一种径向牵引减速装置的制作方法

技术特征：

1.一种径向牵引减速装置，包括外转子(1)、磁钢(2)、绕组(5)、内转子(4)和控制器(3)，其特征在于：若干磁钢(2)固定在外转子(1)的内壁上，外转子(1)的一端设有法兰联接端用于联接驱动设备，内转子(4)装在外转子(1)内腔中，绕组(5)固定在内转子(4)的外侧面上，绕组(5)与磁钢(2)之间在径向方向设有间隙，内转子(4)的一端设有法兰联接端用于联接负载，控制器(3)装在内转子(4)的法兰联接端上且与绕组(5)连接，控制器(3)通过测速元件实时检测内转子(4)转速，反馈信号控制绕组(5)中串接的双向可控硅进行调节绕组(5)中的电流。

2.根据权利要求1所述的一种径向牵引减速装置，其特征在于：所述控制器(3)还能通过滑环或者无线接收装置与外部控制装置连接。

3.根据权利要求1所述的一种径向牵引减速装置，其特征在于：所述控制器(3)由三个双向可控硅TS1、TS2、TS3、三个光耦合可控硅控制器MOC1、MOC2、MOC3、三个测速元件HALL-A、HALL-B、HALL-C、十九个电阻R1～R10、R13～R21、五个电容C1～C3、C6、C7、三个开关K1～K3、石英晶体振荡器TND和单片机PWM调控系统U1构成，三个双向可控硅TS1、TS2、TS3分别串接在绕组(5)A、B、C三相中，电阻R1与电容C1串联后与第一双向可控硅TS1的两主电极并联，电阻R2与电容C2串联后与第二双向可控硅TS2的两主电极并联，电阻R3与电容C3串联后与第三双向可控硅TS3的两主电极并联，电阻R4串接在第一光耦合可控硅控制器MOC1的6脚与第一双向可控硅TS1的一个主电极之间，第一双向可控硅TS1的门极和电阻R5的一端与第一光耦合可控硅控制器MOC1的4脚连接，电阻R5的另一端与第一双向可控硅TS1的另一个主电极连接后与绕组(5)A相的回路A′连接，第一光耦合可控硅控制器MOC1的1脚与电阻R10的一端连接，电阻R10的另一端与电源Vcc连接，第一光耦合可控硅控制器MOC1的2脚与第二光耦合可控硅控制器MOC2的1脚连接，电阻R6串接在第二光耦合可控硅控制器MOC2的6脚与第二双向可控硅TS2的一个主电极之间，第二双向可控硅TS2的门极和电阻R7的一端与第二光耦合可控硅控制器MOC2的4脚连接，电阻R7的另一端与第二双向可控硅TS2的另一个主电极连接后与绕组(5)B相的回路B′连接，第二光耦合可控硅控制器MOC2的2脚与第三光耦合可控硅控制器MOC3的1脚连接，电阻R8串接在第三光耦合可控硅控制器MOC3的6脚与第三双向可控硅TS3的一个主电极之间，第三双向可控硅TS3的门极和电阻R9的一端与第三光耦合可控硅控制器MOC3的4脚连接，电阻R9的另一端与第三双向可控硅TS3的另一个主电极连接后与绕组(5)C相的回路C′连接，绕组(5)A相的回路A′、绕组(5)B相的回路B′和绕组(5)C相的回路C′连接，第三光耦合可控硅控制器MOC3的3脚与单片机PWM调控系统U1的RC1脚连接，石英晶体振荡器TND与电容C6、C7构成的时钟电路与单片机PWM调控系统U1的CLKOUT/OSC2脚和CLKIN/OSC1脚连接，电阻R16的一端与单片机PWM调控系统U1的RA2脚连接，电阻R16的另一端与电阻R13的一端和第一测速元件HALL-A连接，电阻R17的一端与单片机PWM调控系统U1的RA1脚连接，电阻R17的另一端与电阻R14的一端和第二测速元件HALL-B连接，电阻R18的一端与单片机PWM调控系统U1的RA0脚连接，电阻R18的另一端与电阻R15的一端和第三测速元件HALL-C连接，电阻R13、电阻R14和电阻R15的另一端与电源Vcc连接，三个测速元件HALL-A、HALL-B、HALL-C设在内转子(4)与磁钢(2)对应的位置处，电阻R19、电阻R20和电阻R21的一端分别与单片机PWM调控系统U1的RB2脚、RB1脚和RB0脚连接，电阻R19、电阻R20和电阻R21的另一端与电源Vcc连接，三个开关K1～K3的一端分别与单片机PWM调控系统U1的RB0脚、RB1脚和RB2脚连接，三个开关K1～K3的另一端接地。

4.根据权利要求1或2所述的一种径向牵引减速装置，其特征在于：所述绕组(5)为铁芯绕组或无铁芯绕组中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的一种径向牵引减速装置，其特征在于：所述绕组(5)与磁钢(2)可互换位置，互换位置后控制器(3)安装在外转子(1)的一侧。