技术总结
本申请公开了一种高压ESD保护触发电路，所述触发电路包括一具有电压钳位的器件，其阴极接输入输出衬垫；一电容，其第一端接输入输出衬垫；一第一电阻和第二电阻；一第一NMOS管，其源极接地，其栅极与所述电容的第二端相连接，其漏极与所述第二电阻的第一端相连接；所述具有电压钳位的器件的阳极与所述第二电阻的第二端相连接，所述第一电阻的一端与所述电容的第二端以及所述第一NMOS管的栅极相连接，所述第一电阻的另一端接地。让大尺寸的驱动NMOS管(N_Driver，N型驱动管)的gate端在ESD时置高电位，均匀开启驱动NMOS管(N_Driver管)的所有沟道帮助泄放ESD电流，提高ESD保护的能力。
技术研发人员：邓樟鹏
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
文档号码：201710004410
技术研发日：2017.01.04
技术公布日：2017.05.31