专利名称：过流保护电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种过流·护电路。
背景技术：
在一些便携式电子电路中，部分的电路所需电流恒定。但是现实中由于供电电源受到各种干扰时常发生，会造成电路的较大波动，对电路造成损害。现有技术的限流电路一般是结构复杂、成本高昂、自身功耗也较大。
实用新型内容本实用新型的发明目的在于针对上述存在的问题，提供一种过流保护电路。本实用新型采用的技术方案是这样的一种过流保护电路，该电路包括第一差分放大器、第二差分放大器、第一 PMOS晶体管、第二 PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、NMOS晶体管、第一电阻和第二电阻。电压源连接至第一 PMOS晶体管的源极、第二 PMOS晶体管的源极和第三PMOS晶体管的源极；电压输出端连接至第二差分放大器的负极输入端和第三PMOS晶体管的漏极，并通过第二电阻接地；第二PMOS晶体管的栅极连接至第一PMOS晶体管的漏极和第三PMOS晶体管的栅极，漏极连接至NMOS晶体管的漏极和第二差分放大器的正极输入端；NM0S晶体管的源极连接至第一差分放大器的负极输入端并通过第一电阻接地，栅极连接至第二差分放大器的输出端；第一差分放大器的正极输入端连接至参考电压输入端，输出端连接至第一PMOS晶体管的栅极。在上述电路中，所述第一差分放大器和第二差分放大器为参数相同的差分放大器。在上述电路中，所述第二 PMOS晶体管和第三PMOS晶体管为参数相同的PMOS晶体管。综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是电路结构简单，采用器件减少因此节省了成本并且自身功耗低。
图I是本实用新型过流保护电路的电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图，对本实用新型作详细的说明。为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。如图I所示，是本实用新型过流保护电路的电路原理图。[0013]本实用新型的一种过流保护电路，该电路包括第一差分放大器AMP1、第二差分放大器AMP2、第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、NM0S晶体管NI、第一电阻Rl和第二电阻R2。
以下结合附图I对本实用新型上述各器件间的连接关系做一详细说明电压源VDD连接至第一 PMOS晶体管Pl的源极、第二 PMOS晶体管P2的源极和第三PMOS晶体管P3的源极；电压输出端Vout连接至 第二差分放大器AMP2的负极输入端和第三PMOS晶体管P3的漏极，并通过第二电阻R2接地GND ;第二 PMOS晶体管P2的栅极连接至第一 PMOS晶体管Pl的漏极和第三PMOS晶体管P3的栅极，漏极连接至NMOS晶体管NI的漏极和第二差分放大器AMP2的正极输入端；NM0S晶体管NI的源极连接至第一差分放大器AMPl的负极输入端并通过第一电阻Rl接地GND，栅极连接至第二差分放大器AMP2的输出端；第一差分放大器的正极输入端连接至参考电压输入端Vref，输出端连接至第一 PMOS晶体管Pl的栅极。在本实用新型上述电路中，所述第一差分放大器AMPl和第二差分放大器AMP2为参数相同的差分放大器。在本实用新型上述电路中，所述第二 PMOS晶体管P2和第三PMOS晶体管P3为参数相同的PMOS晶体管。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种过流保护电路，其特征在于，包括第一差分放大器(AMP1)、第二差分放大器(AMP2 )、第一 PMOS晶体管(PI)、第二 PMOS晶体管(P2 )、第三PMOS晶体管(P3 )、NMOS晶体管(NI)、第一电阻(Rl)和第二电阻(R2)； 电压源(VDD)连接至第一 PMOS晶体管(Pl)的源极、第二 PMOS晶体管(P2)的源极和第三PMOS晶体管(P3)的源极；电压输出端(Vout)连接至第二差分放大器(AMP2)的负极输入端和第三PMOS晶体管(P3)的漏极，并通过第二电阻(R2)接地(GND);第二 PMOS晶体管(P2)的栅极连接至第一 PMOS晶体管(Pl)的漏极和第三PMOS晶体管(P3)的栅极，漏极连接至NMOS晶体管(NI)的漏极和第二差分放大器(AMP2)的正极输入端；NM0S晶体管(NI)的源极连接至第一差分放大器(AMPl)的负极输入端并通过第一电阻(Rl)接地(GND)，栅极连接至第二差分放大器(AMP2)的输出端；第一差分放大器的正极输入端连接至参考电压输入端(Vref )，输出端连接至第一 PMOS晶体管(Pl)的栅极。
2.根据权利要求I所述的过流保护电路，其特征在于，所述第一差分放大器(AMPl)和第二差分放大器(AMP2)为参数相同的差分放大器。
3.根据权利要求I所述的过流保护电路，其特征在于，所述第二PMOS晶体管(P2)和第三PMOS晶体管(P3)为参数相同的PMOS晶体管。
专利摘要本实用新型公开了一种过流保护电路。该电路电压源连接第一PMOS晶体管的源极、第二PMOS晶体管的源极和第三PMOS晶体管的源极；电压输出端连接第二差分放大器的负极输入端和第三PMOS晶体管的漏极，并通过第二电阻接地；第二PMOS晶体管的栅极连接第一PMOS晶体管的漏极和第三PMOS晶体管的栅极，漏极连接NMOS晶体管的漏极和第二差分放大器的正极输入端；NMOS晶体管的源极连接第一差分放大器的负极输入端并通过第一电阻接地，栅极连接第二差分放大器的输出端；第一差分放大器的正极输入端连接参考电压输入端，输出端连接第一PMOS晶体管的栅极。电路结构简单，采用器件减少因此节省了成本并且自身功耗低。
文档编号H02H9/02GK202797925SQ20122048533
公开日2013年3月13日 申请日期2012年9月21日 优先权日2012年9月21日
发明者余力, 周晓东, 王晓娟 申请人:郑州单点科技软件有限公司