一种全桥驱动电路的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本实用新型属于电机驱动技术领域，特别涉及一种全桥驱动电路。
【背景技术】
[0002]现有的桥式电机驱动一般由4只功率MOS管做开关，配合晶体管驱动电路构成完整的桥式驱动电路，电路结构见图1，该电路由两个结构完全相同的部分组成，即图1中的A部分和B部分，由于两个部分结构完全相同，现已A部分为例描述电路原理:HA和LA分别为上桥和下桥的驱动输入端，二极管ADl和电容AEl组成自举升压电路，保证MOS管VTl导通时有足够的Vgs，使其保持完全导通，当LA为高电平HA为低电平时，LA端的高电平通过三极管NI的发射极电阻AR9使NI的发射极也为高电平，使NI截止不导通，15V电压通过电阻AR6使三极管NI的集电极和P3的基极处形成约为15V的电位，该电位将使得P3截止，切断15V向MOS管VT2提供的驱动电压，同时LA送来的高电平还通过电阻ARlO到达三极管N2的基极使N2导通，N2集电极与VT2相连接，N2导通将拉低VT2栅极电压，使得VT2完全可靠截止，BC2接在VT2的GS引脚上，用于消除VT2栅极的毛刺干扰。
[0003]当HA为低电平时通过AR3加到三极管Vl的基极，使Vl截止，15V电压通过二极管ADl分成三路，一路通过ARl加到Vl集电极和Pl基极相连处使得该节点处电位约为15V，P1由于基极电位升高二截止不导通，一路加在Pl的发射极，另一路加在电容AEl的正极，并通过AEl的负极连接到U相电机输出接口和与U相电机输出接口连接的电阻AR8形成回路对AEl充电。
[0004]当HA输入高电平时LA还保持这高电平，使下桥的VT2截止，HA输入的高电平通过AR3和Vl的发射极电阻AR4形成回路使Vl导通，其集电极电位下降，这样将使Pl的基极电位也下降，继而Pl导通，AEl上的充的电通过Pl经过二极管AD2和充电电阻AR2加到VTl的栅极使VTl导通同时在二极管AD2的正极处连接了 P2基极和放电电阻AR5，充电电流在AD2和AR2上产生了一个反向电压时P2截止，完成一个上桥导通过程。
[0005]当HA为低电平时上桥会截止不导通，LA也为低电平时VCC电压NI通过，和NI的发射极电阻AR9形成基极回路，NI导通，由于LA为低电平，通过ARlO使得N2基极为低电平所以N2截止不导通，NI导通后它的集电极电位变低这将引起P3的基极电位变低，P3导通，15V通过P3再经过AR7加到VT2的栅极使VT2导通，完成一个下桥导通过程。
[0006]该电路结构复杂，使用器件多，需要4个带互补输出的1口驱动，同时PffM不能做到100%占空比，另外如果自举电容AEl(以U相为例)长期工作后容量减少，会造成上桥自举电压不足，进而造成驱动电压不足，造成VTl不能完全打开，产生的损耗变大，VTl发热严重，最终导致损坏。
[0007]因此需要一种新型的全桥驱动电路来解决上述问题，使得驱动电压更加稳定。
【发明内容】
[0008]针对现有技术的不足，本实用新型的目的是提供本实用新型提供一种全桥驱动电路在长期的使用中保证了驱动电压的可靠与稳定。
[0009]—种全桥驱动电路，所述全桥驱动电路包括上桥驱动和下桥驱动，所述上桥部分包括A部分，所述下桥部分包括B部分和C部分，所述A部分具体为:继电器Kl的I，4脚和二极管DI的负极连接到12V电压，所述继电器Kl的常闭触点2脚和MOS管VT2的漏极共同连接到M+接口，所述继电器Kl的常开触点3脚连接MOS管VTI的漏极并共同连接到M-接口上，所述继电器线圈Kl的5脚和所述二极管Dl的正极相连并和三极管Vl的集电极相连接，所述三极管Vl的发射极连接到GND;
[0010]所述B部分具体为:CWD接口通过电阻R9连接到三极管V3的基极，所述三极管V3的发射极通过电阻R12连接到GND端，所述三极管V3的集电极则与三极管P2的基极和电阻R5—端共同连接R5的一端，所述R5的另一端则与三极管P2的发射极共同连接到12V电压上，所述三极管P2的集电极连接到电阻R13—端，并且与三极管P4的基极和二极管D3的正极相连接，所述电阻R13的另一端和所述三极管P4的集电极共同连接到VTl的源极，所述二极管D3的负极通过R3连接到P4的发射极并共同连接到VTl的栅极，电容C3的两端分别连接于VTl的栅极和源极上；
[0011 ]所述C部分具体为:CCWD通过R8连接到三极管V2的基极，所述三极管V2的发射极通过RlO接到GND上，所述三极管V2的集电极与三极管Pl的基极和电阻R2的一端共同相连接，所述电阻R2的另一端和所述三极管Pl的发射极共同连接到12V电源上，所述三极管Pl的集电极、二极管D2正极Rll的一端和三极管P3的基极共同相连接，同时电阻Rll的另一端和三极管P3的集电极共同连接到VT2的S极，所述二极管D2的负极通过电阻R4连接到VT2的栅极上C2两端分别连接于VT2的栅极和源极上；
[0012]所述VTl和所述VT2的源极共同连接到采样电阻R16//R17的一端，所述R16//R17的另一端连接到GND，所述R16//R17与所述VTl和VT2的源极连接的节点上同时连接了 R6和R14，一路经过所述电阻R6连接到电容Cl的一端和隔离电阻R7，并通过R7输出采样信号送到OPCRU接口上，另一路经过所述电阻R14连接电容C4的一端和隔离电阻R15，并通过隔离电阻R15输出采样信号送到ADCRU接口上，所述电容Cl和电容C4的另一端相连接并共同接到GND端；
[0013]其中M+和M-为电机的两个输出接口连接电机。
[0014]本实用新型的技术方案具有以下有益效果:
[0015]本实用新型公开的一种全桥驱动电路，只需要3个1口驱动，可以不用互补输出的PWM，上桥由原来的24颗器件缩减到4颗，装配效率增加，同时取消了自举升压电路，杜绝了驱动电压不足的问题，对控制驱动的单片机不需要专用的互补输出型PWM外设。
【附图说明】
[0016]下面通过附图和实施例，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。
[0017]图1是本实用新型现有技术的电路图；
[0018]图2是本实用新型的全桥驱动电路的电路图。
【具体实施方式】
[0019]为了清楚了解本实用新型的技术方案，将在下面的描述中提出其详细的结构。显然，本实用新型实施例的具体施行并不足限于本领域的技术人员所熟习的特殊细节。本实用新型的优选实施例详细描述如下，除详细描述的这些实施例外，还可以具有其他实施方式。
[0020]下面结合附图和实施例对本实用新型做进一步详细说明。
[0021]如图2所示，为本实施例提出的全桥驱动电路，包括上桥驱动和下桥驱动，上桥部分包括A部分，下桥部分包括B部分和C部分，图2的A部分中，继电器Kl的I，4脚和二极管Dl的负极连接到12 V，KI的2脚(常闭触点)和MOS管VT2的D极(漏极)共同连接到M+接口，继电器K2的3脚(常开触点)连接MOS管VTl的D极(漏极)并共同连接到M-接口上。继电器的5脚和二极管Dl的正极相连并和三极管Vl的集电极相连接，Vl的发射极连接到GND，FBD控制端通过电阻Rl连接到三极管Vl的基极，当FBD端输入高电平将使Vl导通，12V经过继电器Kl的4脚到5脚经过Vl的集电极和发射极将形成一个电流回路，继电器得点进而吸合，使触点I和3接通，反之FBD输入低电平Vl将截止切断继电器的电流回路，继电器失电而不能吸合恢复到初始状态，它的I脚将和2脚接通，继电器失电产生的自感电动式将通过Dl释放，减少对电路的干扰。
[0022]下桥电路为B和C部分，CWD接口通过电阻R9连接到三极管V3的基极，V3的发射极通过一个电阻R12连接到GND端，V3的集电极则与P2三极管的基极和电阻R5—端共同连接R5的另一端则与P2的发射极共同连接到12V电压上，其P2的集电极连接到