专利名称：射频功率放大器的制作方法
技术领域：
本发明涉及通信技术领域，具体而言，涉及一种射频功率放大器。
背景技术：
随着现代无线通讯向高速大容量方向的演进，用户对宽带通讯的要求不断提高， 下一代的技术对射频和微波功率放大器的性能也越来越苛刻。对于手机中的功率放大器芯片应用来说，其最高供电电压不超过4. 2V，其典型的 电源电压为3. 3V，而在此状况下若要有3W的功率输出，在不考虑膝点电压的情况下，其所 需的最优化阻抗为1.7 Ω左右，而功率放大器最终输出的阻抗要求为50 Ω，因此在功放晶 体管的输出到功率放大器最终的输出端之间需要一个阻抗变换网络来完成最优化阻抗到 50Ω输出阻抗之间的变换。对于阻抗变换网络来说，由于实际元件中的损耗，在实际应用中 最重要的性能就包括功率传输效率和有用带宽。定义阻抗变换网络的输出阻抗和输入阻抗之比为阻抗变换比。在大功率输出情况 下，所需要的最优化阻抗非常小，导致阻抗变换比非常高，对于上述3W的功率输出的情况， 阻抗变换比接近30。目前使用的主要阻抗变换网络为LC网络，主要在片外实现。但其功率传输效率及
带宽要受匹配网络两端的阻抗传输比的影响。以一阶LC网络为例，如图2所示，定义网络
Rr
的阻抗变换比为，= f，则经过简单的串并转换，可以推导出该网络的功率传输效率为
权利要求
一种射频功率放大器，其特征在于，包括射频功率放大器基础单元(101)及变压器(102)；所述变压器(102)包括初级线圈及次级线圈，其中初级线圈及次级线圈的一端分别接地；次级线圈的另一端为输出端；所述射频功率放大器基础单元(101)的输出端与变压器(102)初级线圈的另一端连接。
2.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于所述变压器(102)采用单端 输入单端输出结构。
3.根据权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于所述射频功率放大器基础单 元(101)的输出端通过耦合电容(C)与变压器(102)初级线圈的另一端连接。
4.根据权利要求3所述的射频功率放大器，其特征在于所述变压器(102)与射频功 率放大器基础单元(101)集成在同一块芯片。
5.根据权利要求3所述的射频功率放大器，其特征在于所述变压器(102)与射频功 率放大器基础单元(101)采用分离芯片结构。
6.根据权利要求4或5所述的射频功率放大器，其特征在于所述耦合电容(C)采用 一个或两个以上可变电容。
全文摘要
本发明涉及通信技术领域，具体而言，涉及一种射频功率放大器，它包括射频功率放大器基础单元(101)及变压器(102)；所述变压器(102)包括初级线圈及次级线圈，其中初级线圈及次级线圈的一端分别接地；次级线圈的另一端为输出端；所述射频功率放大器基础单元(101)的输出端与变压器(102)初级线圈的另一端连接；所述变压器(102)采用单端输入单端输出结构；所述射频功率放大器基础单元(101)的输出端通过耦合电容(C)与变压器(102)初级线圈的另一端连接。本发明集成度高，片外匹配调试简单，可解决在高功率输出情况下，阻抗变换比对阻抗变换网络的功率传输效率以及有用带宽影响等问题。
文档编号H03F3/20GK101951232SQ201010506978
公开日2011年1月19日 申请日期2010年10月14日 优先权日2010年10月14日
发明者张健, 张宗楠, 张海英, 陈立强 申请人:沈阳中科微电子有限公司