1.一种使用从电源输出的电力给电容器充电的充电电路，其包括：
第一PNP型晶体管；
第二PNP型晶体管；
第一电阻器；
第二电阻器；以及
电流路径维持单元，
其中所述电源连接至所述第一PNP型晶体管的发射极端子，
所述第一电阻器连接在所述第一PNP型晶体管的发射极端子与所述第一PNP型晶体管的基极端子之间，
所述电容器连接至所述第二PNP型晶体管的集电极端子，
所述第二电阻器连接在所述第二PNP型晶体管的集电极端子与所述第二PNP型晶体管的基极端子之间，
所述第一PNP型晶体管的基极端子连接至所述第二PNP型晶体管的发射极端子，
所述第一PNP型晶体管的集电极端子连接至所述第二PNP型晶体管的基极端子，
所述第二PNP型晶体管输出预设电流值或更小值的电流，
所述电流路径维持单元设置在所述第一PNP型晶体管的集电极端子与所述第二PNP型晶体管的发射极端子之间，并且
从所述电源到所述电容器的电流路径为通过使用所述第一电阻器、所述第二电阻器和所述电流路径维持单元形成。
2.根据权利要求1所述的充电电路，
其中所述设定的电流值为根据所述第一电阻器和所述第一PNP型晶体管设置，
所述电流路径维持单元配置有第三电阻器，并且
所述第三电阻器的电阻值为基于所述设定的电流值设置。
3.根据权利要求2所述的充电电路，其进一步包括：
估计单元，所述估计单元用于估计所述电容器的当前电容值，
其中所述第三电阻器的电阻值为基于所述估计单元所估计的电容值设置。
4.根据权利要求2所述的充电电路，
其中根据所述电源的输出电压与所述电容器的端子间电压之间的差值以及所述第一电阻器和所述第二电阻器的允许功耗，所述第三电阻器的电阻值被改变。
5.根据权利要求3所述的充电电路，
其中根据所述电源的输出电压与所述电容器的端子间电压之间的差值以及所述第一电阻器和所述第二电阻器的允许功耗，所述第三电阻器的电阻值被改变。
6.一种使用电源输出的电力给电容器充电的充电电路，其包括：
第一NPN型晶体管；
第二NPN型晶体管；
第一电阻器；
第二电阻器；以及
电流路径维持单元，
其中所述电容器连接至所述第一NPN型晶体管的发射极端子，
所述第一电阻器连接在所述第一NPN型晶体管的发射极端子与所述第一NPN型晶体管的基极端子之间，
所述电源连接至所述第二NPN型晶体管的集电极端子，
所述第二电阻器连接在所述第二NPN型晶体管的集电极端子与所述第二NPN型晶体管的基极端子之间，
所述第一NPN型晶体管的基极端子连接至所述第二NPN型晶体管的发射极端子，
所述第一NPN型晶体管的集电极端子连接至所述第二NPN型晶体管的基极端子，
所述第二NPN型晶体管输出预先设定的电流值或更小值的电流，
所述电流路径维持单元设置在所述第一NPN型晶体管的集电极端子与所述第二NPN型晶体管的发射极端子之间，并且
从所述电源到所述电容器的电流路径为通过使用所述第一电阻器、所述第二电阻器和所述电流路径维持单元形成。
7.根据权利要求6所述的充电电路，
其中所述设定的电流值为根据所述第一电阻器和所述第一NPN型晶体管设置，
所述电流路径维持单元配置有第三电阻器，并且
所述第三电阻器的电阻值为基于所述设定的电流值设置。
8.根据权利要求7所述的充电电路，其进一步包括：
估计单元，所述估计单元用于估计所述电容器的当前电容值，
其中所述第三电阻器的电阻值为基于所述估计单元所估计的电容值设置。
9.根据权利要求7所述的充电电路，
其中根据所述电源的输出电压与所述电容器的端子间电压之间的差值以及所述第一电阻器和所述第二电阻器的允许功耗，所述第三电阻器的电阻值被改变。
10.根据权利要求8所述的充电电路，
其中根据所述电源的输出电压与所述电容器的端子间电压之间的差值以及所述第一电阻器和所述第二电阻器的允许功耗，所述第三电阻器的电阻值被改变。