专利名称：X射线装置电源系统控制电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种X射线装置，具体的说是一种X射线装置电源系统控制电路。
背景技术：
目前大多数的X射线装置的控制电路一般采用谐振逆变电路结构的控制方式，这种电路的控制方式有PWM和PFM两种。其中PWM逆变电路结构，其开关频率一般为30KHZ左右，开关管的开通为零电流状态，但关断为硬关断，存在关断损耗；故开关关断时的应力较大。而采用PFM逆变电路结构，其发生器的谐振频率为80KHZ左右，最高控制频率为 40KHZ左右，为谐振频率的一半，这种控制方式的开关开通属于零电流状态，关断为零电流和零电压状态；反并二极管为自然开通和关断。所以电路的开关应力和开关损耗很小，但是仅可采用普通的IGBT模块作为开关原件，而IGBT由于关断时电流的拖尾比较长，所以比较适用于零电流的工作方式。
发明内容本实用新型克服了现有技术的不足，提供了一种X射线装置电源系统控制电路，可大大降低开关的损耗以及开关过程中对电路的冲击。为了实现上述目的，本实用新型设计了一种X射线装置电源系统控制电路，其特征在于包括四组MOSFET管组成的全桥逆变电路，以及连接在全桥逆变电路上的灯丝逆变器，还包括反并在每个MOSFET管上的二极管，以及并联在每个MOSFET管上的吸收电容。所述灯丝逆变器包括一个连接在全桥逆变电路上的谐振电感，以及与谐振电感串联的谐振电容，还包括与谐振电感、谐振电容进行耦合的高压整流器。本实用新型同现有技术相比，采用MOSFET管作为开关元件，并在每个MOSFET管并联一个吸收电容，在开关导通时，电容电压为零。当开关管关断时，其电流转移到并联的吸收电容上，电容限制了开关管两端电压的上升率，电压从零慢慢升高，从而实现了开关管的零电压关断，同时也实现了反并二极管的零电压开通，其开关的控制频率可达到80KHz-250KHz，谐振频率可达到50KHz，可大大降低开关的损耗以及开关过程中对电路的冲击。
图I为本实用新型的电路示意图。图2为本实用新型的开关频率大于谐振频率时，通过触发MOSFET管％、Q4及MOSFET管Q2、Q3后得到的电流波形I。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步描述。[0011]如图I所示，本实用新型包括四组MOSFET管Qi、Q2、Q3、Q4组成的全桥逆变电路，以及连接在全桥逆变电路上的灯丝逆变器，还包括反并在每个MOSFET管上的二极管D1至D4,以及并联在每个MOSFET管上的吸收电容C1至C4。灯丝逆变器包括一个连接在全桥逆变电路上的谐振电感L，以及与谐振电感L串联的谐振电容C，还包括与谐振电感L、谐振电容C进行耦合的高压整流器DB。当控制的MOSFET管的开关频率大于谐振频率时，输出的电感电流k连续工作，如图2所示。其MOSFET管的开关控制频率在80KHz-250KHz，谐振频率为50KHz，这种控制方式其输出功率随控制频率的增加而减小。本实用新型采用MOSFET管作为开关元件，并在每个MOSFET管并联一个吸收电容，在开关导通时，电容电压为零。当开关管关断时，其电流转移到并联的吸收电容上，电容限制了开关管两端电压的上升率，电压从零慢慢升高，从而实现了开关管的零电压关断，同时也实现了反并二极管的零电压开通，可大大降低开关的损耗以及开关过程中对电路的冲
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权利要求1.一种X射线装置电源系统控制电路，其特征在于包括四组MOSFET管组成的全桥逆变电路，以及连接在全桥逆变电路上的灯丝逆变器，还包括反并在每个MOSFET管上的二极管，以及并联在每个MOSFET管上的吸收电容。
2.根据权利要求I所述的X射线装置电源系统控制电路，其特征在于所述灯丝逆变器包括一个连接在全桥逆变电路上的谐振电感，以及与谐振电感串联的谐振电容，还包括与谐振电感、谐振电容进行耦合的高压整流器。
专利摘要本实用新型涉及一种X射线装置，具体的说是一种X射线装置电源系统控制电路，其特征在于包括四组MOSFET管组成的全桥逆变电路，以及连接在全桥逆变电路上的灯丝逆变器，还包括反并在每个MOSFET管上的二极管，以及并联在每个MOSFET管上的吸收电容。本实用新型同现有技术相比，当开关管关断时，其电流转移到并联的吸收电容上，电容限制了开关管两端电压的上升率，电压从零慢慢升高，从而实现了开关管的零电压关断，同时也实现了反并二极管的零电压开通，可大大降低开关的损耗以及开关过程中对电路的冲击。
文档编号H02M1/32GK202759394SQ20122034380
公开日2013年2月27日 申请日期2012年7月16日 优先权日2012年7月16日
发明者谢嘉杰 申请人:上海中科再启医疗设备有限公司