本实用新型涉及开关电源技术领域，具体涉及一种前端抗浪涌电路。
背景技术：
开关电源和作为系统二次电源的DC/DC变换器广泛应用于航天、航空、船舶、兵器、电子、铁路、通信、医疗电子、工业自动化设备等军民用电子系统中。在开关电源开机启动时即输入电源上电时，开关电源的输出电压波形对负载整机系统有很大影响。前端输入电压瞬间上升或者下降而产生的浪涌电压会对开关电源造成不同的冲击，同时对负载造成不同的影响，过大的浪涌电压会产生较大的浪涌电流，不仅会导致开关电源系统发生故障，严重时甚至会损害整机系统的情况。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种前端抗浪涌电路，实现在开关电源前端输入信号产生浪涌时对其波形进行控制，使浪涌电压快速回到安全电压区域，从而保护开关电源系统。
为实现上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：
一种前端抗浪涌电路，包括电源稳压单元、高压浪涌抑制电路、BOOST升压控制电路、输入电压采样单元、MOSFET功率管Q1、MOSFET功率管Q2、MOSFET功率管Q3，所述电源稳压单元的输入端为输入电源信号端，其输出端与高压浪涌抑制电路相连，所述输入电压采样单元的输入端与高压浪涌抑制电路相连， MOSFET功率管Q1的栅极经电阻R1与高压浪涌抑制电路相连，MOSFET功率管Q1的漏极与电源稳压单元的输入端相连，MOSFET功率管Q1的源极依次经采样电阻R2、电感L1与MOSFET功率管Q2的源极相连，MOSFET功率管Q2的栅极经电阻R4与BOOST升压控制电路的控制端相连，MOSFET功率管Q2的漏极为输出信号端，MOSFET功率管Q3的栅极经电阻R5与 BOOST升压控制电路的控制端相连，MOSFET功率管Q3的漏极与MOSFET功率管Q2的漏极相连，MOSFET功率管Q3的源极接地。
还包括第一输出采样单元和第二输出采样单元，所述第一输出采样单元用于调节高压浪涌抑制电路的输出电压，第二输出采样单元用于调节BOOST升压控制电路的输出电压。
所述第一输出采样单元包括两串联的电阻R6和电阻R7，所述电阻R6的另一端与MOSFET功率管Q1的源极相连，所述电阻R7的另一端接地，电阻R6和电阻R7之间的节点与高压浪涌抑制电路相连。
所述第二输出采样单元包括两串联的电阻R8和电阻R9，所述电阻R8的一端与MOSFET功率管Q3的漏极相连，电阻R9的另一端接地，电阻R8和电阻R9之间的节点与BOOST升压控制电路相连。
所述高压浪涌抑制电路采用型号为LT4363的芯片。
所述BOOST升压控制电路采用型号为LTC3763的芯片。
所述电源稳压单元包括电阻R10、电阻R11、二极管D1、二极管D2和三极管V1，所述电阻R10的一端为输入电源信号端，其另一端与三极管V1的基极相连，所述二极管D1的阴极与三极管V1的基极相连，其阳极接地，三极管V1的发射极经电阻R11与二极管D2的阴极相连，二极管D2的阳极接地，三极管V1的集电极与MOSFET功率管Q1的漏极相连，三极管V1的发射极及二极管D2的阴极分别与高压浪涌抑制电路相连。
所述输入电压采样单元包括两串联的电阻R12和电阻R13，电阻R12的另一端与MOSFET功率管Q1的漏极相连，电阻R13的另一端接地，电阻R12和电阻R13之间的节点与高压浪涌抑制电路相连。
由上述技术方案可知，本实用新型所述的前端抗浪涌电路可以有效控制浪涌电压波形，使其避免持续时间长、浪涌电压过大。在前端抗浪涌电路的作用下，可使浪涌电压快速恢复到需要的电压，极大减小浪涌持续的时间，将大大减少对负载的冲击影响，避免过大的浪涌电压和过长的浪涌持续时间产生过大的浪涌电流损坏整机系统电源系统。本实用新型所述的前端抗浪涌电路适用于各种隔离型开关电源或DC/DC变换器。
附图说明
图1是本实用新型的电路图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步说明：
如图1所示，本实施例的前端抗浪涌电路，包括电源稳压单元、高压浪涌抑制电路1、BOOST升压控制电路2、输入电压采样单元、MOSFET功率管Q1、MOSFET功率管Q2、MOSFET功率管Q3、第一输出采样单元和第二输出采样单元，电源稳压单元的输入端为输入电源信号端，其输出端与高压浪涌抑制电路1相连，输入电压采样单元的输入端与高压浪涌抑制电路1相连， MOSFET功率管Q1的栅极经电阻R1与高压浪涌抑制电路1相连，MOSFET功率管Q1的漏极与电源稳压单元的输入端相连，MOSFET功率管Q1的源极依次经采样电阻R2、电感L1与MOSFET功率管Q2的源极相连，MOSFET功率管Q2的栅极经电阻R4与BOOST升压控制电路2的控制端相连，MOSFET功率管Q2的漏极为输出信号端，MOSFET功率管Q3的栅极经电阻R5与 BOOST升压控制电路2的控制端相连，MOSFET功率管Q3的漏极与MOSFET功率管Q2的漏极相连，MOSFET功率管Q3的源极接地。第一输出采样单元用于调节高压浪涌抑制电路1的输出电压，第二输出采样单元用于调节BOOST升压控制电路2的输出电压。
本实施例的，高压浪涌抑制电路1采用型号为LT4363的芯片，BOOST升压控制电路2采用型号为LTC3763的芯片。第一输出采样单元包括两串联的电阻R6和电阻R7，电阻R6的另一端与MOSFET功率管Q1的源极相连，电阻R7的另一端接地，电阻R6和电阻R7之间的节点与高压浪涌抑制电路1的FB端相连。第二输出采样单元包括两串联的电阻R8和电阻R9，电阻R8的一端与MOSFET功率管Q3的漏极相连，电阻R9的另一端接地，电阻R8和电阻R9之间的节点与BOOST升压控制电路2的FB端相连。
电源稳压单元包括电阻R10、电阻R11、二极管D1、二极管D2和三极管V1，电阻R10的一端为输入电源信号端，其另一端与三极管V1的基极相连，二极管D1的阴极与三极管V1的基极相连，其阳极接地，三极管V1的发射极经电阻R11与二极管D2的阴极相连，二极管D2的阳极接地，三极管V1的集电极与MOSFET功率管Q1的漏极相连，三极管V1的发射极与高压浪涌抑制电路1的VCC端相连，二极管D2的阴极与高压浪涌抑制电路1的SHUN端相连。
输入电压采样单元包括两串联的电阻R12和电阻R13，电阻R12的另一端与MOSFET功率管Q1的漏极相连，电阻R13的另一端接地，电阻R12和电阻R13之间的节点与高压浪涌抑制电路1的UV端相连。
输出采样单元对输出电压进行采样并将其送入高压浪涌抑制电路1以及BOOST升压控制电路2内部误差放大单元从而控制各自输出电压。电源稳压单元将产生一个稳定的电压作为高压浪涌抑制电路1的电源电压。高压浪涌抑制电路1对输入浪涌电压信号进行控制，当浪涌电压过大时对其控制在设定范围内， BOOST升压控制电路2对高压浪涌抑制电路1输出电压进行控制，当电压过小时对其升压到所需要的电压，当高压浪涌抑制电路1输出电压在设定正常范围内时，BOOST升压控制电路2不启用升压功能。输入电压采样单元对输入电压进行采样送入高压浪涌抑制电路1从而控制其所能抑制浪涌电压的范围。
高压浪涌抑制电路1和BOOST升压控制电路2为前端抗浪涌电路的核心电路单元，当浪涌电压过小时，高压浪涌抑制电路1的GATE位维持高电平从而保持MOSFET功率管Q1处于导通状态，此时BOOST升压控制电路2起到升压作用；当浪涌电压过大时，高压浪涌抑制电路1将电压钳位在设定电压，BOOST升压控制电路2控制的MOSFET功率管Q2处于始终导通状态；当浪涌电压在一定范围内，高压浪涌抑制电路1和BOOST升压控制电路2各自控制的MOSFET功率管Q1和Q2均处于始终导通状态。BOOST升压控制电路2的ITH端口为环路调整端，SS为软启动端口，使用时在GND之间接一电容。
通过以上技术方案，采用此前端抗浪涌电路结构实现对前端产生的浪涌电压进行控制，防止开关电源工作异常或者损坏，提高了电路安全性和适应性，为负载系统安全提供了保障。
以上所述的实施例仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的范围进行限定，在不脱离本实用新型设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本实用新型的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本实用新型权利要求书确定的保护范围内。