高灵敏度浪涌保护器的制造方法
【专利摘要】本实用新型提供一种高灵敏度浪涌保护器，涉及电子设备保护装置【技术领域】。该实用新型包括第一温控电路、第二温控电路、第一压敏电阻矩阵电路、第二压敏电阻矩阵电路、第一瞬态瞬态二极管矩阵电路、第二瞬态瞬态二极管矩阵电路和电源指示控制电路，第一压敏电阻矩阵电路和第一温控电路串行连接，第一压敏电阻矩阵电路和第一温控电路串连后所在的支路与第一瞬态瞬态二极管矩阵电路并联；第二压敏电阻矩阵电路和第二温控电路串行连接，第二压敏电阻矩阵电路和第二温控电路串连后所在的支路与第二瞬态瞬态二极管矩阵电路、电源指示控制电路并联。本实用新型结面积较大，通流能力强，有效抑制高频电源信号的干扰，提供精细保护，散热条件好，有利于吸收管子暂态较大功率。
【专利说明】高灵敏度浪涌保护器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种电子设备保护装置【技术领域】，特别是涉及一种高灵敏度浪涌保护器。
【背景技术】
[0002]电浪涌保护器被广泛用于全世界高附加值、高端电子电气设备的安全防护。模块式电浪涌保护器要经过B级、C级、D级三防护才能达到1000V左右，普通限压型浪涌保护器的漏电电流一般在lOuA，随着时间的推移，漏电流会越来越大，直接影响sro使用的稳定性，最终导致Sro失效。
[0003]模块式浪涌保护器采用单片压敏电阻作为主放电电路，由于单片压敏电阻的通流量一直不够理想(一般单片压敏电阻最大放电电流在20KA\8/20uS)，因压敏电阻有一致命的缺点一有不规则的泄漏电流，压敏电阻工作一段时间后，特别是性能较差的压敏电阻，因泄漏电流变大会加速老化或发热自爆。单一结构的压敏感电阻电浪涌保护器，反应时间长(> 25ns)，容易老化，动作几次后，漏电流会增大，从而导致压敏电阻过热，最终导致老化失效，电容较大。单一结构的放电管电浪涌保护器，残压高(2?4KV)，反应时间长(>100ns)，动作电压精度较低，有工频续流，不能直接用在电源上做差模保护，虽然能满足一般电气化设备要求，但随着大规模集成电路的发展，电子科技、自动化控制技术以及信息技术在社会各行各业中的广泛应用，敏感的电气设备、精密的电子设备、信号传输设备业已成为各行各业生产正常运作的重要保障。如果浪涌保护器内部的元器件质量有问题、老化或失效、响应时间肯定会延长，浪涌保护器就不能抢先于被保护设备内部的过电压、放电元器件启动，就失出了保护意义。
实用新型内容
[0004]针对上述问题中存在的不足之处，本实用新型提供一种高灵敏度浪涌保护器，使其结面积较大，通流能力强，有效抑制高频电源信号的干扰，提供精细保护，散热条件好，有利于吸收管子暂态较大功率。
[0005]为了解决上述问题，本实用新型提供一种高灵敏度浪涌保护器，其中，包括第一温控电路、第二温控电路、第一压敏电阻矩阵电路、第二压敏电阻矩阵电路、第一瞬态瞬态二极管矩阵电路、第二瞬态瞬态二极管矩阵电路和电源指示控制电路，所述第一压敏电阻矩阵电路和所述第一温控电路串行连接，所述第一压敏电阻矩阵电路和所述第一温控电路串连后所在的支路与所述第一瞬态瞬态二极管矩阵电路并联；所述第二压敏电阻矩阵电路和所述第二温控电路串行连接，所述第二压敏电阻矩阵电路和所述第二温控电路串连后所在的支路与所述第二瞬态瞬态二极管矩阵电路、所述电源指示控制电路并联；所述第一瞬态瞬态二极管矩阵电路和所述第二瞬态瞬态二极管矩阵电路均采用多个瞬态二极管并联结构。
[0006]优选的，所述第一瞬态瞬态二极管矩阵电路一端与地线相连接，另一端与相线相连接；所述第二瞬态瞬态二极管矩阵电路一端与零线相连接，另一端与相线相连接。
[0007]优选的，所述第一压敏电阻矩阵电路的一端与地线相连接，另一端与所述第一温控电路的一端连接，所述第一温控电路的另一端与相线连接；所述第二压敏电阻矩阵电路的一端与零线相连接，另一端与所述第二温控电路的一端连接，所述第二温控电路的另一端与相线相连接。
[0008]优选的，所述电源指示控制电路一端与零线相连接，另一端与相线相连接。
[0009]优选的，所述瞬态二极管并联结构的瞬态二极管的数量为至少4个。
[0010]与现有技术相比，本实用新型具有以下优点:
[0011]本实用新型采用多个瞬态二极管并联，结面积较大，通流能力强，有效抑制高频电源信号的干扰，提供精细保护，散热条件好，有利于吸收管子暂态较大功率，其响应时间小于5nS，因为瞬态二极管响应时间小于InS，加上电路延时和管脚延时，它的响应时间不会超过5nS，抢先于被保护设备内部的过电压、放电元器件启动，达到保护意义。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1是本实用新型的结构示意图；
[0013]图2是本实用新型的实施例的瞬态二极管并联结构示意图。
[0014]主要元件符号说明:
[0015]1-第一压敏电阻矩阵电路 2-第一温控电路
[0016]3-第二温控电路4-第二压敏电阻矩阵电路
[0017]5-第一瞬态瞬态二极管矩阵电路6-第二瞬态瞬态二极管矩阵电路
[0018]7-电源指示控制电路
【具体实施方式】
[0019]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图与实例对本实用新型作进一步详细说明，但所举实例不作为对本实用新型的限定。
[0020]如图1和图2所示，本实用新型的实施例包括第一温控电路2、第二温控电路3、第一压敏电阻矩阵电路1、第二压敏电阻矩阵电路4、第一瞬态瞬态二极管矩阵电路5、第二瞬态瞬态二极管矩阵电路6和电源指示控制电路7，第一压敏电阻矩阵电路I和第一温控电路串行连接2，第一压敏电阻矩阵电路I和第一温控电路2串连后所在的支路与第一瞬态瞬态二极管矩阵电路5并联；第二压敏电阻矩阵电路4和第二温控电路3串行连接，第二压敏电阻矩阵电路4和第二温控电路3串连后所在的支路与第二瞬态瞬态二极管矩阵电路6、电源指示控制电路7并联；第一瞬态瞬态二极管矩阵电路I和第二瞬态瞬态二极管矩阵电路4均采用多个瞬态二极管并联结构。
[0021]进一步的，第一瞬态瞬态二极管矩阵电路5—端与地线相连接，另一端与相线相连接；第二瞬态瞬态二极管矩阵电路6 —端与零线相连接，另一端与相线相连接。
[0022]进一步的，第一压敏电阻矩阵电路I的一端与地线相连接，另一端与第一温控电路2的一端连接，第一温控电路2的另一端与相线连接；第二压敏电阻矩阵电路4的一端与零线相连接，另一端与第二温控电路3的一端连接，第二温控电路3的另一端与相线相连接。
[0023]进一步的，电源指示控制电路7 —端与零线相连接，另一端与相线相连接。
[0024]进一步的，瞬态二极管并联结构的瞬态二极管的数量为至少4个。
[0025]本实施例中，采用多个瞬态二极管并联，结面积较大，通流能力强，有效抑制高频电源信号的干扰，提供精细保护，散热条件好，有利于吸收管子暂态较大功率，其响应时间小于5nS，因为瞬态二极管响应时间小于InS，加上电路延时和管脚延时，它的响应时间不会超过5nS，抢先于被保护设备内部的过电压、放电元器件启动，达到保护意义。
[0026]本实施例中，浪涌一路流过第一温控电路2流向第一压敏电阻矩阵电路I对地线放电，多个并联压敏电阻可以给出较低的箝位电压，然后浪涌流过第一瞬态瞬态二极管矩阵电路5对地线放电，快速钳位浪涌电压，另一路流过第二温控电路3流向第二压敏电阻矩阵电路4对零线放电，多个并联压敏电阻可以给出较低的箝位电压，然后浪涌流过第二瞬态瞬态二极管矩阵电路6对零线放电，快速钳位浪涌电压，最后稳定的电源流入电源指示控制电路7。
[0027]对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
【权利要求】
1.一种高灵敏度浪涌保护器，其特征在于，包括第一温控电路、第二温控电路、第一压敏电阻矩阵电路、第二压敏电阻矩阵电路、第一瞬态瞬态二极管矩阵电路、第二瞬态瞬态二极管矩阵电路和电源指示控制电路，所述第一压敏电阻矩阵电路和所述第一温控电路串行连接，所述第一压敏电阻矩阵电路和所述第一温控电路串连后所在的支路与所述第一瞬态瞬态二极管矩阵电路并联；所述第二压敏电阻矩阵电路和所述第二温控电路串行连接，所述第二压敏电阻矩阵电路和所述第二温控电路串连后所在的支路与所述第二瞬态瞬态二极管矩阵电路、所述电源指示控制电路并联；所述第一瞬态瞬态二极管矩阵电路和所述第二瞬态瞬态二极管矩阵电路均采用多个瞬态二极管并联结构。
2.如权利要求1所述的高灵敏度浪涌保护器，其特征在于，所述第一瞬态瞬态二极管矩阵电路一端与地线相连接，另一端与相线相连接；所述第二瞬态瞬态二极管矩阵电路一端与零线相连接，另一端与相线相连接。
3.如权利要求1所述的高灵敏度浪涌保护器，其特征在于，所述第一压敏电阻矩阵电路的一端与地线相连接，另一端与所述第一温控电路的一端连接，所述第一温控电路的另一端与相线连接；所述第二压敏电阻矩阵电路的一端与零线相连接，另一端与所述第二温控电路的一端连接，所述第二温控电路的另一端与相线相连接。
4.如权利要求1所述的高灵敏度浪涌保护器，其特征在于，所述电源指示控制电路一端与零线相连接，另一端与相线相连接。
5.如权利要求1所述的高灵敏度浪涌保护器，其特征在于，所述瞬态二极管并联结构的瞬态二极管的数量为至少4个。
【文档编号】H02H9/04GK204103472SQ201420447079
【公开日】2015年1月14日 申请日期:2014年8月6日 优先权日:2014年8月6日
【发明者】曹润森, 龙新民 申请人:深圳市艾尔特通讯技术有限公司