1.一种PoE供电系统新型雷击防护电路，其特征在于，包括：
PSE直流电源，所述PSE直流电源的正极输出构成正极供电端；
开关控制电路，所述开关控制电路包括若干MOS管和用于控制所述若干MOS管通断的PSE控制芯片，所述若干MOS管的一端并联后与所述PSE直流电源的负极连接，所述若干MOS管的另一端输出构成负极供电端；
第一雷击防护电路，所述第一雷击防护电路连接在所述PSE直流电源负极和接地端之间；
第二雷击防护电路，所述第二雷击防护电路连接在所述PSE直流电源正极和接地端之间。
2.如权利要求1所述的PoE供电系统新型雷击防护电路，其特征在于，所述MOS管的源极与所述PSE直流电源的负极相连，栅极与所述PSE控制芯片相连，所述漏极输出构成负极供电端。
3.如权利要求2所述的PoE供电系统新型雷击防护电路，其特征在于，所述第一雷击防护电路包括并联在所述PSE直流电源负极和接地端之间的若干压敏电阻D1，且所述若干压敏电阻D1与所述若干MOS管的数量比为1:8。
4.如权利要求3所述的PoE供电系统新型雷击防护电路，其特征在于，所述压敏电阻D1的动作电压大于所述MOS管的额定工作电压，小于所述MOS管的最大承受电压。
5.如权利要求4所述的PoE供电系统新型雷击防护电路，其特征在于，所述MOS管为N沟道增强型场效应管。
6.如权利要求1所述的PoE供电系统新型雷击防护电路，其特征在于，所述第二雷击防护电路包括并联在所述PSE直流电源正极和接地端之间的若干压敏电阻D2，且所述若干压敏电阻D2与所述若干MOS管的数量比为1:8。