多重极性可逆式电荷泵电路和有关方法

专利名称：：多重极性可逆式电荷泵电路和有关方法
技术领域：
：本发明涉及半导体电压产生器电路，且更明确地说，涉及电容性电压倍增器电路。
背景技术：
：许多集成电路(明确地说，使用单个电源电压的集成电路)并入有芯片上电路以产生具有比电源电压的量值大的量值的"升高"电压。通常，将此升高电压用作用于集成电路上所含有的电路的若干部分的真正电源电压。举例来说，某些类型的半导体存储器(例如，"快闪"EEPROM存储器)通过使电子在隧穿电介质上加速且将电荷存储在场效应晶体管上方的浮动栅极上，来对存储器单元进行写入。在现代装置上，电荷在隧穿电介质上的此加速通常需要大约8伏的"写入电压"，而存储器电路的其余操作(包含对存储器单元进行读取)通常需要大约仅3伏的电压。与需要供应两个不同电源电压(例如，+5伏和+12伏)来操作装置的许多较旧装置不同，许多现代装置仅需要等于2.5伏到3.3伏(相对于"接地"或VSS)的单个电源电压(通常被称为VDD)。此VDD电源电压通常用于为装置的大部分(包含一般读取操作电路)供电。写入电压(其出于遗留原因，通常但并不总是被称为VPP)由具有典型值+8伏(再次相对于VSS)的芯片上电压产生器产生，而不需要由装置的用户供应的单独电源电压。在许多集成电路中，将此些芯片上电压产生器实施为电容性电压倍增器电路，主要是因为历史上容易在单片集成电路上实施合适大的电容器，尤其在与实施良好质量电感器相比较的情况下。这些电容性电压倍增器电路通常被所属领域的技术人员称为"电荷泵"。为了不与电容性电压倍增器电路混淆，存在通常也被称为电荷泵的另一类电路。这些电路通常用以整合由相位检测器电路在每一循环产生的较小的电流脉冲，且因此用以在电容器节点上产生模拟电压，其表示两个相位检测器输入信号之间的相位误差。在每一循环期间，典型的相位检测器将第一电流脉冲"抽吸"到电容器节点中，且从电容器节点"抽吸"第二电流脉冲。如果相位误差为零，那么这两个电流脉冲相等，且电容器节点上的电压不变。但如果一个输入信号的相位落后于另一个输入信号的相位，那么所述电流脉冲中的一者的量值较大，或持续时间较长，或两者皆而有之，使得到电容器节点中的净电荷为非零，且产生电压改变。此些"相位检测器整合器"电荷泵在功能和结构两方面相当不同，且因此并不被认为与电容性电压倍增器电路有关。因此，如本文中所使用，"电荷泵"指代电容性电压倍增器电路，且并不指代此些相位检测器整合器电路，除非上下文有此需要。在上文所述的非易失性存储器实例中，由电荷泵产生的写入电压通常高于被提供到装置的VDD电源电压。在其它集成电路中，电荷泵可用以产生低于参考电压VSS(即，"低于接地")的电压。举例来说，在许多存储器装置(例如，动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)和其它电路)中产生负偏压，以对衬底和/或衬底内的CMOS阱加偏压。用于产生高于VDD的升高电压的传统(且众所周知的)电荷泵电路由约翰，F'迪克逊(JohnF.Dickson)在"使用经改进的电压倍增器技术在NMOS集成电路中产生芯片上高电压(On-ChipHigh-VoltageGenerationinNMOSIntegratedCircuitsUsinganImprovedVoltageMultiplierTechnique)"(IEEE固态电路杂志(正EEJournalofSolidStateCircuits),第SC-11巻，第3期，第374到378页，1976年6月)中教示。此电荷泵包含多个串联连接的电荷泵级。每一电荷泵级包含电荷转移装置(例如，二极管)和泵电容器，且具有输入节点和输出节点。与这些电路一起使用的互补时钟信号通常以全VDD等级摆幅(即，在低等级的VSS与高等级的VDD之间转变)来驱动。此外，此些电压产生器电路还可能消耗大量的电力(相对于电路的其余部分)，且因此增加了必须由用户(例如，由VDD电源)供应的电流。此外，此些电压产生器电路还可能也需要大量的半导体占用面积以供其实施，尤其是在需要高输出电流或大量值电压的情况下。
发明内容在一种需要正和负升高电压两者的集成电路设计中，通常提供两个单独的电荷泵电路。一个此电路将产生正电压，且另一电路将产生负电压。此些电荷泵电路依靠电容性切换和电荷共享来产生这些升高电压，且可产生的输出电流的量直接与电荷泵的电容器的物理大小成比例。如果对每一电压的输出电流要求都很重要，那么这两个电荷泵电路中的每一者将需要较大的抽吸电容器，且因此将消耗相当大的珍贵的硅面积。在某些情况下，可能并不同时需要正电压和负电压两者。举例来说，在不需要负电压的一种操作模式下，可能需要高电流正电压，且在不需要正电压的另一操作模式下，可能需要高电流负电压。在另一实例中，在一种操作模式下可能仅针对正升高电压而需要高输出电流，但在另一操作模式下，需要较低电流正和负升高电压输出。本发明大体上涉及一种经改进的电荷泵电路，其在某些实施例中可经配置以有时产生正电压，且可经逆转以在其它时间产生负电压；以及使用此电荷泵电路的方法。在一个方面中，本发明提供一种用于制作集成电路产品的方法。在某些实施例中，所述方法包含形成第一和第二电压节点；形成第一和第二输出节点；以及形成包括多个串联连接的定向泵级的第一多级电荷泵电路，每一相应级经配置以将电荷从其相应输入端转移到其相应输出端。所述方法还包含形成第一开关电路，其将所述第一多级电荷泵电路的一端有时耦合到所述第一电压节点，且在其它时间耦合到所述第一输出节点；以及形成第二开关电路，其将所述多级电荷泵电路的另一端有时耦合到所述第二电压节点，且在其它时间耦合到所述第二输出节点。在另一方面中，本发明提供一种方法，其在某些实施例中包含提供包括多个串联连接的定向泵级的多级电荷泵电路，每一相应级经配置以将电荷从其相应输入端转移到其相应输出端。所述方法包含针对第一操作模式，选择所述多级电荷泵电路以在所述电荷泵电路的输出节点上产生正电压；以及针对第二操作模式，选择所述多级电荷泵电路以在所述电荷泵电路的另一输出节点上产生负电压。在另一方面中，本发明提供一种电路，其在某些实施例中包含多级电荷泵电路，所述多级电荷泵电路包括多个串联连接的定向泵级，每一相应级经配置以将电荷从其相应输入端转移到其相应输出端。所述多级电荷泵电路可选择以针对第一操作模式而在所述电荷泵电路的输出节点上产生正电压，且可选择以针对第二操作模式而在所述电荷泵电路的另一输出节点上产生负电压。在另一方面中，本发明提供一种电路，其在某些实施例中包含第一和第二电压节点、第一和第二输出节点以及包括多个串联连接的定向泵级的第一多级电荷泵电路，每一相应级经配置以将电荷从其相应输入端转移到其相应输出端。所述电路还包含第一开关电路，其将所述第--多级电荷泵电路的一端有时耦合到所述第一电压节点，且在其它时间耦合到所述第一输出节点；以及第二开关电路，其将所述多级电荷泵电路的另一端有时耦合到所述第二电压节点，且在其它时间耦合到所述第二输出节点。在另一方面中，本发明提供一种电路，其在某些实施例中包含第一多级电荷泵电路，所述第一多级电荷泵电路包括多个串联连接的定向泵级，所述第一多级电荷泵电路可独立地操作以产生第一输出电压。所述电路还包含第二多级电荷泵电路，所述第二多级电荷泵电路包括多个串联连接的定向泵级，所述第二多级电荷泵电路可独立地操作以产生第二输出电压。所述电路还包含用于将所述第一多级电荷泵电路有时耦合到所述第二多级电荷泵电路以协作地产生具有比各自独立地操作可产生的电压或电流大的电压或电流的单个输出电压的构件。虽然本发明在并入有许多种装置和结构中的任一种的大量电路中是有用的，但当与某些可擦除存储器阵列技术(例如，并入有某些电阻性无源元件存储器单元的存储器阵列技术)一起使用时，本发明特别有益。当进行编程和擦除时，此些单元趋向于具有较高的泄漏电流，且因此存储器阵列(明确地说，三维存储器阵列)在所需的编程和擦除电压下需要较大的电流。举例来说，在编程操作中，正电压电荷泵可能需要传递值特别高的输出电流，而在擦除操作中，负电压电荷泵可能需要传递值特别高的输出电流(例如，大于在升高的正电压下所需要的任何电流)。这些大输出电流需要大电荷泵。然而，如果两个非常大的电荷泵中的一者(例如，负电压电荷泵)仅用于某一(某多个)操作模式，那么并不需要建立两个非常大的电荷泵。如本文中所描述的多重极性可逆式电荷泵电路允许小得多的较低功率电荷泵电路在所需输出电流下产生所需电压。本发明在若干方面中特别适合于在集成电路中实施，所述集成电路包含具有存储器阵列的集成电路；适合于操作此些电路的方法；适合于并入有此些电路的系统；且适合于此些电路的计算机可读媒体编码，其全都如本文中更详细地描述且如所附权利要求书中所陈述。特别涵盖许多种此些集成电路，其包含具有形成于衬底上方的三维存储器阵列的集成电路。前面的内容是概述，且因此必然含有细节的简化、一般化和省略。因此，所属领域的技术人员将了解，前面的概述只是说明性的，且无意以任何方式限制本发明。从下文陈述的详细描述内容可明白如仅由所附权利要求书界定的本发明的其它方面、发明特征和优势。所属领域的技术人员通过参看附图可更好地理解本发明，且可明白本发明的大量目标、特征和优势。图1(其标注为现有技术)描绘利用一对交叉耦合的电荷转移开关装置的定向电荷泵级。图2描绘经配置以产生升高的正电压的电荷泵电路的框图。图3描绘根据本发明的电荷泵电路的框图，其可经配置以产生升高的正电压或升高的负电压。图4描绘图3中所描绘的电路的示范性晶体管等级实施。图5描绘图4中所说明的电荷泵电路在经配置以产生正输出电压时的示范性波形。图6描绘图4中所说明的电荷泵电路在经配置以产生负输出电压时的示范性波形。图7描绘包含两个多级电荷泵电路的实施例，所述两个多级电荷泵电路中的每一者可独立于另一者而操作以产生相应的高或低输出电压，但还可协作以产生量值比各自单独可产生的正或负电压高的正或负电压。图8描绘说明两个多级电荷泵电路之间有时的协作以及在其它时间的独立操作的另一实施例。图9描绘对制造本发明有用的三阱N沟道工艺技术。图IO是示范性存储器阵列的示意图，其说明选定和未选定字线和位线，以及正向偏压操作模式下的示范性偏压条件。图11是图10中所描绘的示范性存储器阵列的示意图，但其说明反向偏压操作模式下的示范性偏压条件。不同图式中使用相同的参考符号来指示类似或相同的项目。具体实施例方式现在参看图1，描绘示范性定向电荷泵级150。通常将此电荷泵级150作为电荷泵电路内的多个串联耦合的电荷泵级中的一者而并入。电荷泵级150由两个互补时钟CLK(还标注为156)和CLKB(还标注为158)计时，且电荷总是从输入端子152转移到输出端子154(即，此处展示为从左到右)。在CLK信号的上升沿上，且在CLK保持为高的时间期间，电荷从输入端子152(即，"输入节点")经由NMOS晶体管166转移到电容器162。在CLK信号的同一上升沿期间，电荷还从电容器160经由PMOS晶体管168转移到输出端子154。在CLKB信号的上升沿上，且在CLKB保持为高的时间期间，电荷从输入端子152经由NMOS晶体管164转移到电容器160。在CLKB信号的同一上升沿期间，电荷还从电容器162经由PMOS晶体管170转移到输出端子154。此些定向电荷泵级的操作是众所周知的，且许多变体是己知的。2006年4月4日颁给斯鲁伯(Thorp)的第7,023,260号美国专利中描述示范性电荷泵电路，所述专利的揭示内容特此以全文引用的方式并入本文中。现在参看图2，描绘示范性电荷泵电路200，其包含第一串串联连接的电荷泵级204、206、208、210(其中的每一者可实施为如同电荷泵级150或其它合适的定向电荷泵级)，且经配置以在节点212上产生正的升高输出电压VPOS_HIGH。在电荷泵电路内，给定电荷泵级的输出端子耦合到邻近的电荷泵级的输入端子(当然，除最后一个此电荷泵级之外)。如在所述图的左侧所展示，多个串联连接的电荷泵级的一端耦合到传送正电压VDD的电压节点202。换句话说，电荷泵级204的输入端子203耦合到VDD电源节点202。此电压节点202可为功率节点(例如，正"电源"节点)，但可替代地传送内部产生的电压(例如，另一电荷泵电路的输出)，如下文将描述。如在所述图的右侧所展示，多个串联连接的电荷泵级的另一端耦合到传送正电压VPOS一HIGH的输出节点212。换句话说，电荷泵级210的输出端子211耦合到电荷泵电路200的输出节点212。应注意到，如本文中所使用，每一电荷泵级的"输入"节点和"输出"节点的命名指代电荷转移穿过电荷泵级的方向，且未必暗示具体连接或电压。通过对下文所示实施例的描述，上述情况将更清晰。在操作中，如众所周知，每一级通常由互补时钟驱动，所述互补时钟与同所述级的邻近电荷泵级相关联的互补时钟不同相。举例来说，电荷泵级204和208可用CLK和CLKB驱动，而电荷泵级206和210可用CLKB和CLK驱动。此外，在电荷泵级之间的每一中间节点上产生的电压随每一级而增加。换句话说，如在此项技术中还己知，节点205的电压比VDD高，节点207的电压比节点205的电压高，依此类推，且节点输出节点211的电压比其它中间节点的电压高。现在参看图3，根据本发明描绘示范性电荷泵电路250。此电荷泵电路250为可逆式电荷泵电路，且利用以下事实电荷总是从左到右(如所绘制)地转移，或换句话说，从每一电荷泵级的输入端转移到输出端。电荷泵电路250包含两个开关电路253、254，以将电荷泵配置为正或负电荷泵。在所述串电荷泵级的左端，第一开关电路253将电荷泵级204的输入端子203耦合到电压节点202(此处展示为VDD电源节点)或耦合到用于传送负升高电压VNEG—HIGH的第二输出节点252。在所述串电荷泵级的右端，第二开关电路254将电荷泵级210的输出端子211耦合到第二电压节点251(此处展示为GROUND(接地)功率节点)或耦合到如之前的用于传送正升高电压VPOS—HIGH的第一输出节点212。为了在输出节点212上产生正输出电压VPOS—HIGH，第一开关电路253经配置以将电荷泵级204的输入端子203耦合到电压节点202(即，VDD)，且第二开关电路254经配置以将电荷泵级210的输出端子211耦合到第一输出节点212，此配置产生如图2中所示的等效连接。电荷从VDD转移到节点A(节点205)，接着到节点B(节点207)，接着到节点C(节点209),接着到输出节点VPOS—HIGH。为了在输出节点252上产生负输出电压VNEG_HIGH，第一开关电路253经配置以14将电荷泵级204的输入端子203耦合到电荷泵电路输出节点252，且第二开关电路254经配置以将电荷泵级210的输出端子211耦合到第二电压节点251(即，接地)。电荷从负输出节点VNEG—HIGH转移到节点A，接着到节点B，接着到节点C，接着到接地(有时被称作GND或VSS)。现在参看图4，描绘此电荷泵电路250的示范性实施方案，其利用三个串联耦合的电荷泵级，而不是四个此些级。第一开关电路253是使用NMOS晶体管302和PMOS晶体管304来实施，NMOS晶体管302和PMOS晶体管304都响应于控制信号EN—NEG—HV(还标注为303)。类似地，第二开关电路254是使用NMOS晶体管306和PMOS晶体管308来实施，NMOS晶体管306和PMOS晶体管308都响应于同一控制信号EN—NEG—HV。为了配置电荷泵电路以产生负电压，将控制信号EN—NEG—HV驱动到高电压，优选驱动到VDD电压(例如，3.3伏)。因此，晶体管302被接通以将电荷泵级204的输入端子203耦合到负输出节点252，晶体管304被断开，晶体管306被接通以将电荷泵级210的输出端子211耦合到第二电压节点251(即，接地)，且晶体管308被断开。为了配置电荷泵电路以产生正电压，将控制信号EN—NEG一HV驱动到低电压，优选驱动到GND电压(或甚至低于接地)。因此，晶体管304被接通以将电荷泵级204的输入端子203耦合到电压节点202，晶体管302被断开，晶体管308被接通以将电荷泵级210的输出端子211耦合到输出节点212，且晶体管306被断开。图5说明电荷泵电路300在经配置以产生正输出电压VPOS—HIGH时的波形。VDD电压大致为3.3伏，且每一连续的电荷泵级输出达到一较高电压。展示输出节点212达到大致11.5伏的VPOS—HIGH电压。图6说明电荷泵电路300在经配置以产生负输出电压VNEG—HIGH时的波形。VDD电压再次大致为3.3伏，且每一连续的电荷泵级输出达到一较负(即，较低)电压。展示输出节点252达到大致-9.0伏的VNEG—HIGH电压。可将以上实施例看作多个串联耦合的电荷泵级，其可经配置以产生正电压，且可经相反地配置以产生负电压。预期可提供额外输出电压/电流选项的其它电荷泵电路配置。举例来说，图7描绘电路400，其包含第一多级电荷泵电路402(即，两个或两个以上串联耦合的电荷泵级，如图所示)和第二多级电荷泵电路406(即，也具有两个或两个以上串联耦合的电荷泵级，如图所示)。每一电荷泵电路402、406可独立于另一者而操作，以产生相应的高或低输出电压，但两个电荷泵电路402、406可经配置以协作且产生量值比各自单独可产生的正或负电压高的正或负电压。举例来说，在一种配置中，电路400可经配置以在VPOS—0UT2输出节点426上产生单个正高电压。为了实现这一点，开关电路408将电荷泵电路402的输入节点401耦合到电压节点418(即，VDD)，开关电路410将电荷泵电路402的输出节点403耦合到节点422，开关电路412将电荷泵电路406的输入节点405耦合到节点422，且开关电路414将电荷泵电路406的输出节点407耦合到输出节点426。这产生如图2中所示配置的等效配置。在另一配置中，电路400可经配置以在VPOS一OUTl输出节点420上产生正高电压，且在VNEG—OUT2输出节点424上产生负高电压。为了实现这一点，开关电路408将电荷泵电路402的输入节点401耦合到VDD电压节点418，开关电路410将电荷泵电路402的输出节点403耦合到VPOS—0UT1输出节点420，开关电路412将电荷泵电路406的输入节点405耦合到VNEG—OUT2输出节点424，且开关电路414将电荷泵电路406的输出节点407耦合到电压节点428(即，传送接地电位)。两个电荷泵电路都不耦合到节点422，且两个电荷泵电路各自以如上文较早相应描述的方式独立地操作。在又一配置中，电路400可经配置以在VNEG一0UT1输出节点416上产生单个负高电压。为了实现这一点，开关电路408将电荷泵电路402的输入节点401耦合到VNEG_OUTl输出节点416,开关电路410将电荷泵电路402的输出节点403耦合到节点422，开关电路412将电荷泵电路406的输入节点405耦合到节点422,且开关电路414将电荷泵电路406的输出节点407耦合到接地电压节点428。在其它实施例中，在每一电荷泵电路的端部处可包含额外的开关电路，以用于将相应的端部连接到一个或一个以上电压节点。这些电压节点中的每一者可为功率节点(例如，"电源"电压、接地电压、充当真正电源电压的内部产生的电压等)，或者可为由另一电荷泵电路产生的节点。举例来说，可将开关电路412看作将电荷泵电路406的输入节点耦合到输出节点424或耦合到电压节点422。在此情况下，电压节点422耦合到电荷泵电路402的输出节点(假定开关电路410经适当地连接)，且传送由此电荷泵电路产生的电压。应了解，电荷泵电路402、406中的每一者可包含不同数目的个别电荷泵级，其可能包含单个级，但更有可能各自包含两个或两个以上此些电荷泵级。在额外实施例中，开关电路410包含用于将节点403耦合到接地的开关支线(或者，包含用于这样做的另一开关电路)。因此，电荷泵电路402和406两者可独立于彼此而都同时产生负输出电压，更可耦合在一起以协作地产生量值大得多的正或负电压。在又一额外实施例中，开关电路412包含用于将节点405耦合到VDD的开关支线(或者，包含用于这样做的另一开关电路)。因此，电荷泵电路402和406两者可独立于彼此而都同时产生正输出电压，更可耦合在一起以协作地产生量值大得多的正或负电压。电荷泵电路之间的此协作可引起产生相比各自单独可产生的输出来说具有较高电压的输出(如以上实施例中所展示)，或者可引起产生相比各自单独可产生的输出来说具有较高电流能力的输出。举例来说，图8描绘电路500，其包含一对电荷泵电路，所述对电荷泵电路协作以产生相比各自单独可产生的输出来说具有较高电流能力的输出。在此实施例中，第一电荷泵电路502和第二电荷泵电路506并联耦合以在高电流下产生正高输出电压VP0S一0UT1。在另一模式下，第一电荷泵电路502如先前那样操作，以在较低电流下产生相同的正高输出电压VPOS—OUT1,且第二电荷泵电路506经"逆转"以产生负高输出电压VNEG—OUTl。为了这样做，开关电路512经配置以将电荷泵电路506的输入节点505耦合至ljVNEG—OUT1节点516,且开关电路514经配置以将电荷泵电路506的输出节点507耦合到接地电压节点528,且电荷泵电路502、506两者独立地操作。应了解，在其它实施例中，上部电荷泵电路502还可包含一个或一个以上开关电路(例如，图7中所描述的开关电路)，以向上部电荷泵电路502提供额外的配置灵活性。如可了解，可基于本发明的教示来布置一个或一个以上电荷泵电路的大量变化。在以上实施例中还可了解，NMOS晶体管中的某些NMOS晶体管的源极和漏极端子有时在经配置以产生正输出电压时经被驱动到高于VDD的电压，且在其它时间在经配置以产生负输出电压时被驱动到低于VSS的电压(即，NMOS源极和漏极被驱动到低于体衬底电压(bulksubstratevoltage))。这是通过利用三阱N沟道技术来提供的。图9中展示示范性三阱半导体结构。PMOS装置(例如，在所述图的右侧展示的代表性PMOS装置)形成于传统的N阱756中。NMOS装置(例如，在所述图的左侧展示的代表性NMOS装置)被包围在三阱结构中，其中中等深度的P阱754由深N阱752环绕。在每一操作模式下，用于PMOS装置的所有N阱756共享最正电压，且在每一操作模式下，用于NMOS装置的所有P阱754共享最负电压。预期本发明在并入有各种各样的装置和结构中的任一者的众多电路中有用。然而，当与某些可擦除存储器阵列技术(例如，并入有某些电阻性无源元件存储器单元的可擦除存储器阵列技术)一起使用时，本发明特别有益。当进行编程和擦除时，此些单元趋向于具有较高的泄漏电流，且因此存储器阵列在所需的编程和擦除电压下需要较大的电流。举例来说，在编程操作中，正电压电荷泵可能需要传递值特别高的输出电流，而在擦除操作中，负电压电荷泵可能需要传递值特别高的输出电流(例如，大于在升高的正电压下所需要的任何电流)。这在三维存储器阵列中尤其正确。此些较大的输出电流需要较大的电荷泵。然而，如果两个很大的电荷泵中的一者(例如，负电压电荷泵)仅用于某一(某些)操作模式，那么并不需要建立两个很大的电荷泵。如本文中所描述的多重极性可逆式电荷泵电路允许小得多的较低功率电荷泵电路在所需输出电流下产生所需电压。此效率由于将每一电荷泵级的资源(即，主要为泵电容器，但还有每一级内的电荷转移开关装置)用于每一操作模式而产生。换句话说，对于每一操作模式，所有电荷泵电容器全部参与抽吸。为了更充分地了解上文所描述的各种电荷泵电路的有用性，将描述一种示范性存储器技术和对应的阵列线偏压。图IO是并入有可变电阻存储器单元的示范性无源元件存储器阵列100的示意图。展示两个字线102、104，以及两个位线106、108。假定字线102为选定字线(SWL),且假定字线104为未选定字线(UWL)。类似地，假定位线106为选定位线(SBL)，且假定位线108为未选定位线(UBL)。展示四个无源元件存储器单元101、103、105、107，其每一者耦合在相关联字线与相关联位线之间。存储器单元101与选定字线102和选定位线106相关联，且可被看作"S"单元(即，"选定"单元)。存储器单元103与未选定字线104和选定位线106相关联，且可被看作"F"单元(即，"断开"单元)。存储器单元105与选定字线102和未选定位线108相关联，且可被看作"H"单元(即，"半选定"单元)。最后，存储器单元107与未选定字线104和未选定位线108相关联，且可被看作"U"单元(即，"未选定"单元)。图IO中还说明针对正向偏压操作模式的示范性加偏压条件。此正向偏压模式可用于编程模式、块擦除模式和读取模式(尽管对于此些不同模式，通常具有不同的电压电平或条件)。如图所示，可将偏压条件看作适合于针对选定阵列块的编程操作模式，且将照这样描述。在VSX电压(例如，接地)下对选定字线102加偏压，在VSB电压(例如，+8伏)下对选定位线106加偏压，在VUX电压(例如，+7.3伏)下对未选定字线104加偏压，且在VUB电压(例如，+0.7伏)下对未选定位线108加偏压。可将选定位线偏压VSB看作编程电压VPP，因为实质上此整个电压被外加于选定存储器单元101上(由于选定字线在接地下被加偏压)，所以总线和阵列线本身中的某些电阻降较小。还优选将未选定位线偏压VUB设置为对应于每一存储器单元的正向偏压方向上的表观"阈值电压"的值，且因此将其展示为外加于未选定位线108上的电压VT。类似地，还优选将未选定字线偏压VUX设置为VPP-VT的值。在这些加偏压条件下，S单元101接收等于VPP(例如，+8伏)的正向偏压，F单元103接收等于VT(例如，+0.7伏)的正向偏压，H单元105接收等于VT(例如，+0.7伏)的正向偏压，且U单元107接收等于VPP-2VT(例如，-6.6伏)的反向偏压。存在若干示范性存储器单元技术，当在这些条件下被加偏压时，选定单元将改变为值较低的18电阻，而F、H和U单元的电阻将一点也不改变。下文中描述示范性单元。现在参看图11，展示针对反向偏压操作模式的示范性加偏压条件120。此反向偏压模式可用于编程模式或块擦除模式(尽管对于此些不同模式，通常具有不同的条件)。如图所示，可将偏压条件看作适合于针对选定阵列块的编程操作模式或擦除操作模式，且将照这样描述。现在针对适合于本操作模式的值而重新定义偏压条件VSX、VUX、VSB和VUB中的每一者。在VRR/2(例如，+6伏)的VSX电压下对选定字线102加偏压，且在-VRR/2(例如，-6伏)的VSB电压下对选定位线106加偏压。未选定字线电压VUX和未选定位线电压VUB两者接地。在这些加偏压条件下，S单元101接收在量值上等于VRR(例如，-12伏)的反向偏压，F单元103接收等于VRR/2(例如，-6伏)的反向偏压，且H单元105接收等于VRR/2(例如，-6伏)的反向偏压。值得注意的是，U单元107在所述单元上未接收到偏压。存在若干示范性存储器单元技术(下文所参考)，当在这些条件下被加偏压时，选定单元将从值较低的电阻改变为值较高的电阻，而F、H和U单元的电阻将一点也不改变。还应注意，未选定U存储器单元(在以此单元上的若干伏来对所述单元加偏压时，所述单元原本可能会支持相当大量的泄漏电流)不具有偏压，且因此无泄漏电流。如将进一步详细描述，许多有用的存储器阵列实施例包含数目远大于F单元的H单元的U单元，且相比用其它加偏压方案来说，此些阵列在阵列的未选定存储器单元中将具有显著较少的泄漏电流，且因此将具有少得多的功率耗散。通过在此反向模式下"分裂"VRR电压，且在等于编程电压的一半的负电压下对SBL加偏压，且在等于编程电压的一半的正电压下对SWL加偏压，显著地放宽了位线解码器和字线解码器两者的电压要求。因此，与阵列线(例如，字线和位线)的小间距一致，阵列线驱动器电路中的高电压晶体管占据较小面积，因为其可经设计以用于相对较低的"分裂"电压。此存储器阵列(包含示范性解码电路和阵列加偏压电路)的额外描述提供于罗伊E斯切尔雷恩(RoyE.Scheuerlein)和卢卡G法索利(LucaG.Fasoli)在2006年7月31日申请的标题为"用于将读取/写入电路耦合到存储器阵列的双数据相关总线(DualData-DependentBussesforCouplingRead/WriteCircuitstoaMemoryArray)"的第11/461,352号美国申请案中，其揭示内容特此以全文引用的方式并入本文中。如由以上描述可了解，在正向操作模式下仅需要正电压，但较大的泄漏电流要求此些电压(明确地说，VPP-VT偏压)经产生为具有较高的电流能力。然而，在反向操作模式下，需要正电压和负电压两者，其每一者处于比VPP-VT电压低的量值，且每一者需要较小的输出电流能力。三阱半导体结构(上文所描述)允许使选定位线为负电压，而使选定字线为正电压。可了解，如本文中所描述的电荷泵电路可有利地用以在设置操作模式下提供耦合到某些字线和位线两者的正电压(例如，由两个协作的多级电荷泵电路产生)，且用以在复位模式下向某些字线提供正电压且向某些位线提供负电压(例如，由两个独立地操作的多级电荷泵电路产生)。在所描述的实施例中，预期由于在达到多级电荷泵电路的最终输出电压之前，多级电荷泵电路需要某一时间周期来对每一中间级进行充电，所以对于给定操作模式，给定电荷泵电路将有可能经配置以产生单个输出电压。尽管如此，仍预期如本文中所描述的单个多重极性电荷泵电路可用以在多个操作模式之间足够快速地切换，以同时产生供电路同时使用的两个电压。虽然上文所述的实施例展示互补的电荷泵级，但可利用任何定向电荷泵级来实现本发明的一些益处。如本文中所使用，"电压节点"可包含功率节点，且可包含另一多级电荷泵电路的输出。"功率节点"可包含正电压供应节点、负电压供应节点或接地节点。如本文中所使用，描述为并联耦合的两个电路可通过另一节点来耦合。举例来说，如果每一电荷泵电路的相应第一端耦合到同一电源节点(例如，VDD)，且每一电荷泵电路的相应第二端耦合到同一输出节点，那么可将两个电荷泵电路描述为并联耦合。如本文中应用于电荷泵电路的术语"可逆式"并不表示电荷转移在相反方向上发生，而是表示在"反向"模式下输出是从电荷泵电路的相对端取得。本文中对说明书中的第一、第二、第三等元件的指定未必要求使用元件的相同相对编号来如此解释权利要求书。应将此相对编号的任何调整视为一致的且并非控制性的。在一些集成电路装置中，实施一个以上电荷泵电路可能是有用的。举例来说，在具有一个以上存储器子阵列的存储器装置中，不同的电荷泵电路可与若干个存储器子阵列中的每一者相关联，或者不同的电荷泵电路可与所有此些子阵列相关联。对于其中将阵列制造于层上而不是衬底上的某些存储器技术，例如对于制造于半导体衬底上方的单片三维存储器阵列，可将此电荷泵电路实施于存储器子阵列下面，而不需要存储器阵列外部的区域。可制造于半导体衬底上方的示范性单片三维存储器阵列描述于约翰逊(Johnson)等人的第6,034,882号美国专利中；N约翰内尔(N.JohanKnall)等人的第6,420,215号美国专利中；约翰逊(Johnson)等人的第6,525,953号美国专利中；外沃达(Vyvoda)等人的第6,952,043号美国专利中；以及斯切尔雷恩(Scheuerlein)等人的第6,545,898号美国专利中，其揭示内容特此以全文引用的方式并入本文中。如本文中所使用，假定具有三维存储器阵列的集成电路为一单片集成电路，而不是一个以上单片集成电路的组合件。本发明的方法和设备还可用以在单片三维存储器中发挥优势，例如三维非易失性现场可编程存储器阵列(一次写入和/或可重写存储器阵列两者)。此外，本发明的方法和设备还可用以在包含二维阵列的集成电路中以及在许多其它非存储器集成电路中发挥优势。许多类型的存储器单元能够使用反向偏压(例如，上文所述的复位模式)来编程。此些单元包含具有金属氧化物(例如，过渡金属氧化物)和二极管的无源元件单元。其它合适的单元包含具有用二极管选择元件编程于低R状态与高R状态之间的电阻性材料的单元。实例包含可编程金属化连接、例如GST材料的相变电阻器、有机材料可变电阻器、复合金属氧化物、碳聚合物膜、碳纳米管电阻器、经掺杂的硫族化物玻璃和含有移动原子以改变电阻的肖特基(Schottky)势垒二极管。所选的电阻性材料可提供一次可编程(OTP)存储器单元，或多次写入存储器单元。此外，可使用具有由反向偏压应力修改的传导的多晶硅二极管。以下论文中提供有用的两个端子式存储器单元的描述，所述论文特此以引用的方式并入本文中(i)皮偌瓦诺(Pirovano)等人的"相变存储器中的电子切换(ElectronicSwitchinginPhase-ChangeMemories)"(IEEE电子器件学报(IEEETransactionsonElectronicDevices),第51巻，第3期，2003年3月);(ii)比克(Baek)等人的"用于后"与非"存储应用的多层交叉点二元氧化物电阻性存储器(OxRRAM)(Multi-layerCross-pointBinaryOxideResistiveMemory(OxRRAM)forPost-NANDStorageApplication)"(IEEE国际电子器件会议(IEEEInternationalElectronDevicesMeeting),2005年)；(iii)比克(Baek)等人的"使用由不对称单极电压脉冲驱动的简单二元氧化物的高度可縮放非易失性电阻性存储器(HighlyScalableNon-volatileResistiveMemoryusingSimpleBinaryOxideDrivenbyAsymmetricUnipolarVoltagePulses)"(IEEE国际电子器件会议(IEEEInternationalElectronDevicesMeeting),2004年)；以及(iv)韩(Hwang)等人的"减少用于高密度相变RAM的写入电流(WritingCurrentReductionforHigh-DensityPhase-ChangeRAM)"(IEEE国际电子器件会议(IEEEInternationalElectronDevicesMeeting)，2003年)。额外细节还提供于第6,891,748号美国专利中，所述专利特此以引用的方式并入本文中。对反向复位操作有用的存储器单元描述于S布拉德赫纳(S.BradHerner)等人的标题为"高密度三维存储器单元(High-DensityThree-DimensionalMemoryCell)"的第6，952，030号美国专利中；且还描述于2005年9月28日申请的谭梅存玛(TanmayKumar)等人的标题为"使用包括具有可修整电阻的可切换半导体存储器元件的存储器单元的方法(MethodforUsingaMemoryCellComprisingSwitchableSemiconductorMemoryElementwithTrimmableResistance)"的第11/237,167号美国申请案(公开为第2007/0090425号美国专利申请公开案)中。合适的金属氧化物存储器单元展示于2006年3月31日申请的S布拉德赫纳(S.BradHerner)的标题为"包括电阻率切换氧化物或氮化物以及反熔丝的多级非易失性存储器单元(MultilevelNonvolatileMemoryCellComprisingaResistivity-SwitchingOxideorNitrideandanAntifuse)"的第11/394,903号美国申请案中。可提供多个电阻状态的使用相变材料的合适存储器阵列展示于罗伊E斯切尔雷恩(RoyE.Scheuerlein)等人的标题为"包括串联的介电层与相变材料的非易失性存储器单元(Non-VolatileMemoryCellComprisingaDielectricLayerandaPhaseChangeMaterialinSeries)"的第2005-0158950号美国专利申请公开案中。这些上文所参考的揭示案中的每一者以全文引用的方式并入本文中。具有过渡金属氧化物(例如，包含具有钴的过渡金属氧化物)的其它示范性存储器单元以及其中导引元件的多晶硅材料本身包括可切换电阻材料的示范性单元描述于谭梅库玛(TanmayKumar)、S布拉德赫纳(S.BradHerner)、罗伊E斯切尔雷恩(RoyE.Scheuerlein)以及克里斯托夫J皮蒂(ChristopherJ.Petti)在2006年7月31日申请的标题为"使用包括具有可修整电阻的可切换半导体存储器元件的存储器单元的方法(MethodforUsingaMemoryCellComprisingSwitchableSemiconductorMemoryElementwithTrimmableResistance)"的第11/496，986号美国申请案(公开为第2007/0072360号美国专利申请公开案)("MA-163-1"申请案)中，其以全文引用的方式并入本文中。此外，S*布拉德.赫纳(S.BradHerner)等人在2005年5月9日申请的标题为"包括二极管和电阻切换材料的可重写存储器单元(RewritableMemoryCellComprisingaDiodeandaResistanceSwitchingMaterial)"的第11/125,939号美国申请案揭示一种并入有与氧化物(例如，氧化镍)串联的二极管的有用的可重写存储器单元，其中存储器单元的电阻可重复地从低电阻状态切换到高电阻状态且从高电阻状态切换到低电阻状态。S布拉德赫纳(S.BradHerner)等人在2006年3月31日申请的标题为"包括二极管和电阻切换材料的非易失性存储器单元(NonvolatileMemoryCellComprisingaDiodeandaResistanceSwitchingMaterial)"的第11/395,995号美国申请案揭示一种使用正向偏压来设置且使用反向偏压来复位的OTP多等级存储器单元。这些上文所参考的揭示案中的每一者以全文引用的方式并入本文中。22如本文中所使用，且除非上下文另有要求，一"互补对"的时钟信号或脉冲信号不需要始终精确地互补，而是必须包含一对仅大体上互补的信号。举例来说，互补的时钟信号在每一此信号的从高到低且从低到高的过渡期间可重叠。在一些实施例中，所述时钟可经调整以具有非重叠的正脉冲。如本文中所使用，信号(例如，时钟信号)的振幅指代所述信号的高等级与低等级之间的电压差。如果此信号具有作为其低等级的VSS或接地参考以及用于其高等级的VDD，那么可将所述信号称为VDD等级信号或全VDD等级信号。关于本文中所使用的一般术语，所属领域的技术人员将了解，当描述在电路内包含各种信号和节点的所述电路的操作时，可同等良好地使用若干表达中的任何一者。任一种类的信号(不管是逻辑信号还是更一般的模拟信号)采取电路内的节点的电压等级(或者对于一些电路术语来说为电流等级)的物理形式。可正确地认为信号是在导线或总线上传送。举例来说，可将特定电路操作描述为"电路IO的输出将节点11的电压朝VDD驱动，从而断言在节点ll上传送的信号OUT"。这是准确的，但稍显麻烦的表达。因此，此项技术中众所周知的是同等地将此电路操作描述为"电路IO将节点11驱动为高"以及"电路IO使节点11变高"、"电路IO将OUT信号拉高"以及"电路IO将OUT驱动为高"。此些用于描述电路操作的简略短语更高效地传达电路操作的细节，尤其是因为图中的示意图清晰地使各种信号名称与对应的电路块和节点名称相关联。为了方便起见，可将传送CLK信号的原本未命名的节点称作CLK节点。类似地，例如"拉高"、"驱动为高"和"充电"的短语通常是同义的，除非另有区分，同样地情况包含短语"拉低"、"驱动为低"和"放电"。相信这些更简明的描述性表达的使用增强了本发明的清晰性和教示。所属领域的技术人员应了解，可互换地使用这些和其它类似术语中的每一者来描述常见电路操作，且在此描述中不应将细微的推论理解为变化的用法。关于电源，用以对电路供电的单个正电源电压(例如，3.3伏电源)通常被命名为"VDD"电源。在集成电路中，晶体管和其它电路元件实际上连接到VDD端子或VDD节点，其接着以可操作方式连接到VDD电源。将例如"系至ljVDD"或"连接到VDD"的短语的口语使用理解为表示"连接到VDD节点"，其通常接着以可操作方式连接，以实际上在集成电路的测试或使用期间接收VDD电源电压。通常将此单个电源电路的参考电压称为"VSS"。晶体管和其它电路元件实际上连接到VSS端子或VSS节点，其接着在集成电路的使用期间以可操作方式连接到VSS电源。通常，VSS端子连接到接地参考电位或仅"接地"。描述由特定晶体管或电路(除非另有界定)接地的节点与由所述晶体管或电路"拉低"或"拉到接地"表示相同的意思。稍加概括，第一电源端子通常被命名为"VDD"，且第二电源端子通常被命名为"VSS"。两个术语可或可不使用下标(例如，VDD)而出现。命名"VDD"历史上暗指连接到MOS晶体管的漏极端子的DC电压，且Vss暗指连接到MOS晶体管的源极端子的DC电压。举例来说，旧式的PMOS电路使用负VDD电源，而旧式的NMOS电路使用正VDD电源。然而，常见用法通常忽视了此传统，且将VDD用于正性更大的电源电压且将VSS用于负性更大(或接地)的电源电压，当然，除非另有界定。将电路描述为以"VDD电源"和"接地"起作用未必表示所述电路不能使用其它电源电位来起作用。其它常见电源端子名称为"VCC"(来自双极电路的历史术语，且通常与+5伏电源电压同义，即使在与缺少集极端子的MOS晶体管一起使用时)以及"GND"或仅"接地"。可使用连接多个块的单个节点的术语来描述本文中的框图。然而，应了解，当上下文需要时，此"节点"可实际上表示用于传送差分信号的一对节点，或者可表示用于携载若干有关信号或用于携载形成数字字的多个信号的多个单独导线(例如，总线)。如本文中所使用，耦合包含直接耦合和间接耦合(即，通过介入结构或节点)两者。本文中所描述的电路结构可使用离散电路元件来实施，但更有可能使用本文中所描述的技术以及其它众所周知的半导体处理技术来形成于集成电路中。虽然电路和物理结构大体上为假定的，但应充分认识到，在现代半导体设计和制造中，物理结构和电路可以适合于在随后设计、测试或制造活动中以及在所得的经制造半导体集成电路中使用的计算机可读描述性形式来实施。因此，针对传统电路或结构的权利要求可与基于计算机可读编码及其表示法读取的其特定语言一致，不管是实施在媒体中还是与合适的读取器设施组合以允许对应电路和/或结构的制造、测试或设计改进。预期本发明包含电路、有关方法或操作、用于制作此些电路的有关方法以及此些电路和方法的计算机可读媒体编码，其都如本文中所描述，且如在所附权利要求书中所界定。如本文中所使用，计算机可读媒体至少包含磁盘、磁带或其它磁性、光学半导体(例如，快闪存储卡、ROM)，或电子媒体和网络、有线、无线或其它通信媒体。电路的编码可包含电路示意图信息、物理布局信息、行为模拟信息，且/或可包含可根据其来表示或传达所述电路的任何其它编码。前面的具体描述己描述了本发明的许多可能实施方案中的仅少数几个。出于此原因，此具体描述内容意在作为说明而非作为限制。在不脱离本发明的范围和精神的情况下，可基于本文中所陈述的描述内容而对进行对本文中所揭示的实施例的变化和修改。此外，具体地预期上文所述的实施例单独使用以及以各种组合形式使用。仅所附权利要求书(包含所有等效内容)意在界定本发明的范围。因此，本文中未描述的其它实施例、变化和改进未必被排除在本发明的范围之外。权利要求1.一种电路，其包括多级电荷泵电路，其包括多个串联连接的定向泵级，每一相应级经配置以将电荷从其相应输入端转移到其相应输出端；所述多级电荷泵电路可选择以对于第一操作模式而在所述电荷泵电路的输出节点上产生正电压，且可选择以对于第二操作模式而在所述电荷泵电路的另一输出节点上产生负电压。2.根据权利要求l所述的电路，其中每一定向泵级包括一个或一个以上泵电容器；且每一定向泵级用以产生所述正电压输出且还用以产生所述负电压输出。3.根据权利要求l所述的电路，其中所述电路是使用三阱半导体技术来制造的，以允许在所述多个泵级内的电路节点上相对于体衬底电位有时为正电压且在其它时间为负电压。4.根据权利要求1所述的电路，其中每一泵级包括一对电荷转移开关电路，每一电荷转移开关电路实质上与另一者异相地操作。5.根据权利要求l所述的电路，其中-在所述第一操作模式下，所述多个串联连接的泵级的第一端耦合到第一电压节点，且所述多个串联连接的泵级的第二端耦合到所述电荷泵电路的第二输出节点；且在所述第二操作模式下，所述多个串联连接的泵级的所述第二端耦合到第二电压节点，且所述多个串联连接的泵级的所述第一端耦合到所述电荷泵电路的第一输出节点。6.根据权利要求5所述的电路，其中所述第一电压节点传送大于在所述第二电压节点上传送的第二电压的第一电压；在所述第一操作模式下，所述第二输出节点传送大于在所述第一电压节点上传送的所述第一电压的电压；以及在所述第二操作模式下，所述第一输出节点传送小于在所述第二电压节点上传送的所述第二电压的电压。7.根据权利要求5所述的电路，其进一步包括第一开关电路，其用于将所述多个串联连接的泵级的所述第一端有时耦合到所述第一电压节点且在其它时间耦合到所述第一输出节点；以及第二开关电路，其用于将所述多个串联连接的泵级的所述第二端有时耦合到所述第二电压节点且在其它时间耦合到所述第二输出节点。8.根据权利要求l所述的电路，其进一步包括第二多级电荷泵电路，其与所述首先提到的多级电荷泵电路协作地耦合以有时产生单个输出电压，且经去耦以独立地操作，使得所述第一和第二电荷泵电路在其它时间产生单独的输出电压。9.根据权利要求8所述的电路，其中与无此协作的情况相比，所述协作针对所述单个输出电压而导致较大的输出电流。10.根据权利要求9所述的电路，其中在所述第一和第二操作模式中的一者下，所述第一和第二多级电荷泵电路在其所述相应端处并联地耦合。11.根据权利要求IO所述的电路，其中在所述第一和第二操作模式中的另一者下，所述第一和第二多级电荷泵电路独立地操作，一者产生正电压且另一者产生负电压。12.根据权利要求8所述的电路，其中与无此协作的情况相比，所述协作针对所述单个输出电压而导致较大的输出电压。13.根据权利要求12所述的电路，其进一步包括在所述第一和第二操作模式中的一者下，所述第一和第二多级电荷泵电路在其所述端处串联地耦合。14.根据权利要求13所述的电路，其进一步包括在所述第一和第二操作模式中的另一者下，所述第一和第二多级电荷泵电路独立地操作，一者产生正电压且另一者产生负电压。15.根据权利要求13所述的电路，其进一步包括在所述第一和第二操作模式中的另一者下，所述第一和第二多级电荷泵电路独立地操作，两者都产生具有不同量值的正电压或具有不同量值的负电压。16.根据权利要求l所述的电路，其进一步包括存储器阵列，其具有响应于所述电荷泵电路输出电压的支持电路；其中所述第一操作模式包括第一存储器阵列操作模式；且其中所述第二操作模式包括第二存储器阵列操作模式。17.根据权利要求8所述的电路，其中在所述第一操作模式下，所述第一和第二多级电荷泵电路协作以产生单个输出电压；且在所述第二操作模式下，所述第一和第二多级电荷泵电路独立地操作，一者产生正输出电压且另一者产生负输出电压。18.根据权利要求17所述的电路，其进一步包括-存储器阵列，其具有字线和位线，且具有响应于所述电荷泵电路而用于所述字线和位线的支持电路；其中，在所述第一操作模式下，所述单个输出电压耦合到字线和位线两者；且其中，在所述第二操作模式下，所述正输出电压和负输出电压中的一者耦合到所述字线中的特定字线，且所述正输出电压和负输出电压中的另一者耦合到所述位线中的特定位线。19.根据权利要求18所述的电路，其中所述存储器阵列包括无源元件存储器单元。20.—种电路，其包括第一和第二电压节点；第一和第二输出节点；第一多级电荷泵电路，其包括多个串联连接的定向泵级，每一相应级经配置以将电荷从其相应输入端转移到其相应输出端；第一开关电路，其将所述第一多级电荷泵电路的一端有时耦合到所述第一电压节点且在其它时间耦合到所述第一输出节点；以及第二开关电路，其将所述多级电荷泵电路的另一端有时耦合到所述第二电压节点且在其它时间耦合到所述第二输出节点。21.根据权利要求20所述的电路，其进一步包括-第二多级电荷泵电路，其包括多个串联连接的定向泵级，每一相应级经配置以将电荷从其相应输入端转移到其相应输出端；以及开关电路，其将所述第二多级电荷泵电路的一端有时耦合到所述第一多级电荷泵电路的一端。22.根据权利要求21所述的电路，其进一步包括第三电压节点；第三输出节点；第三开关电路，其将所述第二多级电荷泵电路的一端有时耦合到所述第三电压节点且在其它时间耦合到所述第三输出节点；以及第四开关电路，其将所述第二多级电荷泵电路的另一端有时耦合到所述第一和第二电压节点中的一者且在其它时间耦合到所述第一和第二输出节点中的一者。23.根据权利要求21所述的电路，其进一步包括存储器阵列，其具有响应于所述电荷泵电路输出电压的支持电路；其中所述第一模式包括第一存储器阵列操作模式；且其中所述第二模式包括第二存储器阵列操作模式。24.—种电路，其包括第一多级电荷泵电路，其包括多个串联连接的定向泵级，所述第一多级电荷泵电路可独立地操作以产生第一输出电压；第二多级电荷泵电路，其包括多个串联连接的定向泵级，所述第二多级电荷泵电路可独立地操作以产生第二输出电压；以及用于将所述第一多级电荷泵电路有时耦合到所述第二多级电荷泵电路以协作地产生具有比各自独立地操作可产生的电压或电流大的电压或电流的单个输出电压的构件。25.根据权利要求24所述的电路，其中在第一操作模式下，所述第一和第二多级电荷泵电路协作以产生单个输出电压；且在第二操作模式下，所述第一和第二多级电荷泵电路独立地操作，一者产生正输出电压且另一者产生负输出电压。26.根据权利要求25所述的电路，其进一步包括存储器阵列，其具有字线和位线，且具有响应于所述电荷泵电路而用于所述字线和位线的支持电路其中，在所述第一操作模式下，所述单个输出电压耦合到所述字线和位线中的特定字线和位线；且其中，在所述第二操作模式下，所述正输出电压和负输出电压中的一者耦合到所述字线中的特定字线，且所述正输出电压和负输出电压中的另一者耦合到所述位线中的特定位线。27.—种方法，其包括提供多级电荷泵电路，其包括多个串联连接的定向泵级，每一相应级经配置以将电荷从其相应输入端转移到其相应输出端；选择所述多级电荷泵电路以对于第一操作模式而在所述电荷泵电路的输出节点上产生正电压；以及选择所述多级电荷泵电路以对于第二操作模式而在所述电荷泵电路的另一输出节点上产生负电压。28.根据权利要求27所述的方法，其中每一定向泵级包括一个或一个以上泵电容器，且其中所述方法进一步包括对于所述第一操作模式，利用每一定向泵级来产生所述正电压输出；以及对于所述第二操作模式，利用每一定向泵级来产生所述负电压输出。29.根据权利要求27所述的方法，其中所述提供多级电荷泵电路包括使用三阱半导体技术来制造所述多级电荷泵电路，以允许在所述多个泵级内的电路节点上相对于体衬底电位有时为正电压且在其它时间为负电压。30.根据权利要求27所述的方法，其进一步包括在所述第一操作模式下，将所述多个串联连接的泵级的第一端耦合到第一电压节点，且将所述多个串联连接的泵级的第二端耦合到所述电荷泵电路的第二输出节点；以及在所述第二操作模式下，将所述多个串联连接的泵级的所述第二端耦合到第二电压节点，且将所述多个串联连接的泵级的所述第一端耦合到所述电荷泵电路的第一输出节点。31.根据权利要求30所述的方法，其进一步包括在所述第一电压节点上传送第一电压，且在所述第二电压节点上传送第二电压，所述第一电压大于所述第二电压；在所述第一操作模式下，在所述第二输出节点上产生大于在所述第一电压节点上传送的所述第一电压的电压；以及在所述第二操作模式下，在所述第一输出节点上产生小于在所述第二电压节点上传送的所述第二电压的电压。32.根据权利要求30所述的方法，其进一步包括将所述多个串联连接的泵级的所述第一端有时耦合到所述第一电压节点，且在其它时间耦合到所述第一输出节点；以及将所述多个串联连接的泵级的所述第二端有时耦合到所述第二电压节点，且在其它时间耦合到所述第二输出节点。33.根据权利要求27所述的方法，其进一步包括有时将第二多级电荷泵电路与所述首先提到的多级电荷泵电路协作地耦合以产生单个输出电压；以及在其它时间独立地操作所述第一和第二电荷泵电路，使得每一者产生单独的输出电压。34.根据权利要求33所述的方法，其中与无此协作的情况相比，所述协作针对所述单个输出电压而导致较大的输出电流。35.根据权利要求34所述的方法，其中在所述第一和第二操作模式中的一者下，所述第一和第二多级电荷泵电路在其所述相应端处并联地耦合。36.根据权利要求35所述的方法，其中在所述第一和第二操作模式中的另一者下，所述第一和第二多级电荷泵电路独立地操作，一者产生正电压且另一者产生负电压。37.根据权利要求33所述的方法，其中与无此协作的情况相比，所述协作针对所述单个输出电压而导致较大的输出电压。38.根据权利要求37所述的方法，其进一步包括在所述第一和第二操作模式中的一者下，所述第一和第二多级电荷泵电路在其所述端处串联地耦合。39.根据权利要求38所述的方法，其进一步包括在所述第一和第二操作模式中的另一者下，所述第一和第二多级电荷泵电路独立地操作，一者产生正电压且另一者产生负电压。40.根据权利要求38所述的方法，其进一步包括在所述第一和第二操作模式中的另一者下，所述第一和第二多级电荷泵电路独立地操作，两者都产生具有不同量值的正电压或具有不同量值的负电压。41.根据权利要求27所述的方法，其进一步包括将一个或一个以上电荷泵电路输出电压耦合到用于存储器阵列的支持电路；其中所述第一操作模式包括第一存储器阵列操作模式；且其中所述第二操作模式包括第二存储器阵列操作模式。42.根据权利要求33所述的方法，其中在所述第一操作模式下，所述第一和第二多级电荷泵电路协作以产生单个输出电压；且在所述第二操作模式下，所述第一和第二多级电荷泵电路独立地操作，一者产生正输出电压且另一者产生负输出电压。43.根据权利要求42所述的方法，其进一步包括-在所述第一操作模式下，将所述单个输出电压耦合到存储器阵列的字线和位线两者；以及在所述第二操作模式下，将所述正输出电压和负输出电压中的一者耦合到所述字线中的特定字线，且将所述正输出电压和负输出电压中的另一者耦合到所述位线中的特定位线。44.一种用于制作集成电路产品的方法，所述方法包括形成第一和第二电压节点；形成第一和第二输出节点；形成第一多级电荷泵电路，其包括多个串联连接的定向泵级，每一相应级经配置以将电荷从其相应输入端转移到其相应输出端；形成第一开关电路，其将所述第一多级电荷泵电路的一端有时耦合到所述第一电压节点且在其它时间耦合到所述第一输出节点；以及形成第二开关电路，其将所述多级电荷泵电路的另一端有时耦合到所述第二电压节点且在其它时间耦合到所述第二输出节点。45.根据权利要求44所述的方法，其进一步包括-形成第二多级电荷泵电路，其包括多个串联连接的定向泵级，每一相应级经配置以将电荷从其相应输入端转移到其相应输出端；以及形成开关电路，其将所述第二多级电荷泵电路的一端有时耦合到所述第一多级电荷泵电路的一端。46.根据权利要求45所述的方法，其进一步包括形成第三电压节点；形成第三输出节点；形成第三开关电路，其将所述第二多级电荷泵电路的一端有时耦合到所述第三电压节点且在其它时间耦合到所述第三输出节点；以及形成第四开关电路，其将所述第二多级电荷泵电路的另一端有时耦合到所述第一和第二电压节点中的一者且在其它时间耦合到所述第一和第二输出节点中的一者。全文摘要本发明揭示一种多重极性可逆式电荷泵电路，其在某些实施例中可经配置以有时产生正电压，且可经逆转以在其它时间产生负电压。如果不同时需要所述正电压和负电压两者，那么此电荷泵电路是有利的。在某些其它实施例中，在一种操作模式下，电荷泵电路仅针对正升高电压而产生高输出电流，但在另一操作模式下，产生较低电流正和负升高电压输出。本发明揭示配合某些可擦除存储器阵列技术的使用，明确地说，配合某些电阻性无源元件存储器单元的使用，且更明确地说，在三维存储器阵列中的使用。文档编号H03L7/093GK101617472SQ200780050895公开日2009年12月30日申请日期2007年12月19日优先权日2006年12月31日发明者罗伊·E·朔伊尔莱因,阿利·阿尔-沙马申请人:桑迪士克3D公司