一种交直流自动适应电源电路的制作方法

文档序号:18500503发布日期:2019-08-23 22:41阅读:328来源:国知局
一种交直流自动适应电源电路的制作方法

本实用新型属于工业生产用电领域,涉及一种交直流自动适应电源电路。



背景技术:

工业现场有时候是交流供电,有时候又会是直流供电。用户会有电源接错的风险。无论是交流直流接错,还是直流的正负极接错,都会对工业生产停滞,甚至会导致产品及设备的损毁,极大造成了财产损失。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于克服上述现有技术的缺点,提供一种交直流自动适应电源电路,实现了一般工业场合的电源盲接输入,提高了直流带载能力,减少了对外干扰。

为达到上述目的,本实用新型采用以下技术方案予以实现:

一种交直流自动适应电源电路,包括MCU、供电模块、整流电路、正极相位电路和负极相位电路;

供电模块为供电模块IN1和供电模块IN2,供电模块IN1和供电模块IN2与整流电路的输入端连接,供电模块IN1通过电阻R3a与MCU的B端口连接,电阻R3a与B端口之间通过稳压管ZD1接地;

MCU的A端口用于对比电压是否达到阈值,B端口用于判断是否有电压, MCU还设置有C端口、D端口、E端口和F端口;C端口为用于驱动三极管TR1 的输出端口,D端口为用于驱动三极管TR2的输出端口;

整流电路的正负极之间串联有限流电阻R1和电容C1,整流电路的正极通过限流电阻R1与电容C1的正极连接,整流电路的输出端分为两路,一路通过DC-DC变换器连接在MCU的V+1端口,另一路通过电阻R2a连接在MCU的A 端口,电阻R2a和A端口之间通过电阻R2b接地,电阻R2a电阻值大于电阻R2b 电阻值;

正极相位电路包括继电器KA1和三极管TR1,三极管TR1的基极与MCU 的C端口连接,发射极接地,集电极接在继电器KA1下端;继电器KA1设置有继电器KA1常开1a和继电器KA1常开1b,继电器KA1常开1a一端连接供电模块IN1,另一端接电容C1的正极;继电器KA1常开1b一端连接供电模块IN2,另一端接电容C1的负极且接地;

负极相位电路包括继电器KA2和三极管TR2,三极管TR2的基极与MCU 的D端口连接,发射极接地,集电极接在继电器KA2下端;继电器KA2设置有继电器KA2常开2a和继电器KA2常开2b,继电器KA2常开2a一端连接供电模块IN2,另一端接在电容C1的正极;继电器KA2常开2b一端连接供电模块 IN1,另一端接在电容C1的负极且接地。

优选的,还包括投切电路,投切电路包括电容C2、继电器KA3和三极管TR3,三极管TR3集电极接地,发射极接在继电器KA3下端,基极分别通过二极管D1 与三极管TR1集电极连接,和二极管D2与三极管TR2集电极连接,二极管D1 和二极管D2正极通过电阻R6与三极管TR3基极连接;三极管TR3基极连接有电阻R7的一端,电阻R7的另一端连接在继电器KA3的V+2端;继电器KA1设置有继电器KA3常开3a和继电器KA3常开3b,电容C2将继电器KA3常开3a 的一端和继电器KA3常开3b的一端串联,继电器KA3常开3a的另一端连接在电容C1的正极,继电器KA3常开3b的另一端接地。

进一步,继电器KA1、继电器KA2和继电器KA3均并联有二极管,每个二极管的负极分别连接在继电器KA1、继电器KA2和继电器KA3的V+2端。

进一步,三极管TR1和三极管TR2均采用NPN三极管,三极管TR3采用 PNP三极管。

优选的,电阻R3a阻值为400KΩ,稳压管ZD1稳定电压值为5.1V,电阻R2a 阻值为400KΩ,电阻R2b阻值为4.7KΩ,电阻R1阻值为3.3Ω,电阻R7阻值为 10KΩ。

优选的,三极管TR1的基极与MCU的C端口之间串联有电阻R4,电阻R4 阻值为1KΩ;三极管TR2的基极与MCU的D端口之间串联有电阻R5,电阻R5 阻值为1KΩ;三极管TR3的基极连接有电阻R6的一端,电阻R6的另一端分别与二极管D1和二极管D2正极连接,电阻R7的一端位于三极管TR3的基极与电阻R6一端之间,电阻R6阻值为1KΩ。

优选的,MCU采用STC12C5201。

优选的,MCU的E端口和F端口分别连接有光电耦合器。

与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:

本实用新型供电模块IN1和供电模块IN2先通过整流电路整流后,通过 DC-DC变换器变换处理,输出V+1给MCU供电,输出V+2给继电器供电。MCU 得电后,首先通过A端口判断是否小于设定的电压阈值,如果否,DC-DC变换器输出其它两路电源MCU的E端口和F端口无输出;如果是,再通过B点判断出输入的极性,然后通过C端口或D端口的输出,驱动三极管TR1或三极管TR2,将正确的极性切换到电容C1上。并通过E和F端口有序的控制其它输出,以减少直流供电时候负载对供电电源的冲击。实现了一般工业场合的电源盲接输入,避免电源接错导致的设备受损及生产停滞,提高了直流带载能力,减少了对外干扰。

进一步,通过设置有投切电路,是在MCU判断是直流输入时,相当于在电容C1上再并联一个电容C2,该电容的并入,是针对在输出功率不变的情况下,因为输入电压降低,需要更大的输入电流,同时也需要较大的输入滤波电容才能达到好的电磁兼容效果,而电容C2的投入解决了这个问题。

附图说明

图1为本实用新型的电路示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步详细描述:

参见图1所示,包括MCU、供电模块、整流电路、正极相位电路、负极相位电路和投切电路;

供电模块为供电模块IN1和供电模块IN2,供电模块IN1和供电模块IN2与整流电路的输入端连接,供电模块IN1通过电阻R3a与MCU的B端口连接,电阻R3a与B端口之间通过稳压管ZD1接地;电阻R3a阻值为400KΩ,稳压管ZD1 稳定电压值为5.1V。

MCU采用STC12C5201,MCU的A端口用于对比电压是否达到阈值,B端口用于判断是否有电压,MCU还设置有C端口、D端口、E端口和F端口;C 端口为用于驱动三极管TR1的输出端口,D端口为用于驱动三极管TR2的输出端口,E端口和F端口为控制其它输出的端口,E端口和F端口分别连接有光电耦合器。

整流电路的正负极之间串联有限流电阻R1和用于滤波储能的电容C1,整流电路的正极通过限流电阻R1与电容C1的正极连接,整流电路的输出端分为两路,一路通过DC-DC变换器连接在MCU的V+1端口给MCU供电,输出V+2给继电器供电,另一路通过电阻R2a连接在MCU的A端口,电阻R2a和A端口之间通过电阻R2b接地,电阻R2a电阻值大于电阻R2b电阻值;电阻R2a阻值为400KΩ,电阻R2b阻值为4.7KΩ,电阻R1阻值为3.3Ω。

正极相位电路包括继电器KA1和三极管TR1,三极管TR1采用NPN三极管,三极管TR1的基极与MCU的C端口连接,发射极接地,集电极接在继电器KA1 下端;继电器KA1设置有继电器KA1常开1a和继电器KA1常开1b,继电器 KA1常开1a一端连接供电模块IN1,另一端接电容C1的正极;继电器KA1常开1b一端连接供电模块IN2,另一端接电容C1的负极且接地,三极管TR1的基极与MCU的C端口之间串联有电阻R4,电阻R4阻值为1KΩ。

负极相位电路包括继电器KA2和三极管TR2,三极管TR2采用NPN三极管,三极管TR2的基极与MCU的D端口连接,发射极接地,集电极接在继电器KA2 下端;继电器KA2设置有继电器KA2常开2a和继电器KA2常开2b,继电器 KA2常开2a一端连接供电模块IN2,另一端接在电容C1的正极;继电器KA2 常开2b一端连接供电模块IN1,另一端接在电容C1的负极且接地,三极管TR2 的基极与MCU的D端口之间串联有电阻R5,电阻R5阻值为1KΩ。

投切电路包括电容C2、继电器KA3和三极管TR3,三极管TR3采用PNP 三极管,三极管TR3集电极接地,发射极接在继电器KA3下端,基极分别通过二极管D1与三极管TR1集电极连接,和二极管D2与三极管TR2集电极连接,二极管D1和二极管D2正极通过电阻R6与三极管TR3基极连接;三极管TR3 基极连接有电阻R7的一端,电阻R7的另一端连接在继电器KA3的V+2端;继电器KA1设置有继电器KA3常开3a和继电器KA3常开3b,电容C2将继电器KA3常开3a的一端和继电器KA3常开3b的一端串联,继电器KA3常开3a的另一端连接在电容C1的正极,继电器KA3常开3b的另一端接地,电阻R7阻值为10KΩ,三极管TR3的基极连接有电阻R6的一端,电阻R6的另一端分别与二极管D1和二极管D2正极连接,电阻R7的一端位于三极管TR3的基极与电阻 R6一端之间,电阻R6阻值为1KΩ。

本实用新型通过微处理器MCU的介入,完成了交流到直流的电路处理,首先整流全桥不分极性和高低地将外接电压输入,内部电路得电后工作,通过 DC-DC变换器变换处理,输出V+1给MCU供电,此时仅提供维持MCU工作的小能量。然后MCU通过A点开始对比电压是否达到阈值,当小于设定阈值时,为直流,当大于设定阈值时,为交流:

当输入是交流时,直接输出所需多路电压。

当判断是直流时,再通过B点判断输入的极性,若B点上有电压,证明为直流正极,若B点上无电压,证明为直流负极。

然后通过C或D的输出,驱动三极管TR1或三极管TR12,绕过浪涌限制电阻,绕过整流硅桥,将正确的极性投切到输入电容C1上。并同时投切进去一个低压的电容C2,增大电源的直流状态的输入电容,提高抗输出冲击能力。然后再按负载轻重,分时控制电子开关输出不同的电压,减少对直流输入母线的冲击。

以上内容仅为说明本实用新型的技术思想,不能以此限定本实用新型的保护范围,凡是按照本实用新型提出的技术思想,在技术方案基础上所做的任何改动,均落入本实用新型权利要求书的保护范围之内。

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