专利名称：表面声波器件及其所用的压电基体的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种表面声波器件及其所用的压电基体。
近年来，包括携带式活动电话的各种移动通讯终端器件已被广泛使用。非常希望减少这种终端器件的尺寸和重量以使其更加轻便。为了减小终端器件的尺寸和重量，实质上必须使它们的电子部件的尺寸和重量减小。基于此，可使尺寸和重量减小的表面声波器件，即表面声波滤波器通常用在终端器件的高中频部件中。这种器件由位于其压电基体表面的用于激发、接收、反射和传播表面声波的交叉指型电极组成。
用于表面声波器件的压电基体重要的性能是表面波速(SAW速度)，滤波器中心频率或谐振器谐振频率的温度系数(频率温度系数TCF)，以及机电耦合因子(K2)。下表1列出了目前已知的常用于表面声波器件的压电基体的性能。有关这些性能的详细内容，可参考Yasutaka，SHIMIZU，“SAW材料的传播性能及其目前的应用”，电子学会学报，信息与通讯工程A，Vol.J76-A，NO.2，PP.129-137(1993)。下文中，用于表面声波器件的压电基体将参考表1中的标识。
表1
从表1中可以看出，目前已知的压电基体可分成包括128LN，64LN和36LT的具有高的SAW速度和高的机电耦合因子的一组和包括LT112和ST石英晶体的具有低SAW速度和低机电耦合因子的一组。属于有高SAW速度和机电耦合因子(128LN，64LN和36LT)一组的压电基体用于终端器件的高频部件的表面声波滤波器。属于有低的SAW速度和低机电耦合因子(LT112和ST石英晶体)的一组压电基体用于终端器件的中频部件的表面声波滤波器。
实际上各种体系都用于全世界范围内的移动通讯器件，尤其是携带式移动电话，并且都用于频率为1GHz数量级。因此，用于终端器件高频部件的滤波器有约1GHz的中心频率。表面声波滤波器具有与所用压电基体的SAW速度大体上成正比并且几乎与成型于基体上的电极指针宽度成反比。因此，为使这些滤波器在高频下操作，优选利用有高的SAW速度的基体，如128LN，64LN和36LT。而且用于高频部件的滤波器需要20MHz或更宽的通频带宽。然而，为了得到这样宽的通频带，压电基体必须有大的机电耦合因子K2。为此，128LN，64LN和36LT用的更多。
另一方面，移动通讯终端器件使用70-300MHz的中频带。当用表面声波器件构造成中心频率在此频带的滤波器时，如果上述128LN，64LN和36LT用作压电基体，在基体上形成的电极指针的宽度必须远大于用作高频部件的上述滤波器的宽度。
尤其是，下面的方程(1)大体上适用于形成表面声波滤波器的表面声波变频器的电极指针的宽度d，表面声波滤波器的中心频率f0，和所用的压电基体的SAW速度V之间的关系。
f0＝V/(4d)………(1)假定SAW速度是4000m/s，如果构造出中心频率是1GHz的表面声波滤波器，则它的电极指针的宽度可由方程(1)计算d＝4000(m/s)/(4×1000(MHz))＝1μm另外，当用SAW速度是4000m/s的压电基体构造出中心频率是100MHz的中频滤波器，则它所需要的电极指针的宽度可为d＝4000(m/s)/(4×100(MHz))＝10μm从而，所需要的电极指针的宽度是高频部件滤波器的10倍。电极指针宽度值大意味着表面声波中频滤波器本身变大。因此，为了制造出小的表面声波中频滤波器，必须使用SAW速度V低的压电基体，这与方程(1)中理解的一致。
为于此，SAW速度低的LT112和ST石英晶体被用作表面声波中频滤波器的压电基体。ST石英晶体尤其适用，因为其基本频率温度系数TCF是0。因为ST石英晶体的机电耦合因子K2低，只可获得窄的通频带的滤波器。但是，因为它是使信号通过单窄通道的中频滤波器的功能，ST石英晶体具有低的机电耦合因子的事实不会产生问题。
但是，近年来数字移动通讯系统已发展并付诸使用。这些系统赢得了迅速的认可，因为它们具有有效利用频率信息，与数字数据通讯兼容等性能。当用表面声波器件构造具有如此宽的通频带的中频滤波器时，很难使用ST石英晶体基体。为了进一步减小移动通讯终端的尺寸以提高其可携带性，需更减少表面声波中频滤波器的安装面积。然而，因为被认为适宜于表面声波中频滤波器的ST石英晶体和LT112的SAW速度超过3100m/sec，进一步的减小是困难的。
如上所述，当用具有高的机电耦合因子如128LN，64LN和36LT的压电基体构造用于中频的表面声波器件时，尽管可得到宽的通频带，器件的尺寸必须大，因为基体的SAW速度快。另一方面，当用具有低的SAW速度的压电基体如ST石英晶体和LT112构造用于中频的表面声波器件以减小器件的尺寸时，可得到宽的通频带，因为基体的机电耦合因子低。因此，得不到两方面性能都很优良的用于中频的表面声波器件。
因此，本发明的目的是提供一种小型化的频带宽的中频表面声波器件。
本发明的另一目的是提供一种具有高的机电耦合因子和低的SAW速度的用于表面声波器件的压电基体。
本发明的以上和其它目的可由包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极的表面声波器件实现。其中压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；发现用欧拉(Euler)角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在以下之一中第一区表示为-2.5°≤Φ≤2.5°，30°≤θ≤90°，和-65°≤φ≤65°，第二区表示为-2.5°≤Φ≤2.5°，120°≤θ≤155°，和65°≤φ≤85°，第三区表示为-2.5°≤Φ≤2.5°，120°≤θ≤155°，和-85°≤φ≤-65°，第四区表示为2.5°≤Φ≤7.5°，30°≤θ≤90°，和-75°≤φ≤60°，第五区表示为2.5°≤Φ≤7.5°，120°≤θ≤150°，和75°≤φ≤85°，第六区表示为2.5°≤Φ≤7.5°，120°≤θ≤155°，和-85°≤φ≤-60°，第七区表示为7.5°≤Φ≤12.5°，30°≤θ≤100°，和-80°≤φ≤55°，第八区表示为7.5°≤Φ≤12.5°，120°≤θ≤150°，和75°≤φ≤85°，第九区表示为7.5°≤Φ≤12.5°，110°≤θ≤155°，和-85°≤φ≤-55°，第十区表示为12.5°≤Φ≤17.5°，20°≤θ≤105°，和-85°≤φ≤50°，第十一区表示为12.5°≤Φ≤17.5°，125°≤θ≤140°，和80°≤φ≤85°，第十二区表示为12.5°≤Φ≤17.5°，115°≤θ≤155°，和-85°≤φ≤-50°，第十三区表示为17.5°≤Φ≤22.5°，25°≤θ≤70°，和-80°≤φ≤-20°，第十四区表示为17.5°≤Φ≤22.5°，25°≤θ≤110°，和-20°≤φ≤40°，第十五区表示为17.5°≤Φ≤22.5°，115°≤θ≤155°，和-80°≤φ≤-45°，第十六区表示为22.5°≤Φ≤27.5°，25°≤θ≤70°，和-85°≤φ≤-20°，第十七区表示为22.5°≤Φ≤27.5°，25°≤θ≤145°，和-20°≤φ≤40°，第十八区表示为22.5°≤Φ≤27.5°，110°≤θ≤155°，和-80°≤φ≤-40°，第十九区表示为27.5°≤Φ≤32.5°，25°≤θ≤70°，和-85°≤φ≤-30°，第二十区表示为27.5°≤Φ≤32.5°，30°≤θ≤150°，和-30°≤φ≤40°，第二十一区表示为27.5°≤Φ≤32.5°，110°≤θ≤155°，和-85°≤φ≤-30°。
本发明的以上和其它目的也可由用于表面声波器件的压电基体实现。其特征在于压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向其中在以下之一中第一区表示为-2.5°≤Φ≤2.5°，30°≤θ≤90°，和-65°≤φ≤65°，第二区表示为-2.5°≤Φ≤2.5°，120°≤θ≤155°，和65°≤φ≤85°，第三区表示为-2.5°≤Φ≤2.5°，120°≤θ≤155°，和-85°≤φ≤-65°，第四区表示为2.5°≤Φ≤7.5°，30°≤θ≤90°，和-75°≤φ≤60°，第五区表示为2.5°≤Φ≤7.5°，120°≤θ≤150°，和75°≤φ≤85°，第六区表示为2.5°≤Φ≤7.5°，120°≤θ≤155°，和-85°≤φ≤-60°，第七区表示为7.5°≤Φ≤12.5°，30°≤θ≤100°，和-80°≤φ≤55°，第八区表示为7.5°≤Φ≤12.5°，120°≤θ≤150°，和75°≤φ≤85°，第九区表示为7.5°≤Φ≤12.5°，110°≤θ≤155°，和-85°≤φ≤-55°，第十区表示为12.5°≤Φ≤17.5°，20°≤θ≤105°，和-85°≤φ≤50°，第十一区表示为12.5°≤Φ≤17.5°，125°≤θ≤140°，和80°≤φ≤85°，第十二区表示为12.5°≤Φ≤17.5°，115°≤θ≤155°，和-85°≤φ≤-50°，第十三区表示为17.5°≤Φ≤22.5°，25°≤θ≤70°，和-80°≤φ≤-20°，第十四区表示为17.5°≤Φ≤22.5°，25°≤θ≤110°，和-20°≤φ≤40°，第十五区表示为17.5°≤Φ≤22.5°，115°≤θ≤155°，和-80°≤φ≤-45°，第十六区表示为22.5°≤Φ≤27.5°，25°≤θ≤70°，和-85°≤φ≤-20°，第十七区表示为22.5°≤Φ≤27.5°，25°≤θ≤145°，和-20°≤φ≤40°，第十八区表示为22.5°≤Φ≤27.5°，110°≤θ≤155°，和-80°≤φ≤-40°，第十九区表示为27.5°≤Φ≤32.5°，25°≤θ≤70°，和-85°≤φ≤-30°，第二十区表示为27.5°≤Φ≤32.5°，30°≤θ≤150°，和-30°≤φ≤40°，第二十一区表示为27.5°≤Φ≤32.5°，110°≤θ≤155°，和-85°≤φ≤-30°。
本发明基于实验认知，当用化学式Ca3TaGa3Si2O14(下文中，将由Ca，Ta，Ga和Si组成的单晶称为“CTGS单晶”)表示的单晶具有切割角和表面声波传播方向的特定组合，以致用欧拉角(Φ，θ，φ)表示Φ，θ，φ时，它们出现在第一区至第二十一区内，可以得到表示为SAW速度小于3100m/sec并且机电耦合因子大于0.2％的性能。
本发明欲通过用CTGS单晶作为表面声波器件的基体，和在特定的范围内选择晶体的切割角和表面声波的传播方向来得到具有优良性能的表面声波器件。
本发明中，CTGS晶体最优选Ca3TaGa3Si2O14。然而，各元素间的成分比可稍有变化以不削弱本发明的技术优势为宜。另外，CTGS单晶可含有不可避免的杂质如Al，Zr，Fe，Ce，Nd和Pt。而且，CTGS单晶可有氧缺陷。制造CTGS单晶的方法不受特别的限定。普通的晶体生长工艺如CZ工艺可用于制造CTGS单晶。
要指出的是CTGS单晶是三角晶系，因此由于晶体对称存在着欧拉角的互相等同的组合。在三角晶系基体中，Φ＝120°-240°和Φ＝240°-360°(-120°-0°)等于Φ＝0°-120°；θ＝360°-180°(0°--180°)等于θ＝0°-180°；φ＝270°-90°等于φ＝-90°-90°。例如，Φ＝130°和Φ＝250°等于Φ＝10°；θ＝330°等于θ＝30°；φ＝240°等于φ＝60°。
另外，在三角晶系基体中，其在所有的切割角和所有传播方向的性能可通过确定Φ从0°至30°范围内的性能值来获知。
因此，为了获知其在所有的切割角和所有传播方向的性能，仅研究其在Φ0＝0°-30°，θ0＝0°-180°；和φ0＝-90°-90°范围内的性能则可。基于组合(Φ0，θ0，φ0)，可以获知在Φ＝30°-120°范围内显示出同样性能的等同组合。实际上，在30°≤Φ≤60°范围内，通过Φ＝60°-Φ0，θ＝180°-θ0和φ＝φ0可以得到等于(Φ0，θ0，φ0)的(Φ，θ，φ)；在60°≤Φ≤90°范围内，通过Φ＝60°+Φ0，θ＝180°-θ0和φ＝-φ0可以得到等于(Φ0，θ0，φ0)的(Φ，θ，φ)；在90°≤Φ≤120°范围内，通过Φ＝120°-Φ0，θ＝θ0和φ＝-φ0可以得到等于(Φ0，θ0，φ0)的(Φ，θ，φ)。结果，基于上述对称性质，可以获知所有(Φ，θ，φ)的CTGS单晶基体的性能。
下面开始的是有代表性的等同组合。
与(0°，140°，25°)等同的是(60°，40°，25°)，(60°，40°，-25°)和(120°，140°，-25°)并且由于Φ＝120°等于Φ＝0°，(0°，140°，-25°)也与(0°，140°，25°)等同。
第一区至第二十一区包括了由上述方式得到的所有的等同(Φ，θ，φ)的组合。
一般地，根据本发明的表面声波器件很适合于用在频带为10-500MHz，尤其是10-300MHz。
另外，根据本发明的表面声波器件对制造出小的表面声波延迟元件也很有用，因为它的SAW速度低。
图1是表示本发明优选实施方式的表面声波器件透视图。
图2是表示当压电基体的Φ，θ，和φ分别是0°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时表面声波器件的SAW速度等值图。
图3是表示当压电基体的Φ，θ，和φ分别是0°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时表面声波器件的机电耦合因子等值图。
图4是表示当压电基体的Φ，θ，和φ分别是0°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时表面声波器件的频率温度系数(TCF)等值图。
图5是表示当压电基体的Φ，θ，和φ分别是5°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时表面声波器件的SAW速度等值图。
图6是表示当压电基体的Φ，θ，和φ分别是5°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时表面声波器件的机电耦合因子等值图。
图7是表示当压电基体的Φ，θ，和φ分别是5°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时表面声波器件的频率温度系数(TCF)等值图。
图8是表示当压电基体的Φ，θ，和φ分别是10°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时表面声波器件的SAW速度等值图。
图9是表示当压电基体的Φ，θ，和φ分别是10°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时表面声波器件的机电耦合因子等值图。
图10是表示当压电基体的Φ，θ，和φ分别是10°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时表面声波器件的频率温度系数(TCF)。
图11是表示当压电基体的Φ，θ，和φ分别是15°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时表面声波器件的SAW速度等值图。
图12是表示当压电基体的Φ，θ，和φ分别是15°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时表面声波器件的机电耦合因子等值图。
图13是表示当压电基体的Φ，θ，和φ分别是15°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时表面声波器件的频率温度系数(TCF)等值图。
图14是表示当压电基体的Φ，θ，和φ分别是20°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时表面声波器件的SAW速度等值图。
图15是表示当压电基体的Φ，θ，和φ分别是20°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时表面声波器件的机电耦合因子等值图。
图16是表示当压电基体的Φ，θ，和φ分别是20°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时表面声波器件的频率温度系数(TCF)等值图。
图17是表示当压电基体的Φ，θ，和φ分别是25°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时表面声波器件的SAW速度等值图。
图18是表示当压电基体的Φ，θ，和φ分别是25°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时表面声波器件的机电耦合因子等值图。
图19是表示当压电基体的Φ，θ，和φ分别是25°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时表面声波器件的频率温度系数(TCF)等值图。
图20是表示当压电基体的Φ，θ，和φ分别是30°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时表面声波器件的SAW速度等值图。
图21是表示当压电基体的Φ，θ，和φ分别是30°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时表面声波器件的机电耦合因子等值图。
图22是表示当压电基体的Φ，θ，和φ分别是30°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时表面声波器件的频率温度系数(TCF)等值图。
将参考附图来解释本发明的优选实施方式。
图1是表示本发明优选实施方式的表面声波器件透视图。
如图1所示，本发明优选实施方式的表面声波器件由压电基体1表面上的一对交叉指型电极2，2组成。CTGS单晶被用作压电基体1，CTGS单晶有属于点群32的晶型。图1中所示的x，y，和z轴互相垂直。x轴和y轴位于包括压电基体1的表面的平面内并且x轴确定表面声波的传播方向。
压电基体1的尺寸不受限制，但一般在表面声波传播方向是4-10mm并且在与垂直的方向上是2-4mm。压电基体1的厚度可以是0.2-0.4mm。
成型于压电基体1上的用于激发，接收，反射和传播表面声波的交叉指型电极2，2是薄层电极，并且它以周期性长条状方式成型。指型电极制造成此形状以使表面声波的传播方向与X轴的方向一致。指型电极2，2可用铝或铝合金如Al-Cu，通过真空蒸发或溅射法成型。指型电极的指针宽度的适当确定取决于表面声波器件应用的频率，并且在本发明应用的频带下通常是2-10μm。
垂直于压电基体1表面的z轴决定了压电基体从单晶切出的切割角(切割平面)。x轴，y轴和z轴和CTGS单晶的X轴，Y轴和Z轴之间的关系可用欧拉角(Φ，θ，φ)表示。
图2-4分别表示了当压电基体的Φ，θ，和φ分别是0°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时，表面声波器件的SAW速度，机电耦合因子，和频率温度系数(TCF)的等值图。
当Φ是0±2.5°时可得到几乎与图2-4所示的相同的性能。因此，对于图2-4有在1-1区中的Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3000m/s，明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。
区1-1确定如下Φ＝-2.5°-2.5°θ＝30°-90°φ＝-65°-65°区1-1的优选范围，指定为区1-1-1，确定如下Φ＝-2.5°-2.5°θ＝35°-80°φ＝-55°-55°区1-1-1的优选范围，指定为区1-1-1-1，确定如下Φ＝-2.5°-2.5°θ＝45°-70°φ＝-15°-15°区1-1-1的另一优选范围，指定为区1-1-1-2，确定如下Φ＝-2.5°-2.5°θ＝40°-60°φ＝15°-50°仍为区1-1-1的另一优选范围，指定为区1-1-1-3，确定如下Φ＝-2.5°-2.5°θ＝40°-60°φ＝-50°--15°区1-1中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3000m/s，明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。尤其是，在区1-1的优选范围区1-1-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.3％的Φ，θ和φ的组合。另外，在区1-1-1的每一个优选范围区1-1-1-1，1-1-1-2，和1-1-1-3，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.4％的Φ，θ和φ的组合。尤其是，在区1-1-1-1中，有压电基体1的SAW速度极低的至多是2900m/s的Φ，θ和φ的组合。
另外对于图2-4，区1-2中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。
区1-2确定如下Φ＝-2.5°-2.5°θ＝120°-155°φ＝65°-85°区1-2的优选范围，指定为区1-2-1，确定如下Φ＝-2.5°-2.5°θ＝125°-145°φ＝75°-85°区1-2中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。尤其是，在区1-2的优选范围区1-2-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.3％的Φ，θ和φ的组合。
另外对于图2-4，区1-3中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。
区1-3确定如下Φ＝-2.5°-2.5°θ＝120°-155°φ＝-85°--65°区1-3的优选范围，指定为区1-3-1，确定如下Φ＝-2.5°-2.5°θ＝125°-145°
φ＝-85°--75°区1-3中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。尤其是，在区1-3的优选范围区1-3-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.3％的Φ，θ和φ的组合。
图5-7分别表示了当压电基体的Φ，θ，和φ分别是5°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时，表面声波器件的SAW速度，机电耦合因子，和频率温度系数(TCF)的等值图。
当Φ是5±2.5°时可得到几乎与图5-7所示的相同的性能。因此，对于图5-7有在2-1区中的Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3000m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。
区2-1确定如下Φ＝2.5°-7.5°θ＝30°-90°φ＝-75°-60°区2-1的优选范围，指定为区2-1-1，确定如下Φ＝2.5°-7.5°θ＝35°-80°φ＝-65°-50°区2-1-1的优选范围，指定为区2-1-1-1，确定如下Φ＝2.5°-7.5°θ＝45°-70°φ＝-10°-20°区2-1-1的另一优选范围，指定为区2-1-1-2，确定如下Φ＝2.5°-7.5°θ＝35°-60°φ＝-60°--25°区2-1中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3000m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。尤其是，在区2-1的优选范围区2-1-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.3％的Φ，θ和φ的组合。另外，在区2-1-1的每一个优选范围区2-1-1-1和2-1-1-2，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.4％的Φ，θ和φ的组合。尤其是，在区2-1-1-1中，有压电基体1的SAW速度极低的至多是2900m/s的Φ，θ和φ的组合。
另外对于图5-7，区2-2中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。
区2-2确定如下Φ＝2.5°-7.5°θ＝120°-150°φ＝75°-85°区2-2的优选范围，指定为区2-2-1，确定如下Φ＝2.5°-7.5°θ＝125°-145°φ＝80°-85°区2-2中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。尤其是，在区2-2的优选范围区2-2-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.3％的Φ，θ和φ的组合。
另外对于图5-7，区2-3中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。
区2-3确定如下Φ＝2.5°-7.5°θ＝120°-155°φ＝-85°--60°区2-3的优选范围，指定为区2-3-1，确定如下Φ＝2.5°-7.5°θ＝120°-145°
φ＝-85°--70°区2-3-1的优选范围，指定为区2-3-1-1，确定如下Φ＝2.5°-7.5°θ＝130°-140°φ＝-80°--75°区2-3中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。尤其是，在区2-3的优选范围区2-3-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.3％的Φ，θ和φ的组合。另外，在区2-3-1的优选范围区2-3-1-1有压电基体1的机电耦合因子至少是0.4％的Φ，θ和φ的组合。
8-10分别表示了当压电基体的Φ，θ，和φ分别是10°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时，表面声波器件的SAW速度，机电耦合因子，和频率温度系数(TCF)的等值图。
当Φ是10±2.5°时可得到几乎与图8-10所示的相同的性能。因此，对于图8-10有在3-1区中的Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。
区3-1确定如下Φ＝7.5°-12.5°θ＝30°-100°φ＝-80°-55°区3-1的优选范围，指定为区3-1-1，确定如下Φ＝7.5°-12.5°θ＝30°-85°φ＝-75°-40°区3-1-1的优选范围，指定为区3-1-1-1，确定如下Φ＝7.5°-12.5°θ＝45°-70°φ＝-10°-20°
区3-1-1的另一优选范围，指定为区3-1-1-2，确定如下Φ＝7.5°-12.5°θ＝35°-60°φ＝-60°--30°区3-1中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。尤其是，在区3-1的优选范围区3-1-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.3％的Φ，θ和φ的组合。另外，在区3-1-1的每一个优选范围区3-1-1-1和3-1-1-2，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.4％的Φ，θ和φ的组合。尤其是，在区3-1-1-1中，有压电基体1的SAW速度极低的至多是2900m/s的Φ，θ和φ的组合。另外，在区3-1-1-2中，有压电基体1的SAW速度明显低的至多是3000m/s的Φ，θ和φ的组合。
另外对于图8-10，区3-2中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。
区3-2确定如下Φ＝7.5°-12.5°θ＝120°-145°φ＝75°-85°另外对于图8-10，区3-3中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。
区3-3确定如下Φ＝7.5°-12.5°θ＝110°-155°φ＝-85°--55°区3-3的优选范围，指定为区3-3-1，确定如下Φ＝7.5°-12.5°θ＝125°-145°
φ＝-85°--65°区3-3-1的优选范围，指定为区3-3-1-1，确定如下Φ＝7.5°-12.5°θ＝125°-145°φ＝-80°--70°区3-3中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。尤其是，在区3-3的优选范围区3-3-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.3％的Φ，θ和φ的组合。另外，在区3-3-1的优选范围区3-3-1-1，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.4％的Φ，θ和φ的组合。
11-13分别表示了当压电基体的Φ，θ，和φ分别是15°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时，表面声波器件的SAW速度，机电耦合因子，和频率温度系数(TCF)的等值图。
当Φ是15±2.5°时可得到几乎与图11-13所示的相同的性能。因此，对于图11-13有在4-1区中的Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。
区4-1确定如下Φ＝12.5°-17.5°θ＝20°-105°φ＝-85°-50°区4-1的优选范围，指定为区4-1-1，确定如下Φ＝12.5°-17.5°θ＝35°-90°φ＝-10°-30°区4-1的另一优选范围，指定为区4-1-2，确定如下Φ＝12.5°-17.5°θ＝35°-60°φ＝-70°--15°
区4-1-2的优选范围，指定为区4-1-2-1，确定如下Φ＝12.5°-17.5°θ＝40°-55°φ＝-70°--40°区4-1中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。尤其是，在区4-1的优选范围区4-1-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.3％的Φ，θ和φ的组合，并且其压电基体1的SAW速度明显低至多是2900m/s。另外，在区4-1的优选范围区4-1-2中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.3％的Φ，θ和φ的组合。而且，在区在区4-1-2的优选范围区4-1-2-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.4％的Φ，θ和φ的组合。
另外对于图11-13，区4-2中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。
区4-2确定如下Φ＝12.5°-17.5°θ＝125°-140°φ＝80°-85°另外对于图11-13，区4-3中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。
区4-3确定如下Φ＝12.5°-17.5°θ＝115°-155°φ＝-85°--50°区4-3的优选范围，指定为区4-3-1，确定如下Φ＝12.5°-17.5°θ＝120°-145°φ＝-80°--60°
区4-3-1的优选范围，指定为区4-3-1-1，确定如下Φ＝12.5°-17.5°θ＝125°-145°φ＝-80°--65°区4-3中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。尤其是，在区4-3的优选范围区4-3-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.3％的Φ，θ和φ的组合。另外，在区4-3-1的优选范围区4-3-1-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.4％的Φ，θ和φ的组合。
图14-16分别表示了当压电基体的Φ，θ，和φ分别是20°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时，表面声波器件的SAW速度，机电耦合因子，和频率温度系数(TCF)的等值图。
当Φ是20±2.5°时可得到几乎与图14-16所示的相同的性能。因此，对于图14-16有在5-1区中的Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。
区5-1确定如下Φ＝17.5°-22.5°θ＝25°-70°φ＝-80°--20°区5-1的优选范围，指定为区5-1-1，确定如下Φ＝17.5°-22.5°θ＝35°-60°φ＝-75°--35°区5-1-1的优选范围，指定为区5-1-1-1，确定如下Φ＝17.5°-22.5°θ＝35°-55°φ＝-70°--45°区5-1中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。尤其是，在区5-1的优选范围区5-1-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.3％的Φ，θ和φ的组合。另外，在区5-1-1的优选范围区5-1-1-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.4％的Φ，θ和φ的组合。
另外对于图14-16，区5-2中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是2900m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。
区5-2确定如下Φ＝17.5°-22.5°θ＝25°-110°φ＝-20°-40°区5-2的优选范围，指定为区5-2-1，确定如下Φ＝17.5°-22.5°θ＝45°-90°φ＝-15°-25°区5-2中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是2900m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。尤其是，在区5-2的优选范围区5-2-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.3％的Φ，θ和φ的组合。
另外对于图14-16，区5-3中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。
区5-3确定如下φ＝17.5°-22.5°θ＝115°-145°φ＝-80°--45°区5-3的优选范围，指定为区5-3-1，确定如下φ＝17.5°-22.5°θ＝120°-145°
φ＝-80°--55°区5-3-1的优选范围，指定为区5-3-1-1，确定如下φ＝17.5°-22.5°θ＝125°-145°φ＝-80°--65°区5-3中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。尤其是，在区5-3的优选范围区5-3-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.3％的Φ，θ和φ的组合。另外，在区5-3-1的优选范围区5-3-1-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.4％的Φ，θ和φ的组合。
图17-19分别表示了当压电基体的Φ，θ，和φ分别是25°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时，表面声波器件的SAW速度，机电耦合因子，和频率温度系数(TCF)的等值图。
当Φ是25±2.5°时可得到几乎与图17-19所示的相同的性能。因此，对于图14-16有在5-1区中的Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。
区6-1确定如下Φ＝22.5°-27.5°θ＝25°-70°φ＝-85°--20°区6-1的优选范围，指定为区6-1-1，确定如下Φ＝22.5°-27.5°θ＝30°-60°φ＝-80°--40°区6-1-1的优选范围，指定为区6-1-1-1，确定如下Φ＝22.5°-27.5°θ＝35°-55°φ＝-75°--50°
区6-1中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。尤其是，在区6-1的优选范围区6-1-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.3％的Φ，θ和φ的组合。另外，在区6-1-1的优选范围区6-1-1-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.4％的Φ，θ和φ的组合。
另外对于图17-19，区6-2中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是2900m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。
区6-2确定如下Φ＝22.5°-27.5°θ＝25°-145°φ＝-20°-40°区6-2的优选范围，指定为区6-2-1，确定如下Φ＝22.5°-27.5°θ＝50°-95°φ＝-10°-20°区6-2中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是2900m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。尤其是，在区6-2的优选范围区6-2-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.3％的Φ，θ和φ的组合。
另外对于图17-19，区6-3中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。
区6-3确定如φ＝22.5°-27.5°θ＝110°-155°φ＝-80°--40°区6-3的优选范围，指定为区6-3-1，确定如下φ＝22.5°-27.5°
θ＝120°-145°φ＝-80°--50°区6-3-1的优选范围，指定为区6-3-1-1，确定如下φ＝22.5°-27.5°θ＝125°-145°φ＝-80°--60°区6-3中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。尤其是，在区6-3的优选范围区6-3-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.3％的Φ，θ和φ的组合。另外，在区6-3-1的优选范围区6-3-1-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.4％的Φ，θ和φ的组合。
图20-22分别表示了当压电基体的Φ，θ，和φ分别是30°，0°-180°之间的某一特定值，-90°-90°之间的某一特定值时，表面声波器件的SAW速度，机电耦合因子，和频率温度系数(TCF)的等值图。
当Φ是30±2.5°时可得到几乎与图20-22所示的相同的性能。因此，对于图20-22有在7-1区中的Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。
区7-1确定如下Φ＝27.5°-32.5°θ＝25°-70°φ＝-85°--30°区7-1的优选范围，指定为区7-1-1，确定如下Φ＝27.5°-32.5°θ＝35°-60°φ＝-80°--45°区7-1-1的优选范围，指定为区7-1-1-1，确定如下Φ＝27.5°-32.5°θ＝35°-55°
φ＝-80°--55°区7-1中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。尤其是，在区7-1的优选范围区7-1-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.3％的Φ，θ和φ的组合。另外，在区7-1-1的优选范围区7-1-1-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.4％的Φ，θ和φ的组合。
另外对于图20-22，区7-2中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是2900m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。
区7-2确定如下Φ＝27.5°-32.5°θ＝30°-150°φ＝-30°-40°区7-2的优选范围，指定为区7-2-1，确定如下Φ＝27.5°-32.5°θ＝80°-100°φ＝10°-20°区7-2中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是2900m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。尤其是，在区7-2的优选范围区7-2-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.3％的Φ，θ和φ的组合。
另外对于图20-22，区7-3中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。
区7-3确定如下φ＝27.5°-32.5°θ＝110°-155°φ＝-85°--30°区7-3的优选范围，指定为区7-3-1，确定如下
φ＝27.5°-32.5°θ＝120°-145°φ＝-80°--45°区7-3-1的优选范围，指定为区7-3-1-1，确定如下φ＝27.5°-32.5°θ＝125°-145°φ＝-80°--55°区7-3中有Φ，θ和φ的组合，其中压电基体1的SAW速度至多是3100m/s，这明显低于ST石英晶体值，压电基体1的机电耦合因子大并且至少是0.2％，并且频率温度系数(TCF)好。尤其是，在区7-3的优选范围区7-3-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.3％的Φ，θ和φ的组合。另外，在区7-3-1的优选范围区7-3-1-1中，有压电基体1的机电耦合因子至少是0.4％的Φ，θ和φ的组合。
因此，因为压电基体1有高的机电耦合因子，采用其中的Φ，θ和φ的组合落入这些区的压电基体1的表面声波器件有宽的频带，并且因为压电基体1的SAW速度低，器件的尺寸小。实施例首先，制造属于32点群并且可用化学式Ca3TaGa3Si2O14表示的单晶(CTGS单晶)。利用高频加热CZ工艺，即Czochralski生长法来制得CTGS单晶。从得到的CTGS单晶中切出基体以得到用于表面声波器件的压电基体。
接着，一对交叉指型电极2，2在从CTGS单晶切出的压电基体的表面上成型，由此制造表面声波器件。交叉指型电极2，2通过铝的真空蒸发和光刻工艺成型。相应于表面声波波长λ的电极指针间距为60μm。电极指针为20对。电极指针孔缝宽为60λ(3600μm)。电极厚度为0.3μm。
制造了有不同的压电基体的切割角和/或表面声波传播方向的上述结构的大多数表面声波器件，并且测量了它们的SAW速度，机电耦合因子，和频率温度系数(TCF)。将测得的具有以上述方式构造的交叉指型电极2，2的滤波器的中心频率与表面声波波长相乘，得到SAW速度。通过在交叉指型电极2，2之一，如在输入侧测量两端子的电导和电纳，用著名的Smith等效电流模型(Smith’s equivalent circuit model)确定机电耦合因子。此方法在“4.1.2有效的表面声波机电耦合因子”“第一章”“表面声波器件及其应用(电子材料制造协会编辑，The Nikkan Kogyo Shinbun，1978年出版)”有详细解释。SAW速度和机电耦合因子的测量是在器件周围的温度保持在25℃下进行的。频率温度系数(TCF)的测量是在由恒温器控制的温度范围为-20℃-80℃下进行的。实施例1表2表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区1-1(除区1-1-1外)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表2(区1-1)
如表2所示，用压电基体落入区1-1(除区1-1-1外)的每一个样品有至多是3000m/s的SAW速度，大于0.2％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例2表3表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区1-1-1(除区1-1-1-1，1-1-1-2，和1-1-1-3外)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表3(区1-1-1)
如表3所示，用压电基体落入区1-1-1(除区1-1-1-1，1-1-1-2，和1-1-1-3外)的每一个样品有至多是3000m/s的SAW速度，大于0.3％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例3表4表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区1-1-1-1的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表4(区1-1-1-1)
如表4所示，用压电基体落入区1-1-1-1的每一个样品有至多是2900m/s的SAW速度，大于0.4％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例4表5表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区1-1-1-2的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表5(区1-1-1-2)
如表5所示，用压电基体落入区1-1-1-2的每一个样品有至多是3000m/s的SAW速度，大于0.4％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。
实施例5表6表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区1-1-1-3的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表6(区1-1-1-3)
如表6所示，用压电基体落入区1-1-1-3的每一个样品有至多是3000m/s的SAW速度，大于0.4％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例6表7表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区1-2(除区1-2-1外)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表7(区1-2)
如表7所示，用压电基体落入区1-2(除区1-2-2外)的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.2％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例7表8表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区1-2-1的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表8(区1-2-1)
如表8所示，用压电基体落入区1-2-1的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.3％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例8表9表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区1-3(除区1-3-1外)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表9(区1-3)
如表9所示，用压电基体落入区1-3(除区1-3-1外)的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.2％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例9表10表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区1-3-1的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表10(区1-3-1)
如表10所示，用压电基体落入区1-3-1的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.3％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例10表11表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区2-1(除区2-1-1外)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表11(区2-1)
如表11所示，用压电基体落入区2-1(除区2-1-1外)的每一个样品有至多是3000m/s的SAW速度，大于0.2％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例11表12表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区2-1-1(除区2-1-1-1和2-1-1-2外)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表12(区2-1-1)
如表12所示，用压电基体落入区2-1-1(除区2-1-1-1和2-1-1-2外)的每一个样品有至多是3000m/s的SAW速度，大于0.3％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例12表13表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区2-1-1-1的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表13(区2-1-1-1)
<p>接表2
实施例14至19和对比实施例14C至19C为了评价异氰酸酯指数是105时的生产范围，一系列密度标称是1.7Ib/ft3水发泡的聚氨酯泡沫是在不同含量的锡催化剂存在下，由实施例1的多元醇(多元醇A)和一种类似的丙三醇引发的多元醇(多元醇C)来制备的。由山梨醇/水引发多元醇制备的泡沫表现出极好的操作宽度而且一般具有良好的操作特性。该配方和物理性能见表3和4。
表16(区2-2-1)
如表16所示，用压电基体落入区2-2-1的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.3％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例16表17表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区2-3(除区2-3-1外)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表17(区2-3)
如表17所示，用压电基体落入区2-3(除区2-3-1外)的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.2％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例17表18表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区2-3-1(除区2-3-1-1外)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表18(区2-3-1)
如表18所示，用压电基体落入区2-3-1(除区2-3-1-1外)的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.3％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例18表19表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区2-3-1-1的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表19(区2-3-1-1)
如表19所示，用压电基体落入区2-3-1-1的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.4％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例19表20表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区3-1(除区3-1-1外)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表20(区3-1)
如表20所示，用压电基体落入区3-1(除区3-1-1外)的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.2％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例20表21表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区3-1-1(除区3-1-1-1和3-1-1-2外)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表21(区3-1-1)
如表21所示，用压电基体落入区3-1-1(除区3-1-1-1和3-1-1-2外)的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.3％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例21表22表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区3-1-1-1的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表22(区3-1-1-1)
如表22所示，用压电基体落入区3-1-1-1的每一个样品有至多是2900m/s的SAW速度，大于0.4％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例22表23表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区3-1-1-2的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表23(区3-1-1-2)
如表23所示，用压电基体落入区3-1-1-2的每一个样品有至多是3000m/s的SAW速度，大于0.4％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例23表24表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区3-2的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表24(区3-2)
如表24所示，用压电基体落入区3-2的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.2％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例24表25表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区3-3(除区3-3-1外)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表25(区3-3)
如表25所示，用压电基体落入区3-3(除区3-3-1外)的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.2％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例25表26表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区3-3-1(除区3-3-1-1外)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表26(区3-3-1)
如表26所示，用压电基体落入区3-3-1(除区3-3-1-1外)的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.3％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例26表27表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区3-3-1-1的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表27(区3-3-1-1)
如表27所示，用压电基体落入区3-3-1-1的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.4％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例27表28表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区4-1(除区4-1-1和4-1-2外)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表28(区4-1)
如表28所示，用压电基体落入区4-1(除区4-1-1和4-1-2外)的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.2％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例28表29表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区4-1-1的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表29(区4-1-1)
如表29所示，用压电基体落入区4-1-1的每一个样品有至多是2900m/s的SAW速度，大于0.3％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例29表30表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区4-1-2(除区4-1-2-1)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表30(区4-1-2)
如表30所示，用压电基体落入区4-1-2(除区4-1-2-1外)的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.3％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例30表31表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区4-1-2-1的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表31(区4-1-2-1)
如表31所示，用压电基体落入区4-1-2-1的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.4％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例31表32表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区4-2的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表32(区4-2)
如表32所示，用压电基体落入区4-2的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.2％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例32表33表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区4-3(除区4-3-1)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表33(区4-3)
如表33所示，用压电基体落入区4-3(除区4-3-1外)的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.2％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例33表34表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区4-3-1(除区4-3-1-1)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表34(区4-3-1)
如表34所示，用压电基体落入区4-3-1(除区4-3-1-1外)的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.3％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例34表35表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区4-3-1-1的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表35(区4-3-1-1)
如表35所示，用压电基体落入区4-3-1-1的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.4％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实旋例35表36表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区5-1(除区5-1-1)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表36(区5-1)
如表36所示，用压电基体落入区5-1(除区5-1-1外)的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.2％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例36表37表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区5-1-1(除区5-1-1-1)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表37(区5-1-1)
如表37所示，用压电基体落入区5-1-1(除区5-1-1-1外)的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.3％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例37
表38表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区5-1-1-1的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表38(区5-1-1-1)
如表38所示，用压电基体落入区5-1-1-1的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.4％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例38表39表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区5-2(除区5-2-1)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表39(区5-2)
如表39所示，用压电基体落入区5-2(除区5-2-1外)的每一个样品有至多是2900m/s的SAW速度，大于0.2％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例39表40表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区5-2-1的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表40(区5-2-1)
如表40所示，用压电基体落入区5-2-1的每一个样品有至多是2900m/s的SAW速度，大于0.3％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例40表41表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区5-3(除区5-3-1外)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表41(区5-3)
如表41所示，用压电基体落入区5-3(除区5-3-1外)的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.2％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例41表42表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区5-3-1(除区5-3-1-1外)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表42(区5-3-1)
如表42所示，用压电基体落入区5-3-1(除区5-3-1-1外)的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.3％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例42表43表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区5-3-1-1的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表43(区5-3-1-1)
如表43所示，用压电基体落入区5-3-1-1的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.4％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例43表44表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区6-1(除区6-1-1外)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表44(区6-1)
如表44所示，用压电基体落入区6-1(除区6-1-1外)的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.2％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例44表45表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区6-1-1(除区6-1-1-1外)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表45(区6-1-1)
如表45所示，用压电基体落入区6-1-1(除区6-1-1-1外)的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.3％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例45表46表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区6-1-1-1的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表46(区6-1-1-1)
如表46所示，用压电基体落入区6-1-1-1的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.4％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例46表47表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区6-2(除区6-2-1外)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表47(区6-2)
如表47所示，用压电基体落入区6-2(除区6-2-1外)的每一个样品有至多是2900m/s的SAW速度，大于0.2％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例47表48表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区6-2-1的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表48(区6-2-1)
如表48所示，用压电基体落入区6-2-1的每一个样品有至多是2900m/s的SAW速度，大于0.3％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例48表49表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区6-3(除区6-3-1)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表49(区6-3)
如表49所示，用压电基体落入区6-1(除区6-3-1外)的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.2％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例49
表50表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区6-3-1(除区6-3-1-1)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表50(区6-3-1)
如表50所示，用压电基体落入区6-3-1(除区6-3-1-1外)的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.3％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例50表51表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区6-3-1-1的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表51(区6-3-1-1)
如表51所示，用压电基体落入区6-3-1-1的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.4％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例51表52表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区7-1(除区7-1-1)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表52(区7-1)
如表52所示，用压电基体落入区7-1(除区7-1-1外)的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.2％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例52表53表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区7-1-1(除区7-1-1-1外)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表53(区7-1-1)
如表53所示，用压电基体落入区7-1-1(除区7-1-1-1外)的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.3％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例53表54表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区7-1-1-1的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表54(区7-1-1-1)
如表54所示，用压电基体落入区7-1-1-1的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.4％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例54表55表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区7-2(除区7-2-1外)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表55(区7-2)
如表55所示，用压电基体落入区7-2(除区7-2-1外)的每一个样品有至多是2900m/s的SAW速度，大于0.2％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例55表56表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区7-2-1的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表56(区7-2-1)
如表56所示，用压电基体落入区7-2-1的每一个样品有至多是2900m/s的SAW速度，大于0.3％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例56表57表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区7-3(除区7-3-1外)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表57(区7-3)
如表57所示，用压电基体落入区7-3(除区7-3-1外)的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.2％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例57表58表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区7-3-1(除区7-3-1-1外)的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表58(区7-3-1)
如表58所示，用压电基体落入区7-3-1(除区7-3-1-1外)的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.3％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。实施例58表59表示测得的压电基体的欧拉角(Φ，θ，φ)在区7-3-1-1的几个表面声波器件样品的SAW速度，机电耦合因子(K2)，和温度频率系数(TCFs)值。
表59(区7-3-1-1)
如表59所示，用压电基体落入区7-3-1-1的每一个样品有至多是3100m/s的SAW速度，大于0.4％的机电耦合因子(K2)，并且有好的频率温度系数(TCF)。
参考
具体实施例方式
对本发明作此表述。但是，需要指出的是本发明决不受所描述方案细节的限制，不脱离所附的权利要求范围而作出的修改和调整都属于本发明的内容。
如上所述，根据本发明可提供一种用于中频的紧凑而且频带宽的表面声波器件。另外，根据本发明也可提供一种有高的机电耦合因子和低的SAW速度的用于表面声波器件的压电基体。
权利要求
1.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为-2.5°≤Φ≤2.5°，30°≤θ≤90°，和-65°≤φ≤65°的区内。
2.如权利要求1的表面声波器件，其中θ的范围为35°-80°和φ的范围为-55°-55°。
3.如权利要求2的表面声波器件，其中θ的范围为45°-70°和φ的范围为-15°-15°。
4.如权利要求2的表面声波器件，其中θ的范围为40°-60°和φ的范围为15°-50°。
5.如权利要求2的表面声波器件，其中θ的范围为40°-60°和φ的范围为-50°--15°。
6.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为-2.5°≤Φ≤2.5°，120°≤θ≤155°，和65°≤φ≤85°的区内。
7.如权利要求6的表面声波器件，其中θ的范围为125°-145°和φ的范围为75°-85°。
8.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为-2.5°≤Φ≤2.5°，120°≤θ≤155°，和-85°≤φ≤-65°的区内。
9.如权利要求8的表面声波器件，其中θ的范围为125°-145°和φ的范围为-85°--75°。
10.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为2.5°≤Φ≤7.5°，30°≤θ≤90°，和-75°≤φ≤60°的区内。
11.如权利要求10的表面声波器件，其中θ的范围为35°-80°和φ的范围为-65°-50°。
12.如权利要求11的表面声波器件，其中θ的范围为45°-70°和φ的范围为-10°-20°。
13.如权利要求11的表面声波器件，其中θ的范围为35°-60°和φ的范围为-60°--25°。
14.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为2.5°≤Φ≤7.5°，120°≤θ≤150°，和75°≤φ≤85°的区内。
15.如权利要求14的表面声波器件，其中θ的范围为125°-145°和φ的范围为80°-85°。
16.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为2.5°≤Φ≤7.5°，120°≤θ≤155°，和-85°≤φ≤-60°的区内。
17.如权利要求16的表面声波器件，其中θ的范围为120°-145°和φ的范围为-85°--70°。
18.如权利要求17的表面声波器件，其中θ的范围为130°-140°和φ的范围为-80°--75°。
19.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为7.5°≤Φ≤12.5°，30°≤θ≤100°，和-80°≤φ≤55°的区内。
20.如权利要求19的表面声波器件，其中θ的范围为30°-85°和φ的范围为-75°-40°。
21.如权利要求20的表面声波器件，其中θ的范围为45°-70°和φ的范围为-10°-20°。
22.如权利要求20的表面声波器件，其中θ的范围为35°-60°和φ的范围为-60°--30°。
23.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为7.5°≤Φ≤12.5°，120°≤θ≤145°，和75°≤φ≤85°的区内。
24.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为7.5°≤Φ≤12.5°，110°≤θ≤155°，和-85°≤φ≤-55°的区内。
25.如权利要求24的表面声波器件，其中θ的范围为125°-145°和φ的范围为-85°--65°。
26.如权利要求25的表面声波器件，其中θ的范围为125°-145°和φ的范围为-80°--70°。
27.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为12.5°≤Φ≤17.5°，20°≤θ ≤105°，和-85°≤φ≤50°的区内。
28.如权利要求27的表面声波器件，其中θ的范围为35°-90°和φ的范围为-10°-30°。
29.如权利要求27的表面声波器件，其中θ的范围为35°-60°和φ的范围为-70°--15°。
30.如权利要求29的表面声波器件，其中θ的范围为40°-55°和φ的范围为-70°--40°。
31.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为12.5°≤Φ≤17.5°，125°≤θ≤140°，和80°≤φ≤85°的区内。
32.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为12.5°≤Φ≤17.5°，115°≤θ≤155°，和-85°≤φ≤-50°的区内。
33.如权利要求32的表面声波器件，其中θ的范围为120°-145°和φ的范围为-80°--60°
34.如权利要求33的表面声波器件，其中θ的范围为125°-145°和φ的范围为-80°--65°。
35.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为17.5°≤Φ≤22.5°， 25°≤θ≤70°，和-80°≤φ≤-20°的区内。
36.如权利要求35的表面声波器件，其中θ的范围为35°-60°和φ的范围为-75°--35°。
37.如权利要求36的表面声波器件，其中θ的范围为35°-55°和φ的范围为-70°--45°。
38.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为17.5°≤Φ≤22.5°， 25°≤θ≤110°，和-20°≤φ≤40°的区内。
39.如权利要求38的表面声波器件，其中θ的范围为45°-90°和φ的范围为-15°-25°。
40.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为17.5°≤Φ≤22.5°，115°≤θ≤155°，和-80°≤φ≤-45°的区内。
41.如权利要求40的表面声波器件，其中θ的范围为120°-145°和φ的范围为-80°--55°。
42.如权利要求41的表面声波器件，其中θ的范围为125°-145°和φ的范围为-80°--65°。
43.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为22.5°≤Φ≤27.5°， 25°≤θ≤70°，和-85°≤φ≤-20°的区内。
44.如权利要求43的表面声波器件，其中θ的范围为30°-60°和φ的范围为-80°--40°。
45.如权利要求44的表面声波器件，其中θ的范围为35°-55°和φ的范围为-75°--50°。
46.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为22.5°≤Φ≤27.5°， 25°≤θ≤145°，和-20°≤φ≤40°的区内。
47.如权利要求46的表面声波器件，其中θ的范围为50°-95°和φ的范围为-10°-20°。
48.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为22.5°≤Φ≤27.5°，110°≤θ≤155°，和-80°≤φ≤-40°的区内。
49.如权利要求48的表面声波器件，其中θ的范围为120°-145°和φ的范围为-80°--50°。
50.如权利要求49的表面声波器件，其中θ的范围为125°-145°和φ的范围为-80°--60°。
51.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为27.5°≤Φ≤32.5°， 25°≤θ≤70°，和-85°≤φ≤-30°的区内。
52.如权利要求51的表面声波器件，其中θ的范围为35°-60°和φ的范围为-80°--45°。
53.如权利要求52的表面声波器件，其中θ的范围为35°-55°和φ的范围为-80°--55°。
54.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为27.5°≤Φ≤32.5°，30°≤θ≤150°，和-30°≤φ≤40°的区内。
55.如权利要求54的表面声波器件，其中θ的范围为80°-100°和φ的范围为10°-20°。
56.一种表面声波器件，包括压电基体和成型于压电基体上的交叉指型电极，其中压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；和发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为27.5°≤Φ≤32.5°，110°≤θ≤155°，和-85°≤φ≤-30°的区内。
57.如权利要求56的表面声波器件，其中θ的范围为120°-145°和φ的范围为-80°--45°。
58.如权利要求57的表面声波器件，其中θ的范围为125°-145°和φ的范围为-80°--55°。
59.一种用于表面声波器件的压电基体，其特征在于压电基体具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示；发现用欧拉角(Φ，θ，φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在以下之一中第一区表示为-2.5°≤Φ≤2.5°，30°≤θ≤90°，和-65°≤φ≤65°，第二区表示为-2.5°≤Φ≤2.5°，120°≤θ≤155°，和65°≤φ≤85°，第三区表示为-2.5°≤Φ≤2.5°，120°≤θ≤155°，和-85°≤φ≤-65°，第四区表示为2.5°≤Φ≤7.5°，30°≤θ≤90°，和-75°≤φ≤60°，第五区表示为2.5°≤Φ≤7.5°，120°≤θ≤150°，和75°≤φ≤85°，第六区表示为2.5°≤Φ≤7.5°，120°≤θ≤155°，和-85°≤φ≤-60°，第七区表示为7.5°≤Φ≤12.5°，30°≤θ≤100°，和-80°≤φ≤55°，第八区表示为7.5°≤Φ≤12.5°，120°≤θ≤150°，和75°≤φ≤85°，第九区表示为7.5°≤Φ≤12.5°，110°≤θ≤155°，和-85°≤φ≤-55°，第十区表示为12.5°≤Φ≤17.5°，20°≤θ≤105°，和-85°≤φ≤-50°，第十一区表示为12.5°≤Φ≤17.5°，125°≤θ≤140°，和80°≤φ≤85°，第十二区表示为12.5°≤Φ≤17.5°，115°≤θ≤155°，和-85°≤φ≤-50°，第十三区表示为17.5°≤Φ≤22.5°，25°≤θ≤70°，和-80°≤φ≤-20°，第十四区表示为17.5°≤Φ≤22.5°，25°≤θ≤110°，和-20°≤φ≤40°，第十五区表示为17.5°≤Φ≤22.5°，115°≤θ≤155°，和-80°≤φ≤-45°，第十六区表示为22.5°≤Φ≤27.5°，25°≤θ≤70°，和-85°≤φ≤-20°，第十七区表示为22.5°≤Φ≤27.5°，25°≤θ≤145°，和-20°≤φ≤40°，第十八区表示为22.5°≤Φ≤27.5°，110°≤θ≤155°，和-80°≤φ≤-40°，第十九区表示为27.5°≤Φ≤32.5°，25°≤θ≤70°，和-85°≤φ≤-30°，第二十区表示为27.5°≤Φ≤32.5°，30°≤θ≤150°，和-30°≤φ≤40°，第二十一区表示为27.5°≤Φ≤32.5°，110°≤θ≤155°，和-85°≤φ≤-30°。
全文摘要
公开了一种紧凑并且频带宽的用于中频的表面声波器件。也公开了一种具有高的机电耦合因子和低的SAW速度的用于表面声波器件的压电基体。表面声波器件由压电基体1和成型于压电基体1上的交叉指型电极2,2组成。压电基体1具有Ca
文档编号H03H9/00GK1359194SQ0114548
公开日2002年7月17日 申请日期2001年9月30日 优先权日2000年10月4日
发明者井上憲司, 佐藤胜男, 守越広树, 川嵜克己, 佐藤淳 申请人:Tdk株式会社