技术特征：1.一种短时后备电源电路，其特征在于，包括电源输入控制电路、开关控制电路及充电控制电路；所述电源输入控制电路包括热插拔控制器LTC4218；所述开关控制电路包括第一NMOSFET(Q3)、第二NMOSFET(Q5)及PMOSFT(Q6)；所述充电控制电路包括超级电容E1和超级电容充电器LTC3110；
所述热插拔控制器LTC4218包括GATE引脚、SOURCE引脚、FB引脚及PG引脚，其中GATE引脚分别连接电阻R122和电阻R123的一端，电阻R122另一端分别连接第一NMOSFET(Q3)和第二NMOSFET(Q5)的栅极，电阻R123的另一端通过电容C106接地；第一NMOSFET(Q3)的源极通过电阻R72连接输入电源，第一NMOSFET(Q3)的漏极连接第二NMOSFET(Q5)的漏极，第二NMOSFET(Q5)的源极分别连接SOURCE引脚、电阻R129一端、电容C160一端、电容C161一端、电阻R130一端、电阻R145一端及PMOSFT(Q6)的漏极；电阻R129的另一端分别连接FB引脚和电阻R128一端，电阻R128、电容C160及电容C161的另一端均接地；电阻R130另一端连接PG引脚；
所述超级电容充电器LTC3110包括VCAP引脚、FBVCAP引脚、CMPIN引脚、VMID引脚、MODE引脚、RUN引脚、DIR引脚及![]()
引脚；超级电容的正极分别连接电容C104一端、电阻R143一端、电阻R140一端、电容C162一端及VCAP引脚，电容C104另一端分别连接电容C156一端和VMID引脚；电阻R143另一端分别连接电阻R144一端、电容C163一端及CMPIN引脚；电阻R140另一端分别连接电阻R141一端及FBVCAP引脚；超级电容负极以及电容C156、电阻R144、电容C163、电阻R141、电容C162的另一端均接地；所述DIR引脚分别连接电容C157一端、电阻R146一端及电阻R145另一端，电容C157和电阻R146的另一端均接地；所述![]()
引脚连接电阻R150一端，电阻R150另一端连接PMOSFT(Q6)的栅极；所述MODE引脚和RUN引脚均连接电阻R147一端，电阻R147另一端连接PMOSFT(Q6)的源极。
2.根据权利要求1所述的短时后备电源电路，其特征在于，所述热插拔控制器LTC4218还包括SENSE-引脚、SENSE+引脚、VDD引脚、UV引脚、![]()
引脚、OV引脚、TIMER引脚、INTVCC引脚、GND引脚、IMON引脚及ISET引脚；SENSE-引脚和SENSE+引脚之间串联所述电阻R72后连接所述输入电源，VDD引脚连接所述输入电源；UV引脚和![]()
引脚均分别连接电阻R126和电阻R127的一端，电阻R126的另一端接地，电阻R127的另一端连接5V电源；OV引脚分别连接电阻R124和电阻R125的一端，电阻R124的另一端接地，电阻R125的另一端连接5V电源；TIMER引脚通过电容C18接地，INTVCC引脚通过电容C19接地；GND引脚接地；ISET引脚通过电阻R81接地，IMON引脚通过电阻R131接地。
3.根据权利要求1或2所述的短时后备电源电路，其特征在于，所述超级电容充电器LTC3110还包括SW1引脚、SW2引脚、SVSYS引脚、PROG引脚、FB引脚、![]()
引脚、CAPOK引脚、![]()
引脚、PGND引脚及SGND引脚；SW1引脚和SW2引脚之间串联电感L1；SVSYS引脚分别连接电容C158和电阻R132的一端，电容C158的另一端接地，电阻R132的另一端分别连接VSYS引脚、电容C102一端及电阻R148一端后作为第一输出端，电容C102另一端接地，电阻R148另一端分别连接FB引脚和电阻R149一端，电阻R149另一端接地；PROG引脚串联电阻R135后接地；![]()
引脚连接电阻R137一端，CAPOK引脚连接电阻R138一端，![]()
引脚连接电阻R142一端，电阻R137、电阻R138及电阻R142的另一端连接后作为第二输出端；PGND引脚和SGND引脚均接地。
4.根据权利要求3所述的短时后备电源电路，其特征在于，所述超级电容为3.5F/5.5V的超级电容。
5.根据权利要求4所述的短时后备电源电路，其特征在于，所述超级电容为双电层电容。