管导通，而开启该启动单元。2.如权利要求1所述的保护装置，其特征在于，该二极管的输入端以电性连接外部的电压源的正电压源，该电压源的电压范围在(T10v之间。3.如权利要求2所述的保护装置，其特征在于，该二极管为稽纳二极管，该稽纳二极管的电压范围在2.0~62V之间。4.如权利要求3所述的保护装置，其特征在于，该可变电阻器的第一接脚以电性连接外部的电压源的负电压源。5.如权利要求4所述的保护装置，其特征在于，该第一晶体管为PNP型晶体管。6.如权利要求5所述的保护装置，其特征在于，该第二晶体管为N通道的空乏型金氧半场效晶体管。7.如权利要求6所述的保护装置，其特征在于，该外部的电压源小于该二极管的电压时，该射极接脚至该集极接脚间的电压为0.5~0.9V。8.如权利要求7所述的保护装置，其特征在于，该外部的电压源大于二极管的电压时，该射极接脚至该集极接脚间的电压等于该射极接脚至该基极接脚间的电压加上该基极接脚至电路接地端的电压。9.如权利要求8所述的保护装置，其特征在于，该第一晶体管的基极接脚至电路接地端的电压为外部的电压源减去二极管的电压乘于该可变电阻器的分压比。10.如权利要求9所述的保护装置，其特征在于，该可变电阻器的电阻值范围在(Γ500ΚΩ 之间。11.一种简易型欠电压的保护装置，其电性连接外部的电压源，其特征在于，包括: 一电压检测单元，包含: 一二极管，其具有一输入端及一输出端，该输入端以电性连接外部的电压源； 一可变电阻器，其具有一第一接脚、一第二接脚及一第三接脚，该可变电阻器的第一接脚以电性连接该保护装置的电路接地端，并电性连接外部的电压源，该可变电阻器的第三接脚与该二极管的输出端电性连接； 一第一晶体管，其具有一集极接脚、一射极接脚及一基极接脚，该第一晶体管的射极接脚与该可变电阻器的第一接脚及该电路接地端电性连接，该第一晶体管的基极接脚与该可变电阻器的第二接脚电性连接； 一固定电阻器，其上具有一输入端及一输出端，该输入端电性连接该保护装置的电路电源，该固定电阻器的输出端与该第一晶体管的集极接脚电性连接；及 一启动单元，包含: 一第二晶体管，其上具有一源极接脚、一汲极接脚及一闸极接脚，该第二晶体管的源极接脚与该第一晶体管的射极接脚及该电路接地端电性连接，该第二晶体管的汲极接脚与该保护装置的电路电源电性连接； 一反向器，其具有一输入端级一输出端，该反向器的输入端与该固定电阻器的输出端及该第一晶体管的集极接脚电性连接，该反向器的输出端与该第二晶体管的闸极接脚电性连接； 其中，在外部的电压源小于该二极管的电压时，该第一晶体管的集极至射极的电压等于电路电源，该反向器的输出为低电位，且该启动单元的第二晶体管为截止；在外部的电压源大于该二极管的电压时，该第一晶体管的基极至射极的电压大于顺向导通电压，且该集极至射极的电压等于饱和电压，该反向器的输出为高电位，且该启动单元的第二晶体管为导通。12.如权利要求11所述的保护装置，其特征在于，该二极管的输入端以电性连接外部的电压源的正电压源，该电压源的电压范围在(T10v之间。13.如权利要求12所述的保护装置，其特征在于，该二极管为稽纳二极管，该稽纳二极管的电压范围在2.0~62V之间。14.如权利要求13所述的保护装置，其特征在于，该可变电阻器的第一接脚以电性连接外部的电压源的负电压源。15.如权利要求14所述的保护装置，其特征在于，该第一晶体管为NPN型晶体管。16.如权利要求15所述的保护装置，其特征在于，该第二晶体管为N通道的空乏型金氧半场效晶体管。17.如权利要求16所述的保护装置，其特征在于，该外部的电压源大于该二极管的电压时，该第一晶体管的基极至射极电压的顺向导通电压为0.6~1.1V，该第一晶体管的集极至射极电压的饱和电压为0.2~0.4V。18.如权利要求17所述的保护装置，其特征在于，该第一晶体管的基极接脚至电路接地端的电压为外部的电压源减去二极管的电压乘于该可变电阻器的分压比。19.如权利要求18所述的保护装置，其特征在于，该可变电阻器的电阻值范围在(Γ500ΚΩ 之间。20.一种简易型欠电压的保护装置，其电性连接外部的电压源，其特征在于，包括: 一电压检测单元，包含: 一二极管，其具有一输入端及一输出端，该输入端以电性连接外部的电压源； 一可变电阻器，其具有一第一接脚、一第二接脚及一第三接脚，该可变电阻器的第一接脚以电性连接该保护装置的电路接地端，并电性连接外部的电压源，该可变电阻器的第三接脚与该二极管的输出端电性连接； 一第一晶体管，其具有一源极接脚、一汲极接脚及一闸极接脚，该第一晶体管的源极接脚与该可变电阻器的第一接脚及该电路接地端电性连接，该第一晶体管的闸极接脚与该可变电阻器的第二接脚电性连接； 一固定电阻器，其上具有一输入端及一输出端，该固定电阻器的输入端电性连接该保护装置的电路电源，该固定电阻器的输出端与该第一晶体管的汲极接脚电性连接；及 一启动单元，包含: 一第二晶体管，其上具有一源极接脚、一汲极接脚及一闸极接脚，该第二晶体管的源极接脚与该第一晶体管的源极接脚及该电路接地端电性连接，该第二晶体管的汲极接脚与该保护装置的电路电源电性连接； 一反向器，其具有一输入端级一输出端，该反向器的输入端与该固定电阻器的输出端及该第一晶体管的汲极接脚电性连接，该反向器的输出端与该第二晶体管的闸极接脚电性连接； 其中，在外部的电压源小于二极管电压，第一晶体管的闸极至源极的电压小于第一晶体管的闸极至源极的临界电压时，该第一晶体管不导通，该汲极至源极电压等于电路电源，使该反向器的输出为低电位，该启动单元的第二晶体管为截止；在外部的电压源大于二极管电压，第一晶体管的闸极至源极的电压大于第一晶体管的闸极至源极的临界电压时，该第一晶体管导通，该汲极至源极电压等于零伏特，该反向器的输出为高电位，且该启动单元的第二晶体管为导通。21.如权利要求20所述的保护装置，其特征在于，该二极管的输入端以电性连接外部的电压源的正电压源，该电压源的电压范围在0~ 100V之间。22.如权利要求21所述的保护装置，其特征在于，该二极管为稽纳二极管，该稽纳二极管的电压范围在2.0~62V之间。23.如权利要求22所述的保护装置，其特征在于，该可变电阻器的第一接脚以电性连接外部的电压源的负电压源。24.如权利要求23所述的保护装置，其特征在于，该第一晶体管及该第二晶体管为N通道的空乏型金氧半场效晶体管。25.如权利要求24所述的保护装置，其特征在于，该第一晶体管的闸极接脚至电路接地端的电压为外部的电压源减去二极管的电压乘于该可变电阻器的分压比。26.如权利要求25所述的保护装置，其特征在于，该可变电阻器的电阻值范围在(Γ500ΚΩ 之间。
【专利摘要】本发明涉及一种简易型欠电压的保护装置，包括：一电压检测单元及一启动单元。该电压检测单元包含有一二极管、一可变电阻器、一晶体管及一固定电阻器。该启动单元包含有一第二晶体管。在外部的电压源小于该二极管的电压，第一晶体管的射极接脚至该集极接脚间的电压小于第二晶体管的闸极接脚至该源极接脚间的临界电压时，第二晶体管不导通，而关闭该启动单元；在外部的电压源大于二极管的电压，且第一晶体管的射极接脚至该集极接脚间的电压大于第二晶体管的闸极接脚至该源极接脚间的临界电压，则第二晶体管导通，而开启该启动单元。本发明利用少数的电子零件制作成简易型欠电压的保护装置，使线路简易，让制作上更加容易，可以大幅度降低制作成本。
【IPC分类】H02H3/24
【公开号】CN105576601
【申请号】CN201410543021
【发明人】陈联兴, 蔡正特, 黄盛亘
【申请人】博大科技股份有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2014年10月15日