一种mosfet桥电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及通信技术领域，特别涉及一种MOSFET桥电路。
【背景技术】
[0002]目前业界使用在PoE上的二极管整流桥电路，存在效率低、输出功率越大发热越高的缺点，无法在大功率的ro设备上使用。随着通信产品的功能越来越多，产品的功耗也跟着越来越大，如PoE+、PoE++等产品的应用。同时，随着全球气候变暖，全球降水量重新分配、冰川和冻土消融、海平面上升等，既危害自然生态系统的平衡，更威胁人类的生存。MOSFET桥的应用可以大大提高效率、节约能源、降低温室效应、缓解全球变暖趋势。目前PoE设备上使用的桥电路主要有两种:二极管整流桥堆。和以Linear公司为代表的TOBC器件。二极管整流桥堆只能应用在低功耗的产品上，随着产品功耗的增加效率越低，发热量越大，整流桥堆上的功耗为P (W) = 1.4 (V) ^1ut(A) ? TOBC器件价格昂贵，其电路内部使用升压方式处理，来驱动8个N-channel M0SFET，原理复杂不易实现，难以大规模量产使用。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种结构简单、容易实现，能够降低功耗和减小发热量的MOSFET桥电路。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种MOSFET桥电路，包括:电位提取电路、MOS管驱动电路、第一 PMOS管、第二 PMOS管、第一 NMOS管及第二 NMOS管。
[0005]所述电位提取电路设置有正极电源输入端口、负极电源输入端口、高电位提取输出端口及低电位提取输出端口。
[0006]所述MOS管驱动电路上设置有高电位输入端口、低电位输入端口、第一 PMOS管栅极驱动端口、第一 PMOS管源极驱动端口、第二 PMOS管栅极驱动端口、第二 PMOS管源极驱动端口、第一 NMOS管栅极驱动端口、第一 NMOS管源极驱动端口、第二 NMOS管栅极驱动端口及第二 NMOS管源极驱动端口。
[0007]所述高电位提取输出端口与所述高电位输入端口连接；所述低电位提取输出端口与所述低电位输入端口连接。
[0008]所述第一 PMOS管栅极驱动端口与所述第一 PMOS管的栅极连接；所述第一 PMOS管源极驱动端口与所述第一 PMOS管的源极连接；所述第二 PMOS管栅极驱动端口与所述第二PMOS管的栅极连接；所述第二 PMOS管源极驱动端口与所述第二 PMOS的源极连接；所述第一 NMOS管栅极驱动端口与所述第一 NMOS管的栅极连接；所述第一 NMOS管源极驱动端口与所述第一 NMOS管的源极连接；所述第二 NMOS管栅极驱动端口与所述第二 NMOS管的栅极连接；所述第二 NMOS管源极驱动端口与所述第二 NMOS管的源极连接。
[0009]所述第一 PMOS管的漏极与所述第二 PMOS管的漏极连接形成PoE电源正极输出端；所述第一 NMOS管的漏极与所述第二 NMOS管的漏极连接形成PoE电源负极输出端。
[0010]进一步地，还包括:PoE电源正极输出端口及PoE电源负极输出端口 ；
[0011]所述PoE电源正极输出端口与所述PoE电源正极输出端连接；所述POE电源负极输出端口与所述PoE电源负极输出端连接。
[0012]本实用新型提供的MOSFET桥电路，当正极电源输入端口与PoE供电电源的正极连接，负极电源输入端口与PoE供电电源的负极连接时，第一 PMOS管和第一 NMOS管打开，PoE电源正极输出端输出整流后的PoE电源正极，PoE电源负极输出端输出整流后的PoE电源负极。当正极电源输入端口连接PoE供电电源负极，负极电源输入端口连接PoE供电电源正极时，第二 PMOS管和第二 NMOS管打开，PoE电源正极输出端输出整流后的PoE电源负极，PoE电源负极输出端输出整流后的PoE电源正极。本实用新型提供的MOSFET桥电路具备以下有益效果:
[0013]1、采用四个MOS管形成MOSFET桥，由于MOS管导通压降小，避免了采用二极管整流桥时产生的功率耗散失，减小了发热量及噪声。
[0014]2、采用四个MOS管形成MOSFET桥，其本身耗散功率低，因此实现了能量的高效转化，并且工作电流小于1mA。
[0015]3、本实用新型提供几个简单的输入输出端口(分别为正极电源输入端口、负极电源输入端口、PoE电源正极输出端口及PoE电源负极输出端口)，结构简单，可以大规模量产使用。
[0016]4、完全兼容IEEE802.3af/at/PoE+/PoE++等H)设备，通过MOS管等的器件选型，本实用新型甚至能兼容更高功率的设备。
[0017]5、能够同时兼容RJ45两对和四对线的应用，即当采用RJ45两对线(线I和线2，线3和线6)进行供电时，使用一组本实用新型电路即可输出整流后的正负电源；当采用RJ45四对线(线I和线2，线3和线6，线4和线5，线7和线8)进行供电时，使用两组本实用新型电路即可输出整流后的正负电源。
[0018]6、根据器件的耐压值，本实用新型可以支持最大10V的设备，选择耐压值较高的器件，本实用新型甚至能支持更高需求的电压。可以支持1500V的Surge电压。可以在125°C，甚至更高的温度下工作。本实用新型仅采用2个PMOS和2个NM0S，成本低，采用分压降压方式驱动MOS管更可靠。
【附图说明】
[0019]图1为本实用新型实施例提供的MOSFET桥电路结构示意图。
【具体实施方式】
[0020]如图1所示，本实用新型实施例提供了一种MOSFET桥电路，包括:电位提取电路3、MOS管驱动电路4、第一 PMOS管5、第二 PMOS管6、第一 NMOS管7及第二 NMOS管8。
[0021]如图1所示，电位提取电路3设置有正极电源输入端口 1、负极电源输入端口 2、高电位提取输出端口 11及低电位提取输出端口 12。
[0022]如图1所示，MOS管驱动电路4上设置有高电位输入端口 13、低电位输入端口 14、第一 PMOS管栅极驱动端口 15、第一 PMOS管源极驱动端口 16、第二 PMOS管栅极驱动端口17、第二 PMOS管源极驱动端口 18、第一 NMOS管栅极驱动端口 19、第一 NMOS管源极驱动端口 20、第二 NMOS管栅极驱动端口 21及第二 NMOS管源极驱动端口 22。
[0023]如图1所示，高电位提取输出端口