升压电路的制作方法与工艺

技术特征：
1.一种升压电路，其具有：电荷泵电路；将由所述电荷泵电路得到的高电压限制在期望的升压电压的限幅电路；以及将所述升压电压降低到电源电压的放电电路，所述升压电路的特征在于，所述升压电路还在所述限幅电路与所述放电电路之间具有斜坡控制电路，所述斜坡控制电路具有：晶体管，其源极与所述限幅电路连接，其漏极与所述放电电路连接；以及电容元件，其被连接在所述晶体管的栅极与源极之间，所述斜坡控制电路在负载电容小的情况下延长到达所述升压电压的时间，在负载电容大的情况下缩短到达所述升压电压的时间。2.根据权利要求1所述的升压电路，其特征在于，所述斜坡控制电路具有：作为所述晶体管的PMOS晶体管、耗尽型NMOS晶体管、作为所述电容元件的电容、电流控制电路、NMOS晶体管、反相电路以及测试信号输入端子，关于所述PMOS晶体管，源极与所述限幅电路、所述耗尽型NMOS晶体管的漏极以及所述电容的一个端子连接，漏极与所述放电电路连接，栅极与所述耗尽型NMOS晶体管的源极、所述电容的另一个端子以及所述电流控制电路的一个端子连接，所述NMOS晶体管的源极接地，漏极与所述电流控制电路的另一个端子连接，栅极与所述测试信号输入端子连接，所述测试信号输入端子还经由所述反相电路与所述耗尽型NMOS晶体管的栅极连接。3.根据权利要求2所述的升压电路，其特征在于，所述电流控制电路由电阻元件构成。4.根据权利要求2所述的升压电路，其特征在于，所述电流控制电路由第2耗尽型NMOS晶体管构成，关于所述第2耗尽型NMOS晶体管，漏极与所述PMOS晶体管的栅极连接，源极与所述NMOS晶体管的漏极连接，栅极和衬底接地。5.根据权利要求2至4中的任意一项所述的升压电路，其特征在于，所述电容被置换为第3耗尽型NMOS晶体管，该第3耗尽型NMOS晶体管将栅极作为一个端子，将源极和漏极作为另一个端子。