专利名称：基于低压差调压器的低噪声cmos压控振荡电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种基于低压差调压器的低噪声CMOS压控振荡电路，确切说，涉及一 种基于低压差调压器的低噪声CMOS电感电容压控振荡电路，属于集成电路设计及信号处 理的技术领域。
背景技术：
近年来随着射频集成电路的迅速发展，无线通讯技术逐步步入人们的日常生 活。其中超高频(Ultra High Frequency，简称UHF)无线射频识别(RadioFrequency Identification，简称RFID)技术由于其相对较远的传输距离和较快的传输速率得到广泛 的关注，尤其是在物流，目标跟踪等领域得到了广泛的应用。现今全球超高频射频识别系统的工作频率主要在860 960MHz之间，针对射频识 别系统的通信协议规范主要有欧洲的ETSI和北美的FCC两种规范。和其他无线通讯设备 一样，单片UHF RFID阅读器中射频前端采用锁相环提供本地振荡源。依据IEEE近年来关 于单片UHF RFID阅读器研究的相关报道显示，单片UHF RFID阅读器中锁相环的设计依然 面临着许多挑战，其相位噪声性能直接影响着阅读器中接收机的灵敏度和信噪比。压控振荡器是锁相环电路中的核心模块，主要产生射频前端所需要的本振信号， 而其相位噪声性能主要决定了锁相环的带宽外噪声，对UHF RFID阅读器通信过程中的临道 抑制和抗干扰能力有很大的影响。电感电容压控振荡器(LC VC0)由于其相对较好的相位 噪声性能而被广泛采用，目前LC VCO的设计主要采用电流源偏置结构，例如2008年4月的 IEEE《固态电路》杂志上发表的“A single-chip CMOS Transceiver for UHF Mobile RFID ReadeH手持式超高频无线射频识别阅读器中单片CMOS收发机)”见图1。图1为NM0SFET 和PM0SFET构成的交叉耦合结构的工作原理M1，、Μ2’以及Μ3，、Μ4，分别通过反馈形成等 效负电阻，并利用负电阻电路产生的能量补偿电容电感谐振回路中的损耗，形成持续振荡。 其中该结构的LC VCO中电源抖动形成的随机噪声会周期性改变尾管电流源的电流大小，使 VCO输出幅度周期性改变，影响本振相位噪声性能；同时尾管电流源的热噪声也会进入电 感电容谐振回路，极大地恶化了本振相位噪声，降低了整个接收机的抗干扰能力。综上所述，设计一种低噪声电感电容压控振荡电路对于整个单片UHFRFID阅读器 性能的提升有重大的意义。[1]K. Ickjin, Ε.Yunseong, B.Heemun et al. "A single-chip CMOSTransceiver for UHF Mobile RFID Reader，，IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 43, no. 3, pp. 729-737, March 2008.
发明内容
本发明的目的是推出一种基于低压差调压器的低噪声电感电容压控振荡电路，它 的优点是能够有效抑制电源噪声对VCO相位噪声性能的恶化；利用稳定的低压差调压器 偏置取代普通电流源偏置结构，消除电流源噪声对VCO相位噪声的影响。
本发明的技术方案是利用低压差调压器有效抑制电源噪声，提供给LCVCO —个稳 定的低噪声偏置电流源，有效降低电源噪声对VCO相位噪声性能的影响。本发明提供了一种电感电容压控振荡电路，由低压差调压器、并联电容电感噪声 滤波器以及互补交叉耦合结构的电感电容压控振荡器构成，其中，所述低压差调压器由误 差放大器A (s)、M0S管M15、第一电阻Rl和第二电阻R2构成，所述MOS管M15的栅极、源极、 漏极分别与所述误差放大器的输出端A。ut、电源VDD、第一电阻Rl的一端相连，并从第MOS管 M15的漏极引出低压差调压器的输出端，第一电阻Rl的另一端和第二电阻R2互连后接到误 差放大器正向输入端FB，第二电阻R2的一端和正向输入端FB相连，另一端接地线GND，所 述噪声滤波器中还包括电感Lf，电容Cf，所述电感Lf的一端和所述电容Cf相连后接到共 模端G，其另一端和低压差调压器的输出端VBias相连，所述电容Cf的一端连到共模端G，其 另一端连到地线GND。在本发明的电感电容压控振荡电路，所述低压差调压器中的误差放大器A (S)包 括第i^一 MOS管M11，第十二 MOS管M12，第十三MOS管M13，第十四MOS管M14，第十六MOS 管M16，第十七MOS管M17，第一电流源II，其中，第十一 MOS管Mll的栅极、漏极、源极分别 接到误差放大器输入端IN-、误差放大器输出端A。ut、第十二 MOS管M12的源极，第十二 MOS 管M12的源极和第i^一 MOS管Mll的源极互连后接到第十六MOS管M16的漏极，第十二 MOS 管M12的栅极和漏极分别接到误差放大器正向输入端FB和第十三MOS管M13的栅极，第 十三MOS管M13和第十四MOS管M14的栅极互连后接到误差放大器正向输入端FB，第十三 MOS管M13和第十四MOS管M14的源极互连后接到电源VDD，第十四MOS管M14的漏极接到 误差放大器正向输入端FB，第十六MOS管M16的栅极、源极、漏极分别与第十七MOS管M17 的栅极、第十七MOS管M17的源极、第十二 MOS管M12的源极连接，第十七MOS管M17的栅 极和漏极互连后接到第一电流源II，第十七MOS管M17的源极和第十六MOS管M16的源极 互连后接地GND，第一电流源Il的一端接到电源VDD的另一端接到第十七MOS管M17的栅 极。本发明的电感电容压控振荡电路，其中所述互补交叉耦合结构电感电容压控振荡 器核中还包括第一 MOS管M1，第二 MOS管M2，第三MOS管M3，第四MOS管M4，第一差分对称 电感Ll，第一集成MOS可变电容Var 1，第二集成MOS可变电容Var2，第一电容Cl，第二电容 C2，第三电容C3，第四电容C4，其中第一 MOS管Ml的漏极、栅极、源极分别和第二 MOS管M2 的栅极、漏极、源极相连，第二 MOS管M2的栅极和漏极分别与输出端Vqut+和输出端Vqut-相 连，第一 MOS管Ml和第二 MOS管M2源极互连后与共模端G相连，第三MOS管M3的栅极、漏 极、源极分别和第四MOS管M4的漏极、栅极、源极相连，第四MOS管M4的栅极和漏极分别与 输出端Vqut+和输出端VQUT-，第三MOS管M3和第四MOS管M4的源极互连后接到地线GND，第 一差分对称电感Ll的差分输入端和输出端Vot+和输出端Vot-相连，第一集成MOS可变电 容Varl的两端分别与电压调谐端Vt_和输出端Vot+相连，第二集成MOS可变电容Var2的 两端分别与电压调谐端Vtum和输出端Vot-相连，第一电容和第二电容之间连有第一开关电 路，第三电容和第四电容之间连有第二开关电路。在本发明的电感电容压控振荡电路，所述第一开关电路由第五MOS管M5、第六MOS 管M6、第七MOS管M7和开关控制端Sl构成，所述第二开关电路由第八MOS管M8、第九MOS 管M9、第十MOS管MlO和开关控制端S2构成。其中，第五MOS管M5和第六MOS管M6的源极连在一起接到地线，第五MOS管M5和第七MOS管M7的漏极互连后与第一电容Cl相连， 第六MOS管M6的漏极和第七MOS管M7源极互连后与第二电容C2相连，第一电容Cl的一 端与第五MOS管M5和第七MOS管M7的漏极相连，另一端和输出端Vqut+相连，第二电容C2 的一端与第六MOS管M6的漏极和第七MOS管M7源极相连，另一端和输出端Vot-相连，第 八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管MlO的栅极连在一起接到开关控制端S2，第八MOS 管M8和第九MOS管M9的源极互连后接到地线(GND)，第八MOS管M8和第十MOS管MlO的 漏极互连后与第三电容C3相连，第九MOS管M9的漏极和第十MOS管MlO的源极互连后与 第四电容C4相连，第三电容C3的一端和第八MOS管M8和第十MOS管MlO的漏极相连另一 端和输出端Vqut+相连，第四电容C4 一端和第九MOS管M9的漏极和第十MOS管MlO的源极 相连另一端和输出端Vot-相连。与背景技术相比，本发明有以下积极效果1、本发明的基于低压差调压器的低噪声电感电容压控振荡器(LCVCO)，能够有效 抑制电源噪声，提高本振信号的相位噪声性能。2、本发明的基于低压差调压器的低噪声电感电容压控振荡器(LCVCO)，取消了电 流源偏置结构，消除了电流源噪声对相位噪声性能的影响。
图1为文献[1]中采用的LC VCO结构电路图。图2为本发明基于低压差调压器的低噪声电感电容压控振荡器的框图。图3为本发明采用的基于低压差调压器的低噪声电感电容压控振荡器(LC VC0) 电路图。
具体实施例方式现结合附图2和附图3具体描述本发明的一个实施方式。一种基于低压差调压器的低噪声电感电容压控振荡电路，如图2所示，由低压差 调压器，并联电容电感(LC)噪声滤波器以及互补交叉耦合结构的电感电容压控振荡器构 成；如图3所示，所述低压差调压器有误差放大器负相输入端IN-，误差放大器正向输入端 FB，误差放大器输出端A。ut，低压差调压器输出端VBias，所述并联LC滤波器一端连于交叉管 共模端G，所述互补交叉耦合结构电感电容压控振荡器核有差分输出端Vott-及VOTT+，电压 调谐端Vtme，开关控制端Sl和S2，其特征在于，互补交叉耦合结构电感电容压控振荡器核中 还包括第一 MOS管M1，第二 MOS管M2，第三MOS管M3，第四MOS管M4，第五MOS管M5，第六 MOS管M6，第七MOS管M7，第八MOS管M8，第九MOS管M9，第十MOS管MlO，第一差分对称电 感Ll，第一集成MOS可变电容Var 1，第二集成MOS可变电容Var2，第一集成金属介质层金属 (MIM)电容Cl，第二集成金属介质层金属(MIM)电容C2，第三集成金属介质层金属(MIM)电 容C3，第四集成金属介质层金属(MIM)电容C4，其中第一 MOS管Ml的漏极、栅极、源极分别 和第二 MOS管M2的栅极、漏极、源极相连，第二 MOS管M2的栅极和漏极分别与输出端Vqut+ 和输出端Vott-相连，第一 MOS管Ml和第二 MOS管M2源极互连后与共模端G相连，第三MOS 管M3的栅极、漏极、源极分别和第四MOS管M4的漏极、栅极、源极相连，第四MOS管M4的栅 极和漏极分别与输出端Vqut+和输出端VQUT-，第三MOS管M3和第四MOS管M4的源极互连后接到地线(GND)，第一差分对称电感Ll的差分输入端和输出端Vott+和输出端Vott-相连，第 一集成MOS可变电容Varl的两端分别与电压调谐端Vtme和输出端Vott+相连，第二集成MOS 可变电容Var2的两端分别与电压调谐端Vtme和输出端Vqut-相连，第五MOS管M5、第六MOS 管M6、第七MOS管M7的栅极连在一起接到控制端Si，第五MOS管M5和第六MOS管M6的源 极连在一起接到地线，第五MOS管M5和第七MOS管M7的漏极互连后与第一集成金属介质 层金属(MIM)电容Cl相连，第六MOS管M6的漏极和第七MOS管M7源极互连后与第二集成 金属介质层金属(MIM)电容C2相连，第一集成金属介质层金属(MIM)电容Cl 一端与第五 MOS管M5和第七MOS管M7的漏极相连另一端和输出端Vqut+相连，第二集成金属介质层金 属(MIM)电容C2 —端与第六MOS管M6的漏极和第七MOS管M7源极相连另一端和输出端 Vout-相连，第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管MlO的栅极连在一起接到开关控制端 S2，第八MOS管M8和第九MOS管M9的源极互连后接到地线(GND)，第八MOS管M8和第十 MOS管MlO的漏极互连后与第三集成金属介质层金属(MIM)电容C3相连，第九MOS管M9的 漏极和第十MOS管MlO的源极互连后与第四集成金属介质层金属(MIM)电容C4相连，第三 集成金属介质层金属(MIM)电容C3的一端和第八MOS管M8和第十MOS管MlO的漏极相连 另一端和输出端Vqut+相连，第四集成金属介质层金属(MIM)电容C4 一端和第九MOS管M9 的漏极和第十MOS管MlO的源极相连另一端和输出端Vqut-相连。LC噪声滤波器中还包括 第一集成螺旋电感Lf，第5集成金属介质层金属(MIM)电容Cf，第一集成螺旋电感Lf 一端 和第5集成金属介质层金属(MIM)电容Cf相连后接到共模端G另一端和低压差调压器输 端相连，第5集成金属介质层金属(MIM)电容Cf 一端连到共模端G另一端连到地线 (GND)。低压差调压器1中还包括第i^一 MOS管Ml 1，第十二 MOS管M12，第十三MOS管M13， 第十四MOS管M14，第十五MOS管M15，第十六MOS管M16，第十七MOS管M17，第一电流源 II，第一电阻R1，第二电阻R2，第十一 MOS管Mll的栅极、漏极、源极分别接到误差放大器输 入端IN-、误差放大器输出端A。ut、第十二 MOS管M12的源极，第十二 MOS管M12的源极和第 十一 MOS管Ml 1的源极互连后接到第十六MOS管M16的漏极，第十二 MOS管M12的栅极和漏 极分别接到误差放大器正向输入端FB和第十三MOS管M13的栅极，第十三MOS管M13和第 十四MOS管M14的栅极互连后接到误差放大器正向输入端FB，第十三MOS管M13和第十四 MOS管M14的源极互连后接到电源(VDD)，第十四MOS管M14的漏极接到误差放大器正向输 入端FB，第十五MOS管M15的栅极、源极、漏极分别与误差放大器输出端A。ut、电源(VDD)、 第一电阻Rl相连，第一电阻Rl —端和第十五MOS管M15的漏极相连另一端和第二电阻R2 互连后接到误差放大器正向输入端FB，第二电阻R2 —端和FB相连另一端接地线(GND)，第 十六MOS管M16的栅极、源极、漏极分别与第十七MOS管M17的栅极、第十七MOS管M17的 源极、第十二 MOS管M12的源极连接，第十七MOS管M17的栅极和漏极互连后接到第一电流 源II，第十七MOS管M17的源极和第十六MOS管M16的源极互连后接地(GND)，第一电流源 Il 一端接到电源(VDD)另一端接到第十七MOS管M17的栅极。现结合实例详细说明本发明的技术方案和工作原理。本实例具有与图3所示的电 路完全相同的电路结构。本实例的元器件和电路参数罗列如下第一差分对称电感Li、第一集成螺旋电感Lf电感量分别为1. 4nH,2. 2nH ；第一集成MOS可变电容Varl、第二集成MOS可变电容Var2 :5pF、5pF ；第一集成金属介质层金属(MIM)电容Cl、第二集成金属介质层金属(MIM)电容C2、第三集成金属介质层金属(MIM)电容C3、第四集成金属介质层金属(MIM)电容C4、第5 集成金属介质层金属(MIM)电容Cf的电容值分别为3pF、3pF、3pF、3pF、500fF;第一 MOS管Ml、第二 MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4的宽长比分别为 (200/0. 32) μ m/μ m, (200/0. 32) μ m/μ m, (160/1) μ m/μ m, (160/1) μ m/μ m ；第五MOS管Μ5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第 十 MOS 管 MlO 的宽长比分别为(40/0. 4) μ m/μ m，(40/0.4) μ m/μ m，(400/0.4) μ m/μ m， (40/0. 4) μ m/ μ m, (40/0. 4) μ m/ μ m, (400/0. 4) μ m/ μ m ；第^^一 MOS管Mil、第十二 MOS管M12、第十三MOS管M13、第十四MOS管M14、第 十五MOS管M15、第十六MOS管M16、第十七MOS管M17的宽长比分别为(500/0. 4) μ m/μ m、 (500/0. 4) μ m/ μ m、(375/1) μ m/ μ m、(500/0. 4) μ m/ μ m、(2000/0. 4) μ m/ μ m、(200/2) μ m/ μ m、(2/2) μ m/ μ m ；第一电流源Il电流大小为10μΑ ；第一电阻R1、第二电阻R2的阻值分别为120ΚΩ、130ΚΩ ；电源电压(VDD)为3.3V ；VBias 电压为2. 5V ；电压控制端Vtune的电压变化范围为0-3. 3V ；开关控制电压Sl和S2分别为0V或3. 3V ；工作原理本发明基于低压差调压器的低噪声电感电容压控振荡器(LC VC0)电路如图3所 示。第一电流源Il为偏置电流源，第十六MOS管M16和第十七MOS管M17构成电流镜，第 十七MOS管M17将第一电流源11的电流值按比例放大作为差分输入对第i^一 MOS管Ml 1和 第十二 MOS管M12的偏置电流源，第十三MOS管M13和第十四MOS管M14构成差分输入的 电流镜负载，误差放大器输出端A。ut处的电压作为第十五MOS管M15的偏置电压，第一电阻 Rl和第二电阻R2构成比例关系，并将第二电阻R2上产生的压降反馈到第十二 MOS管M12 的栅极上构成负反馈环路，迫使第十二 MOS管M12栅极上的电压等于第十一 MOS管Mll栅 极的输入基准电压，调节第一电阻Rl和第二电阻R2阻值的比值，可以在VBias端获得独立于 电源电压的稳定偏置电压源，本发明中VBias的电压大小为2. 5V，第一集成螺旋电感Lf和第 5集成金属介质层金属(MIM)电容Cf以及共模端G处的寄生电容谐振在两倍的本振信号频 率处，构成LC噪声滤波器，降低本振信号二次谐波对相位噪声的影响，第一 MOS管Ml和第 MOS管M2以及第三MOS管M3和第四MOS管M4形成正反馈连接方式，用以产生等效负电阻， 所述负电阻和第一差分对称电感Ll与第一集成MOS可变电容Varl以及第二集成MOS可变 电容Var2构成的谐振网络中寄生电阻对能量的消耗，实现振荡器的持续振荡，第五MOS管 M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7以及第一集成金属介质层金属(MIM)电容Cl、第二集成金 属介质层金属(MIM)电容C2构成开关电容结构，当开关控制端Sl电压为3. 3V时，第五MOS 管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7全部导通，此时第一集成金属介质层金属(MIM)电容 Cl、第二集成金属介质层金属(MIM)电容C2接入谐振网络中，降低频率，当开关控制端Sl 电压为OV时，第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7全部截止，此时第一集成金属介 质层金属(MIM)电容Cl、第二集成金属介质层金属(MIM)电容C2不接入谐振网络中，频率 提高，第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管MlO以及第三集成金属介质层金属(MIM)电容C3、第四集成金属介质层金属(MIM)电容C4构成开关电容结构，当开关控制端S2电压 为3. 3V时，第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管MlO全部导通，此时第三集成金属介 质层金属(MIM)电容C3、第四集成金属介质层金属(MIM)电容C4接入谐振网络中，降低频 率，当开关控制端S2电压为OV时，第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管MlO全部截 止，此时第三集成金属介质层金属(MIM)电容C3、第四集成金属介质层金属(MIM)电容C4 不接入谐振网络中，频率提高，通过控制开关控制端Sl和S2可以克服VCO制造工程中的工 艺偏差和频段覆盖要求。
权利要求
1.一种电感电容压控振荡电路，其特征在于，由低压差调压器、并联电容电感噪声滤波 器以及互补交叉耦合结构的电感电容压控振荡器构成，其中，所述低压差调压器由误差放 大器(A(s))、M0S管(M15)、第一电阻(Rl)和第二电阻(R2)构成，所述MOS管(M15)的栅极、 源极、漏极分别与所述误差放大器的输出端(A。ut)、电源(VDD)、第一电阻Rl的一端相连，并 从第MOS管(M15)的漏极引出低压差调压器的输出端，第一电阻(Rl)的另一端和第二电阻 (R2)互连后接到误差放大器正向输入端(FB)，第二电阻(似)的一端和正向输入端(FB)相 连，另一端接地线(GND)，所述噪声滤波器中还包括电感(Lf)，电容(Cf)，所述电感(Lf)的 一端和所述电容(Cf)相连后接到共模端(G)，其另一端和低压差调压器的输出端(VBias)相 连，所述电容(Cf)的一端连到共模端(G)，其另一端连到地线(GND)。
2.如权利要求1所述的电感电容压控振荡电路，其特征在于，所述低压差调压器中的 误差放大器(A(s))包括第十一 MOS管(Ml 1)，第十二 MOS管(M12)，第十三MOS管(M13)，第 十四MOS管(M14)，第十六MOS管(M16)，第十七MOS管(M17)，第一电流源(II)，其中，第十一 MOS管(Mil)的栅极、漏极、源极分别接到误差放大器输入端(IN-)、误 差放大器输出端(A。ut)、第十二 MOS管(M12)的源极，第十二 MOS管(M12)的源极和第十一 MOS管(Mil)的源极互连后接到第十六MOS管(M16)的漏极，第十二 MOS管(M12)的栅极 和漏极分别接到误差放大器正向输入端(FB)和第十三MOS管(M13)的栅极，第十三MOS管 (M13)和第十四MOS管(M14)的栅极互连后接到误差放大器正向输入端(FB)，第十三MOS 管(M13)和第十四MOS管(M14)的源极互连后接到电源(VDD)，第十四MOS管(M14)的漏 极接到误差放大器正向输入端(FB)，第十六MOS管(M16)的栅极、源极、漏极分别与第十七 MOS管(M17)的栅极、第十七MOS管(M17)的源极、第十二 MOS管(M12)的源极连接，第十七 MOS管(M17)的栅极和漏极互连后接到第一电流源(II)，第十七MOS管(M17)的源极和第 十六MOS管(M16)的源极互连后接地(GND)，第一电流源(Il) 一端接到电源(VDD)另一端 接到第十七MOS管(M17)的栅极。
3.如权利要求1或2所述的电感电容压控振荡电路，其特征在于，所述互补交叉耦合 结构电感电容压控振荡器核中还包括第一MOS管(M1)，第二MOS管(M2)，第三MOS管(M3)， 第四MOS管(M4)，第一差分对称电感(Li)，第一集成MOS可变电容(Varl)，第二集成MOS 可变电容(Var2)，第一电容(Cl)，第二电容(C2)，第三电容(C3)，第四电容(C4)，其中第一 MOS管(Ml)的漏极、栅极、源极分别和第二 MOS管(M2)的栅极、漏极、源极相连，第二 MOS管 (M2)的栅极和漏极分别与输出端(VQUT+)和输出端(VqutJ相连，第一 MOS管(Ml)和第二 MOS 管(M2)源极互连后与共模端(G)相连，第三MOS管(M3)的栅极、漏极、源极分别和第四MOS 管(M4)的漏极、栅极、源极相连，第四MOS管(M4)的栅极和漏极分别与输出端(VOT+)和输 出端(VqutJ，第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4)的源极互连后接到地线(GND)，第一差分 对称电感(Li)的差分输入端和输出端(VOT+)和输出端(VottJ相连，第一集成MOS可变电 容(Varl)的两端分别与电压调谐端(VtlJ和输出端(VQUT+)相连，第二集成MOS可变电容 (Var2)的两端分别与电压调谐端(Vt_)和输出端(VottJ相连，第一电容和第二电容之间连 有第一开关电路，第三电容和第四电容之间连有第二开关电路。
4.如权利要求3所述的所述的电感电容压控振荡电路，其特征在于，所述第一开关电 路由第五MOS管(M5)、第六MOS管(M6)、第七MOS管(M7)和开关控制端(Si)构成，所述第 二开关电路由第八MOS管(M8)、第九MOS管(M9)、第十MOS管(MlO)和开关控制端(S2)构成，其中，第五MOS管(M5)和第六MOS管(M6)的源极连在一起接到地线，第五MOS管(M5) 和第七MOS管(M7)的漏极互连后与第一电容(Cl)相连，第六MOS管(M6)的漏极和第七 MOS管(M7)源极互连后与第二电容(C2)相连，第一电容(Cl)的一端与第五MOS管(M5)和 第七MOS管(M7)的漏极相连，另一端和输出端(VOT+)相连，第二电容(C2)的一端与第六 MOS管(M6)的漏极和第七MOS管(M7)源极相连，另一端和输出端(VqutJ相连，第八MOS管 (M8)、第九MOS管(M9)、第十MOS管(MlO)的栅极连在一起接到开关控制端(S2)，第八MOS 管(M8)和第九MOS管(M9)的源极互连后接到地线(GND)，第八MOS管(M8)和第十MOS管 (MlO)的漏极互连后与第三电容(C3)相连，第九MOS管(M9)的漏极和第十MOS管(MlO)的 源极互连后与第四电容(C4)相连，第三电容(C3)的一端和第八MOS管(M8)和第十MOS管 (MlO)的漏极相连另一端和输出端(VQUT+)相连，第四电容(C4) 一端和第九MOS管(M9)的 漏极和第十MOS管(MlO)的源极相连另一端和输出端(VottJ相连。
全文摘要
本发明提供了一种电感电容压控振荡电路，由低压差调压器、并联电容电感噪声滤波器以及互补交叉耦合结构的电感电容压控振荡器构成，其中，所述低压差调压器由误差放大器、MOS管、第一电阻和第二电阻构成，所述MOS管的栅极、源极、漏极分别与所述误差放大器的输出端、电源、第一电阻R1的一端相连，并从第MOS管的漏极引出低压差调压器的输出端，第一电阻的另一端和第二电阻互连后接到误差放大器正向输入端，第二电阻的一端和正向输入端相连，另一端接地线，所述噪声滤波器中还包括电感，电容，所述电感的一端和所述电容相连后接到共模端，其另一端和低压差调压器的输出端相连，所述电容的一端连到共模端，其另一端连到地线。
文档编号H03B5/04GK102142811SQ201010103638
公开日2011年8月3日 申请日期2010年2月1日 优先权日2010年2月1日
发明者任旭, 何伟, 张润曦, 石春琦, 许帅, 赖宗声, 马聪, 黄飞 申请人:华东师范大学