带有限流的直流电机驱动电路的制作方法

本实用新型涉及电机领域，尤其涉及到带有限流的直流电机驱动电路。

背景技术：

如图1所示为现有技术的直流电机驱动电路的电路图，当开关K合上时电源VCC通过R2和R3分压得到功率NMOS管Q1的栅极电压，电机启动时会有大电流，会有过流启动对电源VCC冲击。

技术实现要素：

本实用新型旨在解决现有技术的不足，提供一种能够在电机启动时对启动电流进行限流，避免了对电源VCC的冲击；同时还可以防止在电机堵转时由于电流过大导致功率NMOS管过热引起损坏。

带有限流的直流电机驱动电路，包括开关K、电阻R1、电阻R2、电阻R3、NPN型三极管Q2、功率NMOS管Q1和电机M：

所述开关K的一端接电源VCC，另一端接所述电阻R2的一端；

所述电阻R1的一端接所述NPN型三极管Q2的基极和所述功率NMOS管Q1的源极和衬底，另一端接地；

所述电阻R2的一端接所述开关K的一端，另一端接所述电阻R3的一端和所述NPN型三极管Q2的集电极和所述功率NMOS管Q1的栅极；

所述电阻R3的接所述电阻R2的一端和所述NPN型三极管Q2的集电极和所述功率NMOS管Q1的栅极，另一端接地；

所述NPN型三极管Q2的基极接所述功率NMOS管Q1的源极和衬底和所述电阻R1的一端，集电极接所述电阻R2的一端和所述电阻R3的一端和所述功率NMOS管Q1的栅极，发射极接地；

所述功率NMOS管Q1的栅极接所述电阻R2的一端和所述电阻R3的一端和所述NPN型三极管Q2的集电极，漏极接所述电机M的负极，源极和衬底接在一起再接所述NPN型三极管Q2的基极和所述电阻R1的一端；

所述电机M的正极接电源VCC，负极接所述功率NMOS管Q1的漏极。

电机启动时通过电机的电流也流过所述电阻R1，当启动电流过大时在所述电阻R1产生的电压使得该电压会达到所述NPN型三极管Q2导通，这样所述功率NMOS管Q1的栅极电压会拉低，进而使得流过所述功率NMOS管Q1的电流减小，接着所述电阻R1的电压降也减小，这样所述NPN型三极管Q2关闭，所述功率NMOS管Q1回到正常状态；如此反复，就使得驱动电机电流限制在正常范围内。

当电机发生堵转时，驱动电流增大，在所述电阻R1的压降大幅度增加，这时会使所述NPN型三极管Q2导通把所述功率NMOS管Q1的栅极电压拉低甚至导致所述功率NMOS管Q1关闭，这样就避免了功率NMOS管Q1由于大电流导致过热而损坏。

还可以通过在所述NPN型三极管Q2的发射极接一电阻到地，这样可以通过调节该电阻来调节通过所述功率NMOS管Q1的驱动电流的范围最大值。

综上，本实用新型的有益效果在于：电机启动时对启动电流进行限流，避免了对电源VCC的冲击；同时还可以防止在电机堵转时由于电流过大导致功率NMOS管过热引起损坏。

附图说明

图1为现有技术的直流电机驱动的电路图。

图2为本实用新型的带有限流的直流电机驱动电路的电路图。

图3为本实用新型的带有限流的直流电机驱动电路的另一实例的电路图。

具体实施方式

以下结合附图对本

技术实现要素：
进一步说明。

带有限流的直流电机驱动电路，如图2所示，包括开关K、电阻R1、电阻R2、电阻R3、NPN型三极管Q2、功率NMOS管Q1和电机M：

所述开关K的一端接电源VCC，另一端接所述电阻R2的一端；

所述电阻R1的一端接所述NPN型三极管Q2的基极和所述功率NMOS管Q1的源极和衬底，另一端接地；

所述电阻R2的一端接所述开关K的一端，另一端接所述电阻R3的一端和所述NPN型三极管Q2的集电极和所述功率NMOS管Q1的栅极；

所述电阻R3的接所述电阻R2的一端和所述NPN型三极管Q2的集电极和所述功率NMOS管Q1的栅极，另一端接地；

所述NPN型三极管Q2的基极接所述功率NMOS管Q1的源极和衬底和所述电阻R1的一端，集电极接所述电阻R2的一端和所述电阻R3的一端和所述功率NMOS管Q1的栅极，发射极接地；

所述功率NMOS管Q1的栅极接所述电阻R2的一端和所述电阻R3的一端和所述NPN型三极管Q2的集电极，漏极接所述电机M的负极，源极和衬底接在一起再接所述NPN型三极管Q2的基极和所述电阻R1的一端；

所述电机M的正极接电源VCC，负极接所述功率NMOS管Q1的漏极。

电机启动时通过电机的电流也流过所述电阻R1，当启动电流过大时在所述电阻R1产生的电压使得该电压会达到所述NPN型三极管Q2导通，这样所述功率NMOS管Q1的栅极电压会拉低，进而使得流过所述功率NMOS管Q1的电流减小，接着所述电阻R1的电压降也减小，这样所述NPN型三极管Q2关闭，所述功率NMOS管Q1回到正常状态；如此反复，就使得驱动电机电流限制在正常范围内。

当电机发生堵转时，驱动电流增大，在所述电阻R1的压降大幅度增加，这时会使所述NPN型三极管Q2导通把所述功率NMOS管Q1的栅极电压拉低甚至导致所述功率NMOS管Q1关闭，这样就避免了功率NMOS管Q1由于大电流导致过热而损坏。

如图3所示，还可以通过在所述NPN型三极管Q2的发射极接一电阻到地，这样可以通过调节该电阻来调节通过所述功率NMOS管Q1的驱动电流的范围最大值。