1.一种低压降极性保护电路，其特征在于，所述低压降极性保护电路包括第一开关器件、第一稳压器件、第一驱动器件、第二开关器件、第二稳压器件、第二驱动器件、第三开关器件、第三稳压器件、第三驱动器件、第四开关器件、第四稳压器件以及第四驱动器件；
所述第一开关器件的第一端、所述第二开关器件的第一端、所述第三驱动器件的第一端以及所述第四驱动器件的第一端共接构成所述低压降极性保护电路的第一输入端，所述第一开关器件的第二端、所述第一稳压器件的第一端、所述第三稳压器件的第一端以及所述第三开关器件的第二端共接构成所述低压降极性保护电路的第一输出端，所述第一开关器件的第三端、所述第一稳压器件的第二端以及所述第一驱动器件的第一端共接，所述第一驱动器件的第二端、所述第三开关器件的第一端、所述第二驱动器件的第二端以及所述第四开关器件的第一端共接构成所述低压降极性保护电路第二输入端，所述第三开关器件的第三端、所述第三稳压器件的第二端以及所述第三驱动器件的第二端共接；所述第二开关器件的第二端、所述第二稳压器件的第二端、所述第四稳压器件的第二端以及所述第四开关器件的第二端共接于所述低压降极性保护电路的第二输出端，所述第二开关器件的第三端、所述第二稳压器件的第一端以及第二驱动器件的第一端共接，所述四开关器件的第三端、第四稳压器件的第一端以及第四驱动器件第二端共接；
所述低压降极性保护电路的第一输入端输入正向电压信号、第二输入端输入负向电压信号时，所述第一驱动器件对所述第一开关器件提供第一驱动电压，驱动所述第一开关器件导通，同时所述第一稳压器件将所述第一驱动电压控制在预设范围，所述第三开关器件被所述第三驱动器件短路而处于关断状态；所述第四驱动器件对所述第四开关器件提供第四驱动电压，驱动所述第四开关器件导通，同时所述第四稳压器件将所述第四驱动电压控制在预设范围，所述第二开关器件被所述第二驱动器件短路而处于关断状态；使所述正向电压信号通过所述第一开关器件从所述低压降极性保护电路的第一输出端输出，所述负向电压信号通过所述第四开关器件从所述低压降极性保护电路的第二输出端输出；
所述低压降极性保护电路的第一输入端输入负向电压信号、第二输入端输入正向电压信号时，所述第二驱动器件对所述第二开关器件提供第二驱动电压，驱动所述第二开关器件导通，同时所述第二稳压器件将所述第二驱动电压控制在预设范围，所述第四开关器件被所述第四驱动器件短路而处于关断状态；所述第三驱动器件对所述第三开关器件提供驱动电压，驱动所述第三开关器件导通，同时所述第三稳压器件将所述第三驱动电压控制在预设范围，所述第一开关器件被所述第一驱动器件短路而处于关断状态；使所述正向电压信号通过所述第三开关器件从所述低压降极性保护电路的第一输出端输出，所述负向电压信号通过所述第二开关器件从所述低压降极性保护电路的第二输出端输出。
2.根据权利要求1所述的低压降极性保护电路，其特征在于，所述第一稳压器件的第一端的极性与所述第一稳压器件的第二端的极性相反，所述第三稳压器件的第一端的极性与所述第三稳压器件的第二端的极性相反，所述第一稳压器件的第二端的极性与所述第三稳压器件的第一端的极性相同；
当所述第一稳压器件处于导通状态时，所述第三稳压器件处于关断状态，所述第一稳压器件将所述第一驱动电压控制在预设范围；当所述第三稳压器件处于导通状态时，所述第一稳压器件处于关断状态，所述第三稳压器件将所述第三驱动电压控制在预设范围。
3.根据权利要求1所述的低压降极性保护电路，其特征在于，所述第二稳压器件的第一端的极性与所述第二稳压器件的第二端的极性相反，所述第四稳压器件的第一端的极性与所述第四稳压器件的第二端的极性相反，所述第二稳压器件的第二端的极性与所述第四稳压器件的第一端的极性相同；
当所述第二稳压器件处于导通状态时，所述第四稳压器件处于关断状态，所述第二稳压器件将所述第二驱动电压控制在预设范围；当所述第四稳压器件处于导通状态时，所述第二稳压器件处于关断状态，所述第四稳压器件将所述第四驱动电压控制在预设范围。
4.根据权利要求1所述的低压降极性保护电路，其特征在于，所述第一开关器件包括第一PMOS管Q1，所述第一PMOS管Q1的漏极为所述第一开关器件的第一端，所述第一PMOS管Q1的源极为所述第一开关器件的第二端，所述第一PMOS管Q1的栅极为所述第一开关器件的第三端。
5.根据权利要求1所述的低压降极性保护电路，其特征在于，所述第二开关器件包括第一NMOS管Q2，所述第一NMOS管Q2的漏极为所述第二开关器件的第一端，所述第一NMOS管Q2的源极为所述第二开关器件的第二端，所述第一NMOS管Q21的栅极为所述第二开关器件的第三端。
6.根据权利要求1所述的低压降极性保护电路，其特征在于，所述第三开关器件包括第二PMOS管Q3，所述第二PMOS管Q3的漏极为所述第三开关器件的第一端，所述第二PMOS管Q3的源极为所述第三开关器件的第二端，所述第二PMOS管Q3的栅极为所述第三开关器件的第三端。
7.根据权利要求1所述的低压降极性保护电路，其特征在于，所述第四开关器件包括第二NMOS管Q4，所述第二NMOS管Q4的漏极为所述第四开关器件的第一端，所述第二NMOS管Q4的源极为所述第四开关器件的第二端，所述第二NMOS管Q4的栅极为所述第四开关器件的第三端。
8.根据权利要求1所述的低压降极性保护电路，其特征在于，所述第一稳压器件包括第一二极管Z1，所述第二稳压器件包括第二二极管Z2，所述第三稳压器件包括第三二极管Z3，所述第四稳压器件包括第四二极管Z4；
所述第一二极管Z1的负极端为所述第一稳压器件的第一端，所述第一二极管Z1的正极端为所述第一稳压器件的第二端；所述第二二极管Z2的负极端为所述第二稳压器件的第一端，所述第二二极管Z2的正极端为所述第二稳压器件第二端；所述第三二极管Z3的负极端为所述第三稳压器件的第一端，所述第三二极管Z3的正极端为所述第三稳压器件第二端；所述第四二极管Z4的负极端为所述第四稳压器件的第一端，所述第四二极管Z1的正极端为所述第四稳压器件第二端。
9.根据权利要求1所述的低压降极性保护电路，其特征在于，所述第一驱动器件包括第一电阻R1，所述第二驱动器件包括第二电阻R2，所述第三驱动器件包括第三电阻R3，所述第四驱动器件包括第四电阻R4；
所述第一电阻R1的第一端为所述第一驱动器件的第一端，所述第一电阻R1的第二端为所述第一驱动器件的第二端；所述第二电阻R2的第一端为所述第二驱动器件的第一端，所述第二电阻R2的第二端为所述第二驱动器件的第二端；所述第三电阻R3的第一端为所述第三驱动器件的第一端，所述第三电阻R3的第二端为所述第三驱动器件的第二端；所述第四电阻R4的第一端为所述第四驱动器件的第一端，所述第四电阻R4的第二端为所述第四驱动器件的第二端。
10.一种POE系统，包括供电设备和受电设备，其特征在于，所述POE系统还包括如权利要求1～9任一项所述的低压降极性保护电路，所述低压极性保护电路的第一输入端和第二输入端对应连接所述供电设备的两个电能输出端，所述低压极性保护电路的第一输出端和第二输出端对应连接所述受电设备电能两个电能输入端。