充电电路的制作方法

本实用新型涉及给电容器充电的充电电路。

背景技术：

当给电容器充电时，在施加电压时会产生浪涌电流。作为用于抑制浪涌电流的方法，公开了通过插入供电线路中的电阻器来减小浪涌电流的峰值的方法。然而，在通过电阻器减小浪涌电流的情况下，考虑到电阻器的允许功耗，需要使用所谓的大功率电阻器，而这会导致成本和尺寸增加。因此，为了抑制这样的成本和尺寸的增加，有人使用了配置有小的双极型晶体管的恒流电路(例如，JP 2000-289452A(参考文献1)和JP 2012-60697A(参考文献2))。

在参考文献1中，公开了给电动汽车空调设备的电容器充电的通电装置。在该通电装置中，输出晶体管的发射极端子连接至控制晶体管的基极端子，并且输出晶体管的基极端子连接至控制晶体管的集电极端子。电阻器和稳压二极管设置在控制晶体管的基极端子与发射极端子之间。通过基极-发射极电压与齐纳电压和电阻器的总和设置恒定电流值。

在参考文献2中，公开了用于充电的恒流电路。在用于充电的恒流电路中，第一晶体管的集电极端子连接至第二晶体管的基极端子，并且第一晶体管的基极端子连接至第二晶体管的发射极端子。电阻器和二极管设置在第一晶体管的基极端子与发射极端子之间，并且通过基极-发射极电压与二极管和电阻器的正向电压之间的差值设置恒定电流值。

根据参考文献1和2中描述的电路，电容器的充电电流可以被限制成预定的电流值。因此，可以抑制浪涌电流。然而，当电容器的正极端子的电压根据充电而变高并且充电电流变得与预定电流值相比过小时，参考文献1中的输出晶体管断开，并且参考文献2中的第二晶体管断开。在这种情况下，后续充电电流变小至每个晶体管的漏电流的范围(例如，mA级)，而这导致显著增加直至电容器的端子间电压达到电源电压的时间。

技术实现要素：

因此，人们寻求即使在充电电流变得小于预定的电流值的情况下，也能够快速地对电容器进行充电的充电电路。

本实用新型所涉及的充电电路的特征结构在于如下点：为了使用从电源输出的电力给电容器充电，其包括：第一PNP型晶体管、第二PNP型晶体管、第一电阻器、第二电阻器以及电流路径维持单元；其中上述电源连接至上述第一PNP型晶体管的发射极端子，上述第一电阻器连接在上述第一PNP型晶体管的发射极端子与上述第一PNP型晶体管的基极端子之间，上述电容器连接至上述第二PNP型晶体管的集电极端子，上述第二电阻器连接在上述第二PNP型晶体管的集电极端子与上述第二PNP型晶体管的基极端子之间，上述第一PNP型晶体管的基极端子连接至上述第二PNP型晶体管的发射极端子，上述第一PNP型晶体管的集电极端子连接至上述第二PNP型晶体管的基极端子，上述第二PNP型晶体管输出预设电流值或更小值的电流，上述电流路径维持单元设置在上述第一PNP型晶体管的集电极端子与上述第二PNP型晶体管的发射极端子之间，并且从上述电源到上述电容器的电流路径为通过使用上述第一电阻器、上述第二电阻器和上述电流路径维持单元形成。

如果采用这种特征结构，则当以恒定电流对电容器进行充电时，即使在第一PNP型晶体管和第二PNP型晶体管不进行工作的情况下，也能够维持电流路径直到从电源输出的电流通过使用第一电阻器、第二电阻器和电流路径维持单元到达电容器。即使在第一PNP型晶体管和第二PNP型晶体管不进行工作的情况下，也能够确保充电电流至少大于第一PNP型晶体管和第二PNP型晶体管的漏电流，并且能够快速地给电容器充电。

此外，本实用新型所涉及的充电电路的另一特征结构在于如下点：为了使用从电源输出的电力给电容器充电，其包括：第一NPN型晶体管、第二NPN型晶体管、第一电阻器、第二电阻器以及电流路径维持单元；其中上述电容器连接至上述第一NPN型晶体管的发射极端子，上述第一电阻器连接在上述第一NPN型晶体管的发射极端子与上述第一NPN型晶体管的基极端子之间，上述电源连接至上述第二NPN型晶体管的集电极端子，上述第二电阻器连接在上述第二NPN型晶体管的集电极端子与上述第二NPN型晶体管的基极端子之间，上述第一NPN型晶体管的基极端子连接至上述第二NPN型晶体管的发射极端子，上述第一NPN型晶体管的集电极端子连接至上述第二NPN型晶体管的基极端子，上述第二NPN型晶体管输出预设电流值或更小值的电流，上述电流路径维持单元设置在上述第一NPN型晶体管的集电极端子与上述第二NPN型晶体管的发射极端子之间，并且从上述电源到上述电容器的电流路径通过使用上述第一电阻器、上述第二电阻器和上述电流路径维持单元形成。

即使在这种特征结构中，当以恒定电流给电容器充电时，即使在第一NPN型晶体管和第二NPN型晶体管不进行工作的情况下，也能够维持电流路径直到从电源输出的电流通过使用第一电阻器、第二电阻器和电流路径维持单元到达电容器。因此，即使在第一NPN型晶体管和第二NPN型晶体管不进行工作的情况下，也能够确保充电电流至少大于第一NPN型晶体管和第二NPN型晶体管的漏电流，并且能够快速地给电容器充电。

此外，优选上述设定的电流值基于上述第一电阻器和上述第一PNP型晶体管设置，并且上述电流路径维持单元使用第三电阻器来构成，上述第三电阻器的电阻值为基于上述设定的电流值设置。

如果采用这种结构，能够根据电流路径维持单元的第三电阻器的电阻值设置流过第一电阻器和第二电阻器的电流的电流值。因此，通过使电流路径维持单元的第三电阻器的电阻值根据第一电阻器和第二电阻器的允许功耗设置，能够防止第一电阻器和第二电阻器受损。

此外，优选上述设定的电流值基于第一电阻器和第一NPN型晶体管设置，并且上述电流路径维持单元使用第三电阻器来构成，上述第三电阻器的电阻值为基于上述设定的电流值设置。

如果采用这种结构，能够根据电流路径维持单元的第三电阻器的电阻值设置流过第一电阻器和第二电阻器的电流的电流值。因此，通过使电流路径维持单元的第三电阻器的电阻值根据第一电阻器和第二电阻器的允许功耗设置，能够防止第一电阻器和第二电阻器受损。

此外，优选包括估计上述电容器的当前电容值的估计单元，并且上述第三电阻器的电阻值为基于上述估计单元所估计的上述电容值来设置。

如果采用这种结构，当电容器未变质时，电阻值被设置成很大，并且因此能够将电容器快速地充电到预定电压。当电容器变质时，电阻值被设置成很小，并且因此，在所有晶体管处于非工作状态之后，能够确保充电电流大于晶体管的漏电流，并缩短电容器的端子间电压达到电源的输出电压的时间。

此外，优选根据上述电源的输出电压与上述电容器的端子间电压之间的差值以及上述第一电阻器和上述第二电阻器的允许功耗来改变上述第三电阻器的电阻值。

如果采用这种结构，在电容器充电期间或充电后，即使在电源的输出电压由于任何原因一时减小然后该输出电压恢复到所需值的情况下，也能够在防止过大的电流流过第一电阻器和第二电阻器的同时对上述电容器快速地进行充电。因此，能够防止第一电阻器和第二电阻器受损。

附图说明

参照附图，通过以下详细描述将更加明白本实用新型的前述以及其它特征和特点，其中：

图1是根据第一实施例的充电电路的电路图；

图2是图示了电容器的端子间电压的变化的示意图；

图3是根据第二实施例的充电电路的电路图；

图4是图示了电容器的端子间电压的变化的示意图；

图5是根据第三实施例的充电电路的电路图；

图6是图示了电容器的端子间电压的变化的示意图；并且

图7是根据另一个实施例的充电电路的电路图。

具体实施方式

当使用从电源输出的电力给电容器充电时，根据这里公开的实施例的充电电路被配置以缩短电容器的端子间电压达到电源的输出电压(电源电压)的时间。

1.第一实施例

在本文中，将描述根据本实施例的充电电路1。图1图示了根据本实施例的充电电路1的电路图。如图1所示，充电电路1被配置成包括第一PNP型晶体管TR1(以下称为“晶体管TR1”)、第二PNP型晶体管TR2(以下称为“晶体管TR2”)、第一电阻器R1(以下称为“电阻器R1”)、第二电阻器R2(以下称为“电阻器R2”)以及电流路径维持单元30。

晶体管TR1的发射极端子连接至电源2的正极端子。电阻器R1连接在晶体管TR1的发射极端子与晶体管TR1的基极端子之间。晶体管TR2的集电极端子连接至电容器3的正极端子。电阻器R2连接在晶体管TR2的集电极端子与晶体管TR2的基极端子之间。晶体管TR1的基极端子连接至晶体管TR2的发射极端子，并且晶体管TR1的集电极端子连接至晶体管TR2的基极端子。

晶体管TR2输出预设电流值或更小值的电流。这里，当晶体管TR1处于工作状态下时，将电流值为晶体管TR1的基极-发射极电压除以电阻器R1的电阻值所获得的值的电流流过电阻器R1。因此，该“预设电流值”对应于将晶体管TR1的基极-发射极电压(“0.6V”，作为典型值)除以电阻器R1的电阻值所获得的电流值。换句话讲，设定的电流值为基于电阻器R1和晶体管TR1设置。该电流被输出作为晶体管TR2的集电极电流。

根据此配置，当晶体管TR1的集电极电流流过时，电容器3主要由晶体管TR2的集电极电流充电。当电容器3被充电并且电容器3的正极端子的电压Vc变高时，流过电阻器R1的电流变小，并且因此，晶体管TR1处于非工作状态。此时，仅晶体管TR2处于工作状态。然而，甚至在此时，电容器3也主要由晶体管TR2的集电极电流充电。此外，当电容器3的正极端子的电压Vc变高时，晶体管TR2处于非工作状态。

电流路径维持单元30设置在晶体管TR1的集电极端子与晶体管TR2的发射极端子之间。因此，即使当晶体管TR1和晶体管TR2处于非工作状态时，串联电路也由电阻器R1、电阻器R2和电流路径维持单元30组成。因此，电流路径维持单元30维持(形成)电流路径，直至从电源2输出的电流到达电容器3。在本实施例中，该电流路径维持单元30配置有第三电阻器R3(以下称为“电阻器R3”)。

图2图示了当充电电路1给电容器3充电时的电容器3的正极端子的电压Vc的波形。如图2所示，当从电荷未存储在电容器3中的状态(t＝0)执行充电，直至电容器3的正极端子的电压变成“Vin-VBE1-VBE2”(t＝t1)时，电容器3是通过使用根据电阻器R1设置的恒定电流经由电阻器R1和晶体管TR2充电。这里，Vin是电源2的输出电压，VBE1是晶体管TR1处于工作状态下的基极-发射极电压，并且VBE2是晶体管TR2处于工作状态下的基极-发射极电压。

当电容器3的正极端子的电压Vc变高时，晶体管TR1处于非工作状态，并且仅晶体管TR2处于工作状态。此时，电容器3也主要由晶体管TR2的集电极电流充电。此外，当电容器3的正极端子的电压Vc变高时，晶体管TR2处于非工作状态。

这里，由于电阻器R2和电阻器R3，使用的电阻器的电阻值比电阻器R1的电阻值高两个或更多个数量级。因此，在晶体管TR1和晶体管TR2处于非工作状态的情况下，执行充电的电流比当晶体管TR1和晶体管TR2处于工作状态时的电流更小。甚至在这种情况下，当使用不具有电流路径维持单元30的充电电路执行充电时，与图2中的虚线所示的电压波形相比，电容器3的端子间电压能更快速地达到供电电压。

2.第二实施例

在如上所述的实施例中，描述了电流路径维持单元30配置有电阻器R3的配置。然而，在本实施例中，与第一实施例不同的配置在于电阻器R3的电阻值能改变。其它配置类似于第一实施例的配置。以下将描述主要区别。

图3图示了根据本实施例的充电电路1的电路图。如图3所示，根据本实施例的充电电路1被配置为包括晶体管TR1、晶体管TR2、电阻器R1、电阻器R2、电流路径维持单元30、估计单元40和电阻值改变单元50。该晶体管TR1、晶体管TR2、电阻器R1和电阻器R2与第一实施例中的相同，因此省略其描述。

电流路径维持单元30配置有电阻器。该电阻器被配置为其电阻值能被改变。该电阻器可以配置有并联设置的多个电阻器，或者可以配置有可变电阻器。当电阻器配置有并联设置的多个电阻器时，其电阻值可以通过开关被改变。当电阻器配置有可变电阻器时，其电阻值可以根据外部控制信号被改变，例如根据数字电位计中的控制信号被改变。

电流路径维持单元30的电阻器的电阻值基于设定的电流值设置。然而，电流路径维持单元30的电流根据电容器3的电容值而不同。另一方面，由于电容器3因例如温度而随时间变质，所以其电容值减小。因此，从晶体管TR1输出的电流根据电容器3的变质状态而变化。

因此，估计单元40基于电容器3的时间常数τ估计电容器3的当前电容值。已知在电阻器和电容器彼此串联连接的RC串联电路中，电容器3的时间常数τ是表示电容器的正极端子的电压或流过电容器的电流的当时变化的参考的指标。电容器的时间常数τ可以通过“电阻值×电容值”或通过波形的初始阶段的斜率如充电特性和放电特性来获得。

在本实施例中，估计单元40通过以下等式(1)估计电容值C。

C＝I/Vc×t…(1)

这里，t是充电开始后的运行时间，Vc是从充电开始过去了时间t时的电容器3的正极端子的电压，并且I是流过电容器3的电流(充电电流)。估计单元40估计的结果被传送到电阻值改变单元50。

电阻值改变单元50基于估计单元40估计的电容值设置电阻器的电阻值。更具体地讲，随着估计的电容值变大，电阻值改变单元50将电流路径维持单元30的电阻器的电阻值设置成更大，并且随着估计的电容值变小，电阻值改变单元50将电流路径维持单元30的电阻器的电阻值设置成更小。因此，当估计的电容值大时，电容器3的正极端子的电压快速达到预定电压，而当估计的电容值小时，在晶体管TR1和晶体管TR2处于非工作状态之后，确保了充电电流比晶体管TR1和晶体管TR2的漏电流更大。因此，能够缩短电容器的正极端子的电压达到输出电压的时间。

这里，假定电流路径维持单元30配置有电阻值互不相同的三种类型的电阻器。图4图示了此时的电容器3的正极端子的电压Vc的波形。在图4中，在三种类型的电阻器中，Vc1表示在使用具有最小电阻值的电阻器时的波形，Vc3表示在使用具有最大电阻值的电阻器时的波形，而Vc2表示在使用具有最小电阻值与最大电阻值之间的电阻值的电阻器时的波形。如图4所示，使用恒定电流充电在一个范围快速完成，时间常数τ小至该范围(初始阶段的斜率小至该范围)。因此，电阻器的电阻值被设置成小的，并且因此能够增大后续充电电流，从而给电容器3快速充电。在电流路径维持单元30中，多个电阻器的任意电阻器可以具有0Ω的电阻值。

3.第三实施例

在如上所述的第二实施例中描述的配置中，电流路径维持单元30的电阻器的电阻值根据电容器3的估计的电容值而变化。然而，本实施例与第二实施例的配置的不同在于，电流路径维持单元30的电阻器的电阻值根据电源2的输出电压与电容器3的端子间电压之间差值变化。其它配置类似于第二实施例，并且因此，将描述主要区别。

图5图示了根据本实施例的充电电路1的电路图。如图5所示，根据本实施例的充电电路1被配置成包括晶体管TR1、晶体管TR2、电阻器R1、电阻器R2、电流路径维持单元30和电阻值改变单元50。晶体管TR1、晶体管TR2、电阻器R1和电阻器R2与第二实施例的相同，并且因此将省略其描述。

电阻值改变单元50获取电源2的输出电压的电压值。电源2的输出电压对应于充电电路1的输入电压。此外，电阻值改变单元50获取电容器3的端子间电压的测量结果。电容器3的端子间电压是电容器3的正极端子与负极端子之间的电势差。在本实施例中，负极端子接地，并且因此电容器3的端子间电压对应于电容器3的正极端子的电压值。电阻值改变单元50计算获取的电源2的输出电压的电压值与电容器3的正极端子的电压值之间的差值(电势差)。

电阻值改变单元50根据计算获得的电势差计算电阻器R1和电阻器R2的允许功耗，以及能够流过电阻器R1和电阻器R2的电流值。电阻值改变单元50基于电流值改变电流路径维持单元30的电阻器的电阻值。更具体地讲，当假定Vin是电源2的输出电压的电压值，Vc是电容器3的端子间电压，并且r1和r2分别是电阻器R1的电阻值和电阻器R2的电阻值时，电流路径维持单元30的电阻器的电阻值r通过以下等式(2)获得。

r＝(Vin-Vc)/I-(r1+r2)…(2)

这里，I是能够流过电阻器R1的最大电流值、能够流过电阻器R2的最大电流值和考虑到负载减小曲线的允许功耗所获得的最大电流值中的较小的一个电流值。因此，电流路径维持单元30的电阻器的电阻值被设置成一个值，该值等于或大于等式(2)获得的值。

电流路径维持单元30的电阻器的电阻值以此方式设置，并且因此如图6所示，在电容器3充电期间，输入电压Vin在t＝t2和t＝t3之间减小。甚至在电容器3的正极端子的电压Vc减小的情况下，当输入电压Vin恢复并且重新开始充电时，电流路径维持单元30的电阻器的电阻值如上所述被设置，如果电压Vc等于或大于“Vin-VBE1-VBE2”。因此，能够在不损坏电阻器R1和电阻器R2的情况下，在一个比输入电压Vin减小之前经由电流路径维持单元30的电阻器执行充电的时间(从t＝t1至t＝t2的时间)更短的时间(从t＝t3至t＝t4的时间)内使电容器3充电到电源电压。此外，例如，如果在恢复输入电压Vin并且重新开始充电时的电压Vc小于“Vin-VBE1-VBE2”，可以经由晶体管TR1和晶体管TR2执行充电。在电流路径维持单元30中，多个电阻器的任意电阻器可以具有0Ω的电阻值。

4.另一个实施例

在如上所述的实施例中，尽管晶体管TR1和晶体管TR2配置有PNP型双极型晶体管，如图7所示，晶体管TR1和晶体管TR2可以配置有NPN双极型晶体管。在这种情况下，充电电路1被配置成如下。

充电电路1被配置成包括第一NPN型晶体管TR1、第二NPN型晶体管TR2、第一电阻器R1、第二电阻器R2和电流路径维持单元30。第一NPN型晶体管TR1的发射极端子连接至电容器3的正极端子，并且第一电阻器R1连接在第一NPN型晶体管TR1的发射极端子与第一NPN型晶体管TR1的基极端子之间。第二NPN型晶体管TR2的集电极端子连接至电源2的正极端子，并且第二电阻器R2连接在第二NPN型晶体管TR2的集电极端子与第二NPN型晶体管TR2的基极端子之间。

另外，第一NPN型晶体管TR1的基极端子连接至第二NPN型晶体管TR2的发射极端子，并且第一NPN型晶体管TR1的集电极端子连接至第二NPN型晶体管TR2的基极端子。第二NPN型晶体管TR2输出预设电流值或更小的电流，并且电流路径维持单元30设置在第一NPN型晶体管TR1的集电极端子与第二NPN型晶体管TR2的发射极端子之间。因此，即使第一NPN型晶体管TR1和第二NPN型晶体管TR2处于非工作状态，也能够使用第一电阻器R1、第二电阻器R2和电流路径维持单元30维持(形成)从电源2到电容器3的电流路径。

此外，类似于如上所述的实施例，预设电流值为根据第一电阻器R1和第一NPN型晶体管TR1设置，并且电流路径维持单元30可以配置有第三电阻器R3。在这种情况下，第三电阻器R3的电阻值为基于设定的电流值设置。甚至在此配置中，电容器3的端子间电压在电容器3使用恒定电流充电之后可以快速达到电源电压。

本文公开的实施例可以应用于给电容器充电的充电电路。

根据本实用新型的一方面，用于使用从电源输出的电力给电容器充电的充电电路的特征在于，上述充电电路包括第一PNP型晶体管、第二PNP型晶体管、第一电阻器、第二电阻器和电流路径维持单元，其中上述电源连接至上述第一PNP型晶体管的发射极端子，其中上述第一电阻器连接在上述第一PNP型晶体管的发射极端子与上述第一PNP型晶体管的基极端子之间，其中上述电容器连接至上述第二PNP型晶体管的集电极端子，其中上述第二电阻器连接在上述第二PNP型晶体管的集电极端子与上述第二PNP型晶体管的基极端子之间，其中上述第一PNP型晶体管的基极端子连接至上述第二PNP型晶体管的发射极端子，其中上述第一PNP型晶体管的集电极端子连接至上述第二PNP型晶体管的基极端子，其中上述第二PNP型晶体管输出预设电流值或更小值的电流，其中上述电流路径维持单元设置在上述第一PNP型晶体管的集电极端子与上述第二PNP型晶体管的发射极端子之间，并且其中从上述电源到上述电容器的电流路径通过使用上述第一电阻器、上述第二电阻器和上述电流路径维持单元形成。

通过这种配置，当使用恒定电流给电容器充电时，即使在第一PNP型晶体管和第二PNP型晶体管处于非工作状态的情况下，也能够维持电流路径直到从电源输出的电流通过使用第一电阻器、第二电阻器和电流路径维持单元到达电容器。因此，即使在第一PNP型晶体管和第二PNP型晶体管处于非工作状态的情况中，也能够确保充电电流至少大于第一PNP型晶体管和第二PNP型晶体管的漏电流，并且因此能够快速地给电容器充电。

根据本实用新型的另一方面，用于使用从电源输出的电力给电容器充电的充电电路的特征在于，上述充电电路包括：第一NPN型晶体管、第二NPN型晶体管、第一电阻器、第二电阻器以及电流路径维持单元；其中上述电容器连接至上述第一NPN型晶体管的发射极端子，其中上述第一电阻器连接在上述第一NPN型晶体管的发射极端子与上述第一NPN型晶体管的基极端子之间，其中上述电源连接至上述第二NPN型晶体管的集电极端子，其中上述第二电阻器连接在上述第二NPN型晶体管的集电极端子与上述第二NPN型晶体管的基极端子之间，其中上述第一NPN型晶体管的基极端子连接至上述第二NPN型晶体管的发射极端子，其中上述第一NPN型晶体管的集电极端子连接至上述第二NPN型晶体管的基极端子，其中上述第二NPN型晶体管输出预设电流值或更小值的电流，其中上述电流路径维持单元设置在上述第一NPN型晶体管的集电极端子与上述第二NPN型晶体管的发射极端子之间，并且其中从上述电源到上述电容器的电流路径通过使用上述第一电阻器、上述第二电阻器和上述电流路径维持单元形成。

甚至在这种配置中，当使用恒定电流给电容器充电时，甚至在第一NPN型晶体管和第二NPN型晶体管处于非工作状态的情况下，能够维持电流路径直到从电源输出的电流通过使用第一电阻器、第二电阻器和电流路径维持单元到达电容器。因此，甚至在第一NPN型晶体管和第二NPN型晶体管处于非工作状态的情况中，能够确保充电电流至少大于第一NPN型晶体管和第二NPN型晶体管的漏电流，并且因此能够快速地给电容器充电。

在该充电电路中，优选地，设定的电流值为基于第一电阻器和第一PNP型晶体管设置，并且电流路径维持单元配置有第三电阻器，该第三电阻器的电阻值为基于该设定的电流值设置。

通过这种配置，能够根据电流路径维持单元的第三电阻器的电阻值设置流过第一电阻器和第二电阻器的电流的电流值。因此，电流路径维持单元的第三电阻器的电阻值为基于第一电阻器和第二电阻器的允许功耗设置，并且因此能够防止第一电阻器和第二电阻器受损。

在该充电电路中，优选地，设定的电流值为基于第一电阻器和第一NPN型晶体管设置，并且电流路径维持单元配置有第三电阻器，该第三电阻器的电阻值为基于设定的电流值设置。

通过这种配置，能够根据电流路径维持单元的第三电阻器的电阻值设置流过第一电阻器和第二电阻器的电流的电流值。因此，电流路径维持单元的第三电阻器的电阻值为基于第一电阻器和第二电阻器的允许功耗设置，并且因此能够防止第一电阻器和第二电阻器受损。

优选地，充电电路还包括估计电容器的当前电容值的估计单元，并且第三电阻器的电阻值为基于估计单元估计的电容值设置。

通过这种配置，当电容器未变质时，电阻值被设置成很大，并且因此，能够将电容器快速地充电到预定电压。当电容器变质时，电阻值被设置成很小，并且因此，在所有晶体管处于非工作状态之后，能够确保充电电流大于晶体管的漏电流。因此，能够缩短电容器的端子间电压达到电源的输出电压的时间。

在充电电路中，优选地，根据上述电源的输出电压与上述电容器的端子间电压之间的差值以及上述第一电阻器和上述第二电阻器的允许功耗来改变上述第三电阻器的电阻值。

通过这种配置，在电容器充电期间或之后，甚至在电源的输出电压由于任何原因减小然后输出电压恢复到所需值的情况下，在防止过量电流流过第一电阻器和第二电阻器的同时能够对上述电容器快速充电。因此，能够防止第一电阻器和第二电阻器受损。

在上述说明书中已经描述了本实用新型的原理、优选实施例和工作方式。然而，旨在受保护的本实用新型不应当被理解为限于公开的特定实施例。另外，本文所述的实施例应当理解为说明性的，而非限制性的。在不脱离本实用新型的精神的情况下，可以做出变化和修改，或者采用等同设置。因此，明确表示由此包含落入如权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内的所有这些变化、改变和等同物。