专利名称：集成同轴介质压控振荡器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种集成同轴介质压控振荡器及其制造方法。
背景技术：
同轴介质压控振荡器具有相位噪声低、温度稳定性好的特点，被广泛的应 用于通信电子领域。现有的同轴介质谐振器都采用表面镀银工艺制造，其安装
都采用锡焊的方式，因此用其制作的压控振荡器大都采用PCB电路板，振荡电 路采用分立元件，通过一体焊接工艺实现。这种电路由于采用了大量塑封元件， 其体积一般较大，集成度低，仅包含振荡电路，使得电路对负载较为敏感，稳 定性差；而且由于PCB工艺本身的限制，不可能^f故到全密封，对环境的适应性 也较差。
航天电子元器件对可靠性要求较高，不允许使用塑封器件，而且要求有良 好的气密性和较小的体积；由于工作温度范围较宽，负载状态随温度变化较大， 这就要求振荡器有较强的带负载能力。
发明内容
本发明需要解决的技术问题是提供一种全密封、体积小、可靠性高、带负 载能力强，满足航天电子设备使用要求的集成同轴介质压控振荡器及其制造方 法。
为解决上述问题，本发明所采取的技术方案是 一种集成同轴介质压控振 荡器，包括同轴介质谐振器、调谐电路、振荡电路，其中同轴介质谐振器和调 谐电路的输出端接振荡电路的输入端，还包括衰减电路、放大电路，衰减电路 的输入端接振荡电路的输出端，衰减电路的输出端接放大电路的输入端，所述 同轴介质谐振器、调谐电路、振荡电路、衰减电路、放大电路集成在全密封金 属管壳内。全密封金属管壳内安装有陶瓷电路基片，在该基片上集成调谐电路、振荡 电路、衰減电路、i丈大电路。
所述集成调谐电路、振荡电路、衰减电路、放大电路中的电阻、电感元件
采用薄膜工艺集成在电路基片上，电容元件采用M0S电容芯片，三极管、二极
管和放大器采用棵管芯元件。
所述同轴介质谐振器的引出端通过安装于全密封金属管壳的管座上的陶瓷 垫片接入电路，同轴介质谐振器的外表焊接在管座上。
一种集成同轴介质压控振荡器的制造方法，包括以下步骤。
1) 用金锡焊料在管座上焊接一陶瓷垫片，焊接温度为29(TC,
2) 用回流焊工艺将同轴介质谐振器焊接在管座上，同轴介质谐振器引出端 焊接在陶覺垫片一端，焊接温度最高为245°C,焊料为锡《艮铜焊料，
3) 采用薄膜工艺将电阻电感元件制作在电路基片上，并将芯片元件安装在 电路基片上，
4) 将各电路基片安装在管座上，并将芯片元件、电路基片、陶瓷垫片和管 座引出端之间采用金丝键合进行连接，然后密封。
采用上迷4i术方案所产生的有益效果在于本发明在压控振荡器电路之后 加入衰减电路和緩冲放大电路，增大了振荡器和负载的隔离度，提高了振荡器 的带负裁能力；采用陶瓷电路基片和棵管芯元件，并且电阻电感元件采用薄膜 工艺制作，减小了电路体积，提高了电路的集成度；采用全密封金属管壳进行
封装，环境适应性强。
图1是本发明电路结构框图； 图2是本发明的电路图3是在管座上焊接上陶瓷垫片之后的俯视图4是图3基础上焊接上同轴介质谐振器之后的俯视图5是图4基础上装配上基片和元件之后封装之前的俯视图。
具体实施例方式
下面结合附图对本发明做进一步详细描述
如图1、 2所示，本发明包括同轴介质谐振器、调谐电路、振荡电路、衰减 电路、放大电路，其中同轴介质谐振器和调谐电路的输出端接振荡电路的输入 端，振荡电路的输出端接衰减电路的输入端，衰减电路的输出端接放大电路的 输入端，在电路中集成衰减、放大电路以增大振荡器和负载的隔离度，提高带 负载能力。
本发明集成同轴介质压控振荡器的制造方法，说明如下首先用金锡焊料 在管座上合适位置焊接一陶瓷垫片，如图3所示，焊接温度为290°C,焊料为金 锡焊料；然后用回流焊工艺将介质谐振器焊接在管座上，介质谐振器引出端焊 接在陶瓷垫片一端，如图4所示，焊接温度最高为245°C，焊料为锡银铜焊料， 焊接完成之后用酒精将助焊剂清洗干净，本发明所使用的同轴陶瓷介质谐振器， 其外表面接地，中间引出端接入电路，可等效为一个LCR的并联谐振电路；采 用薄膜工艺将电阻电感元件制作在电路基片上，并将芯片元件安装在电路基片 上；最后进行电路基片的安装，将各电路基片安装在管座上，芯片元件、电路 基片、陶瓷垫片和管座引出端之间都采用金丝键合进行连接，如图5所示，图 中基片均为陶瓷片，电路中的电阻和电感元件都集成在电路基片上，所有的电 容都选用M0S电容芯片，三极管、二极管和放大器均选用棵管芯，用金丝键合 进行连接。介质谐振器引出端通过陶瓷垫片，也由金丝键合接入电路，安装完 成后进行调试，调试完成之后进行密封。
本发明所使用的管座为可伐材料，以和同轴介质谐振器及陶瓷垫片进行热 匹配；管座表面镀金，以方便焊接和键合；陶瓷垫片焊接在管座的合适位置，以 方便垫片左侧焊接同轴陶瓷介质谐振器，右侧装配电路基片和元件。基片采用 用陶瓷基片，元件全部选用棵管芯，电路的所有组成部分封装在一个全密封管 壳中，以减小电路体积，提高可靠性，增加使用方便性。
权利要求
1、一种集成同轴介质压控振荡器，包括同轴介质谐振器、调谐电路、振荡电路，其中同轴介质谐振器和调谐电路的输出端接振荡电路的输入端，其特征在于还包括衰减电路、放大电路，衰减电路的输入端接振荡电路的输出端，衰减电路的输出端接放大电路的输入端，所述同轴介质谐振器、调谐电路、振荡电路、衰减电路、放大电路集成在全密封金属管壳内。
2、 根据权利要求l所述的集成同轴介质压控振荡器，其特征在于全密封金 属管壳内安装有陶瓷电路基片，在该基片上集成调谐电路、振荡电路、衰减电 路、放大电路。
3、 根据权利要求2所述的集成同轴介质压控振荡器，其特征在于所述调谐 电路、振荡电路、衰减电路和放大电路中的电阻、电感元件均采用薄膜工艺集 成在陶瓷电路基片上，电容元件采用M0S电容芯片，三极管、二极管和放大器 采用棵管芯元件。
4、 根据权利要求1 、 2或3所述的集成同轴介质压控振荡器，其特征在于 所述同轴介质谐振器的引出端通过安装于全密封金属管壳的管座上的陶瓷垫片 接入电路，同轴介质谐振器的外表焊接在管座上。
5、 一种权利要求4所述的集成同轴介质压控振荡器的制造方法，包括以下1) 用金锡焊料在管座上焊接一陶瓷垫片，焊接温度为290。C，2) 用回流焊工艺将同轴介质谐振器焊接在管座上，同轴介质谐振器引出端 焊接在陶瓷垫片一端，焊接温度最高为245°C，焊料为锡4艮铜焊料，3) 采用薄膜工艺将电阻电感元件制作在电路基片上，并将芯片元件安装在 电路基片上，4) 将各电路基片安装在管座上，并将芯片元件、电路基片、陶瓷垫片和管 座引出端之间采用金丝4定合进行连接，然后密封。
全文摘要
本发明公开了一种集成同轴介质压控振荡器及其制造方法，该振荡器包括同轴介质谐振器、调谐电路、振荡电路、衰减电路、放大电路、上述同轴介质谐振器通过焊接工艺焊接在管座上，其它电路制作在陶瓷基片上，陶瓷基片安装在管壳上，电路之间以及元件之间采用金丝键合，最后将同轴介质谐振器和各电路集成在全密封金属管壳内。本发明在压控振荡器电路之后加入衰减电路和缓冲放大电路，增大了振荡器和负载的隔离度，提高了振荡器的带负载能力；采用陶瓷电路基片和裸管芯元件，并且电阻电感元件采用薄膜工艺制作，减小了电路体积，提高了电路的集成度；采用全密封金属管壳进行封装，环境适应性强。
文档编号H03B5/30GK101662259SQ20091007542
公开日2010年3月3日 申请日期2009年9月18日 优先权日2009年9月18日
发明者刘晓红, 彪 袁, 要志宏 申请人:河北博威集成电路有限公司