND1。进而，第一和第二晶体管S-TFT1和D-TFT1的栅极共同连接到电容Chold的第二电极和第四晶体管S/W2的源极。第三晶体管S/W1的漏极通过电流源连接到第二地电压GND2并且第二晶体管D-TFT1的漏极连接到第一地电压GND1。
图4示出了用于图3所示的电流采样保持电路中的信号波形图。下面将参照图3和图4说明按照本发明第一实施方式的电流采样保持电路20的工作。当将采样/保持信号“A”施加到按照本发明第一实施方式的电流采样保持电路20时，第三、第四和第五晶体管S/W1、S/W2和S/W3导通。当第三和第四晶体管S/W1和S/W2导通时，第二晶体管D-TFT1的源极和栅极具有相同的电压值。这样，第二晶体管D-TFT1的栅源电压Vgs变为“0”，使得第二晶体管D-TFT1截止。
图5a和5b示出了图3所示的电流采样保持电路的驱动状态的电路图，其中采用图4所示的信号波形驱动。如图5a所示，当施加采样/保持信号“A”时，初始图像信号电流“Idata1”从电压源VDD经过第一和第五晶体管S-TFT1和S/W3流到第三晶体管S/W1，使得在电容Chold中采样并保持初始图像信号电流“Idata1”。参照图5b，如图去除采样/保持信号“A”并且在初始图像信号电流“Idata1”保持在电容Chold中时施加存储信号“B”和选择扫描信号“select[m]”，则输入图像信号电流“Idata2”从像素电路24经过数据线22上的第六晶体管S/W6流经第一和第二晶体管S-TFT1和D-TFT1。这时，由于第二晶体管D-TFT1的Vgs初始为“0”，当数据线通过数据线22上的第六晶体管S/W6连接到第二晶体管D-TFT的源极时，在没有向第二晶体管D-TFT1的栅极施加信号的情况下，第二晶体管D-TFT1自己导通。此时，随着输入的图像信号电流“Idata2”流动，数据被存储到像素电路24的存储电容Cstg。
换句话说，因为当采样采样/保持信号“A”施加到第三、第四和第五晶体管S/W1、S/W2和S/W3时由于第二晶体管D-TFT1的栅源电压Vgs为“0”第二晶体管D-TFT1自己导通，并且当向第六晶体管S/W6施加信号“B”使得数据线通过数据线22上的第六晶体管S/W6连接到第二晶体管D-TFT1的源极时，第二晶体管D-TFT1导通，所以在本发明第一实施方式的电流采样保持电路20不需要附加的信号线来控制第二晶体管D-TFT1。因此，按照本发明第一实施方式的电流采样保持电路20可以在信号线更少数目的情况下执行与现有技术电流采样保持电路相同的功能。具体地说，不需要将存储信号“B”施加到本发明第一实施方式的电流采样保持电路中。
图6示出了按照本发明第二实施方式的电流采样保持电路。图6所示的按照本发明第二实施方式的电流采样保持电路30通过数据线连接到像素电路，并且与本发明第一实施方式相似，这是由于该第二实施方式包括第一p沟道晶体管S-TFT1、第二p沟道晶体管D-TFT1、第三p沟道晶体管S/W1、第四p沟道晶体管S/W2、第五p沟道晶体管S/W3和电容Chold。第二实施方式中所述多个晶体管以及电容Chold之间的大部分连接与第一实施方式中相同，除了第三和第四晶体管S/W1和S/W2的连接，由于第四晶体管S/W2的源极连接到第三晶体管S/W1的源极以及存储电容Chold的第二电极和第一与第二晶体管S-TFT1和D-TFT1的栅极，第四晶体管S/W2的漏极通过电流源连接到第一地并且第三晶体管S/W1的漏极连接到第二晶体管D-TFT1的源极。
参照图4和图6，在按照本发明第二实施方式的电流采样保持电路中，当施加采样/保持信号“A”时，第三、第四和第五晶体管S/W1、S/W2和S/W3首先导通。当第三和第四晶体管S/W1和S/W2导通时，第二晶体管D-TFT1的源极和栅极具有相同的电压值。结果，第二晶体管D-TFT1的栅源电压Vgs变为“0”，使得第二晶体管D-TFT1截止。
与第一实施方式类似，当施加采样/保持信号“A”时，通过从电源VDD经过第一和第五晶体管S-TFT1和S/W3流到第三晶体管S/W1的电流在电容Chold中采样并且保持初始图像信号电流“Idata1”。如果在初始图像信号电流“Idata1”保持在电容Chold中时去除采样/保持信号“A”并且施加存储信号“B”和扫描信号“select[m]”，则输入图像信号电流“Idata2”从像素电路24经过数据线上的第六晶体管S/W6流经第一和第二晶体管S-TFT1和D-TFT1。这时，由于第二晶体管D-TFT1的Vgs初始为“0”，当数据线通过数据线22上的第六晶体管S/W6连接到第二晶体管D-TFT的源极时，在没有向第二晶体管D-TFT1的栅极施加信号的情况下，第二晶体管D-TFT1自己导通。此时，随着输入图像信号电流“Idata2”流动，数据被存储到像素电路的存储电容。
图7示出了按照本发明第三实施方式的电流采样保持电路的电路图。图7所示的按照本发明第三实施方式的电流采样保持电路40通过数据线连接到像素电路，并且与本发明第一实施方式相似，这是由于该第三实施方式包括第一p沟道晶体管S_TFT1、第二p沟道晶体管D_TFT1、第三p沟道晶体管S/W1、第四p沟道晶体管S/W2、第五p沟道晶体管S/W3和电容Chold。第三实施方式中晶体管以及存储电容之间的大部分连接与第一实施方式中相同，除了第三和第四晶体管S/W1和S/W2的连接不同于第一实施方式并且使用两个采样/保持信号而不是一个采样/保持信号。第三晶体管S/W1的源极连接到第二晶体管D-TFT1源极，并且第四晶体管S/W2的源极连接到第一晶体管S-TFT1的栅极和第二晶体管D-TFT1的栅极。同时，第三和第四晶体管S/W1和S/W2的漏极通过电流源连接到第二地GND2。
在按照本发明第三实施方式的电流采样保持电路40中，第一采样/保持信号“A1”施加到第三和第五晶体管S/W1和S/W3，而与第一采样/保持信号“A1”互补的第二采样/保持信号“A2”施加到第四晶体管S/W2。这样，可以将第一采样/保持信号“A1”施加到第三和第五晶体管S/W1和S/W3的栅极并且将第二采样/保持信号“A2”施加到第四晶体管S/W2，从而第二晶体管D_TFT1的栅源电压Vgs变为“0”以截止第二晶体管D_TFT1。即使在这种情况下，由于第二采样/保持信号“A2”与第一采样/保持信号“A1”互补，也不需要用于TFT D-TFT1的附加控制信号。
参照图4和图7，在按照本发明第三实施方式的电流采样保持电路中，与第一和第二实施方式类似，当施加第一和第二采样/保持信号“A1”和“A2”时，第三、第四和第五晶体管S/W1、S/W2和S/W3首先导通。当第三和第四晶体管S/W1和S/W2导通时，第二晶体管D-TFT1的栅源电压Vgs变为“0”，使得第二晶体管D-TFT1截止。
在上述实施方式中，一个像素电路连接到一个电流采样保持电路。或者，采用多路选择器(demultiplexer)将一个电流采样保持电路连接到两个或者三个像素电路。在按照本发明实施方式的OLED中，由于可以采用1∶2和1∶3的多路选择器实现驱动电路，可以进一步减少用于数据驱动单元的引脚数目。
按照本发明的电流采样保持电路至少提供下面优点。首先，可以减少用于控制电流采样保持电路的信号线的数目。第二，用于数据驱动单元的引脚数目的减少能够实现高分辨率的0LED显示器件。第三，随着引脚和信号线数目的减少，可以制造尺寸更小的有机发光显示器件。
很显然，本领域的熟练技术人员可以在不脱离本发明的精神或者范围内对本发明的电流采样保持电路和包括其的显示器件进行各种修改和改进。因此，本发明旨在覆盖所有落入所附权利要求及其等同物范围内的本发明的修改和改进。
权利要求
1.一种电流采样保持电路，包括用于存储初始图像信号电流的存储电容；第一晶体管，用于接收来自电压源的初始图像信号电流和来自像素电路的输入图像信号电流其中之一；第二晶体管，连接在所述第一晶体管和第一地之间；第三晶体管和第四晶体管，用于偏置所述第一晶体管和第二晶体管的栅极以响应控制信号采用第二地采样和保持所述初始图像信号电流并且响应从所述像素电路接收输入图像信号电流将来自所述像素电路的输入图像信号电流汇入到所述第一地。
2.根据权利要求1所述的电流采样保持电路，其特征在于，所述第三晶体管具有通过电流源连接到所述第二地的漏极，所述第三晶体管具有连接到第二晶体管的源极和第四晶体管的漏极的源极，并且所述第四晶体管具有连接到所述电容的一个电极的源极。
3.根据权利要求1所述的电流采样保持电路，其特征在于，所述第三和第四晶体管具有彼此共同连接的栅极。
4.根据权利要求1所述的电流采样保持电路，其特征在于，还包括第五晶体管，用于响应所述控制信号将所述第一晶体管的源极连接到电压源。
5.根据权利要求4所述的电流采样保持电路，其特征在于，所述第三和第五晶体管具有彼此共同连接的栅极。
6.根据权利要求1所述的电流采样保持电路，其特征在于，所述第四晶体管具有连接到所述存储电容电极的源极和所述第一和第二晶体管的栅极的源极并且具有连接到所述第三晶体管的源极的漏极，所述第三晶体管具有通过电流源连接到所述第一地的漏极，并且所述第三晶体管具有连接到所述第二晶体管的源极的源极。
7.根据权利要求1所述的电流采样保持电路，其特征在于，所述第三晶体管具有连接到所述第二晶体管的源极，所述第四晶体管具有连接到所述第一和第二晶体管的栅极的源极，并且所述第三和第四晶体管具有通过电流源公共连接到第二地的漏极。
8.一种采样保持电路，包括用于存储初始图像信号电流的存储电容；第一晶体管，其具有用于接收来自电压源的初始图像信号电流和来自像素电路的输入图像信号电流其中之一的源极，该第一晶体管的源极连接到所述存储电容的第一电极，该第一晶体管的栅极连接到所述电容的第二电极；第二晶体管，连接在所述第一晶体管和第一地之间，用于将所述输入图像信号电流从像素电路汇入到所述第一地，该第二晶体管的栅极连接到所述第一晶体管的栅极；第三晶体管和第四晶体管，用于偏置所述第一晶体管和第二晶体管的栅极，从而响应控制信号产生位于所述第一晶体管和第二地之间且经过电流源的第一传导路径以采样和保持所述初始图像信号电流并且响应从所述像素电路接收输入图像信号电流的所述第一晶体管的源极产生位于所述第一晶体管的漏极和第一地之间且经过所述第二晶体管的第二传导路径；以及第五晶体管，用于响应所述控制信号将所述第一晶体管的源极连接到电压源。
9.根据权利要求8所述的电流采样保持电路，其特征在于，所述第三晶体管具有通过所述电流源连接到所述第二地的漏极，所述第三晶体管具有连接到所述第二晶体管的源极和所述第四晶体管的漏极的源极，并且所述第四晶体管具有连接到所述电容的第二电极的源极。
10.根据权利要求8所述的电流采样保持电路，其特征在于，所述第三和第四晶体管具有彼此共同连接的栅极。
11.根据权利要求8所述的电流采样保持电路，其特征在于，所述第三和第五晶体管具有彼此共同连接的栅极。
12.根据权利要求8所述的电流采样保持电路，其特征在于，所述第四晶体管具有连接到所述存储电容的第二电极和所述第一和第二晶体管的栅极的源极并且具有连接到所述第三晶体管的源极的漏极，所述第三晶体管具有通过电流源连接到所述第一地的漏极并且所述第三晶体管的源极连接到所述第二晶体管的源极。
13.根据权利要求8所述的电流采样保持电路，其特征在于，所述第三晶体管具有连接到所述第二晶体管的源极的源极，所述第四晶体管具有连接到所述第一和第二晶体管的栅极的源极，并且所述第三和第四晶体管具有通过电流源共同连接到所述第二地的漏极。
14.一种显示器件，包括像素电路，设置于数据线和扫描线的交叉点处；以及电流采样保持电路，其连接到电压源、第一地、第二地并且通过数据线连接到所述像素电路，该电流采样保持电路包括用于响应控制信号产生位于所述电压源和第二地之间且经过电流源的第一传导路径以采样和保持所述初始图像信号电流并且响应通过所述数据线从所述像素电路接收输入图像信号电流产生位于数据线和第一地之间且经过所述第二晶体管的第二传导路径的转换装置。
15.根据权利要求14所述的显示器件，其特征在于，所述电流采样保持电路包括用于存储初始图像信号电流的存储电容；第一晶体管，其具有用于接收来自电压源的初始图像信号电流和来自像素电路的输入图像信号电流其中之一的源极，该第一晶体管的源极连接到所述存储电容的第一电极，并且该第一晶体管的栅极连接到所述电容的第二电极；第二晶体管，连接在所述第一晶体管和第一地之间，用于将所述输入图像信号电流从像素电路汇入到所述第一地，该第二晶体管的栅极连接到所述第一晶体管的栅极；第三晶体管和第四晶体管，用于偏置所述第一晶体管和第二晶体管的栅极以响应控制信号在所述第一传导路径中产生初始图像信号电流并且响应从所述像素电路接收输入图像信号电流的所述第一晶体管的源极在所述第二传导通路中产生来自输入图像信号电流；以及第五晶体管，用于响应所述控制信号将所述第一晶体管的源极连接到电压源。
16.根据权利要求15所述的显示器件，其特征在于，所述第三晶体管具有通过所述电流源连接到所述第二地的漏极，所述第三晶体管的源极连接到所述第二晶体管的源极和所述第四晶体管的漏极，并且所述第四晶体管具有连接到所述电容的第二电极的源极。
17.根据权利要求15所述的显示器件，其特征在于，所述第三和第四晶体管具有彼此共同连接的栅极。
18.根据权利要求15所述的显示器件，其特征在于，所述第三和第五晶体管具有彼此共同连接的栅极。
19.根据权利要求15所述的显示器件，其特征在于，所述第四晶体管具有连接到所述第三晶体管的漏极和所述存储电容的第二电极以及所述第一和第二晶体管的栅极的源极，并且所述第四晶体管具有通过电流源连接到所述第一地的漏极并且所述第三晶体管的漏极连接到所述第二晶体管的源极。
20.根据权利要求15所述的显示器件，其特征在于，所述第三晶体管具有连接到所述第二晶体管的源极的源极，所述第四晶体管具有连接到所述第一和第二晶体管的栅极的源极，并且所述第三和第四晶体管具有通过电流源共同连接到所述第二地的漏极。
全文摘要
本发明公开了一种电流采样保持电路，其包括用于存储初始图像信号电流的存储电容；第一晶体管，用于接收来自电压源的初始图像信号电流和来自像素电路的输入图像信号电流其中之一；第二晶体管，连接在所述第一晶体管和第一地之间；第三晶体管和第四晶体管，用于偏置所述第一晶体管和第二晶体管的栅极以响应控制信号采用第二地采样和保持所述初始图像信号电流并且响应从所述像素电路接收输入图像信号电流将来自所述像素电路的输入图像信号电流汇入到所述第一地。
文档编号H05B33/14GK1889160SQ200510134210
公开日2007年1月3日 申请日期2005年12月12日 优先权日2005年6月27日
发明者河龙玟, 李彰焕, 徐仁教 申请人:Lg.菲利浦Lcd株式会社