1.一种单向可控硅短路保护电路，其特征在于，包括：第一电阻、第二电阻、电容和晶闸管，其中，第一电阻的一端同时连接第二电阻的一端及被保护的至少一个mos管的源极，第一电阻的另一端同时连接电容的一端、晶闸管的阴极并接地；所述第二电阻的另一端同时连接电容的另一端和晶闸管的门极；所述晶闸管的阳极连接被保护的至少一个mos管的栅极。
2.根据权利要求1所述的单向可控硅短路保护电路，其特征在于，所述晶闸管的阳极与被保护的至少一个mos管的栅极之间还设置有二极管。
3.根据权利要求2所述的单向可控硅短路保护电路，其特征在于，所述二极管的阴极连接晶闸管的阳极，所述二极管的阳极连接被保护的至少一个mos管的栅极。
4.根据权利要求1所述的单向可控硅短路保护电路，其特征在于，所述第一电阻采用贴片电阻。
5.根据权利要求1所述的单向可控硅短路保护电路，其特征在于，所述电容采用贴片电容。
6.根据权利要求1所述的单向可控硅短路保护电路，其特征在于，所述晶闸管采用scr单相晶闸管。
7.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至6任意一项所述的单向可控硅短路保护电路。