专利名称：一种高电位谐波发生电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及信号发生电路，特别是涉及一种高电位谐波发生电路。
背景技术：
现有市场销售的高电位治疗仪一般不包括谐波发生电路，这必将影响高电位治疗仪的治疗效果及疗效时间。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是弥补上述现有技术的缺陷，提供一种高电位谐波发生电路，用于改善高电位治疗仪的治疗效果及疗效时间。本发明的技术问题通过以下技术方案予以解决。这种高电位谐波发生电路，是正弦波波形上叠加谐波的谐波发生电路，包括谐波及波形叠加主回路以及电源电路，所述电源电路包括初级线圈与市电连接的同步控制变压器和与所述同步控制变压器次级线圈并联的市电整流滤波稳压电路。这种高电位谐波发生电路的特点是所述谐波及波形叠加主回路包括由电感、电容及可控硅组成的串联谐振支路，且电感的一端即所述串联谐振支路的一端与同步控制变压器的初级线圈的一端连接，可控硅的一端即所述串联谐振支路的另一端与同步控制变压器的初级线圈的另一端连接，还与高电位输出变压器的初级线圈的一端连接，电容与电感的连接点与高电位输出变压器的初级线圈的另一端连接，所述串联谐振支路利用可控硅维持电流特性自动关断每一次谐振持续过程。设有微处理器芯片及其外围的同步中断信号产生电路、基准时间振荡电路、复位电路，所述微处理器芯片的中断脚与所述同步中断信号产生电路的输出端连接，所述微处理器芯片的基准时间脚与所述基准时间振荡电路的输出端连接，所述微处理器芯片的复位脚与所述复位电路的输出端连接。本发明的技术问题通过以下进一步的技术方案予以解决。所述同步中断信号产生电路包括同步控制变压器的次级降压线圈、三极管型光电耦合器，以及发光二极管侧的直流限流电阻和光敏三极管的集电极电阻，所述光电耦合器在市电交流电的正半周时间导通，次级降压线圈将市电220V降压到12V，以保证同步中断信号产生电路产生的可控硅触发脉冲延时起始点与市电过零点同步。采用三极管型光电耦合器可以提高中断信号产生电路及微处理器芯片的抗干扰能力。所述可控硅是设有控制端为光电耦合隔离元件的可控硅，采用控制端为光电耦合隔离元件的可控硅可以提高微处理器芯片和谐波及波形叠加主回路抗干扰能力。还设有可控硅触发脉冲驱动电路，所述可控硅触发脉冲驱动电路的输入端与所述微处理器芯片的一输出端连接，所述可控硅触发脉冲驱动电路的输出端经串联电阻限流后与所述可控硅的控制端连接。
本发明与现有技术对比的有益效果是本发明的电路简单，可靠性高，利用可控硅维持电流特性自动关断每一次谐振持续过程，市电每周期内可产生多次谐振，每次谐振产生的时间也可任意设置。用于高电位治疗设备可显著改善其治疗效果及疗效时间。
图I是本发明具体实施方式
的电路组成方框图；图2是本发明具体实施方式
的电路图。
具体实施例方式下面结合具体实施方式
并对照附图对本发明进行说明。一种如图1、2所示的用于高电位治疗设备的高电位谐波发生电路，是正弦波波形上叠加谐波的谐波发生电路，包括谐波及波形叠加主回路I以及电源电路，电源电路包括同步控制变压器T2和与同步控制变压器T2次级线圈并联的市电整流滤波稳压电路2。谐波及波形叠加主回路I包括由电感LI、电容C5及可控硅U4组成的串联谐振支路，且电感LI的一端即串联谐振支路的一端与同步控制变压器T2的初级线圈的一端连接， 可控硅U4的一端即串联谐振支路的另一端与同步控制变压器T2的初级线圈的另一端连接，还与高电位输出变压器Tl的初级线圈的一端连接，电容C5与电感LI的连接点与高电位输出变压器Tl的初级线圈的另一端连接；串联谐振支路利用可控硅U4维持电流特性自动关断每一次谐振持续过程，可控娃U4米用型号为M0C3052M设有控制端为光电稱合隔离元件的可控硅，其维持电流为220微安。采用控制端为光电耦合隔离元件的可控硅U4可以提高微处理器芯片和谐波及波形叠加主回路的抗干扰能力。还设有型号为8052的单片机微处理器芯片4及其外围的同步中断信号产生电路 5、基准时间振荡电路6和复位电路7，微处理器芯片4采用型号为8052的单片机芯片Ul， 其中断脚39与同步中断信号产生电路5的输出端连接，基准时间脚14、15与基准时间振荡电路6的输出端连接，复位脚4与复位电路7的输出端连接。同步中断信号产生电路5包括同步控制变压器T2的次级降压线圈、三极管型光电耦合器U2，以及发光二极管侧的直流限流电阻R3和光敏三极管的集电极电阻R4，光电耦合器U2在市电交流电的正半周时间导通，用于向微处理器芯片4提供中断请求信号。同步控制变压器T2的次级降压线圈将市电220V降压到12V，以保证同步中断信号产生电路5产生的可控硅触发脉冲延时起始点与市电过零点同步。采用三极管型光电耦合器U2可以提高微处理器芯片及同步中断信号产生电路的抗干扰能力。基准时间振荡电路6包括具体振荡器Xl、滤波电容C2和滤波电容C3，用于向微处理器芯片4提供基准时间。复位电路7包括复位电阻和滤波电容Cl，用于向微处理器芯片4提供复位信号。还相应设有采用型号为ULN2003的单片集成驱动芯片U3的可控硅触发脉冲驱动电路3，其输入端与单片机芯片Ul的输出脚19连接，输出端经串联电阻R5限流后与可控硅 U4的控制端即发光二极管的阴极连接。市电经同步控制变压器T2降压后，同步中断信号产生电路5的三极管型光电耦合器U2检测到市电过零点并产生同步中断脉冲信号，单片机芯片Ul的中断脚39检测到同步中断请求后，执行中断延时程序或直接计数延时，根据需求设定的延时时间结束时单片机芯片Ul的输出脚19发出脉冲信号经单片集成驱动芯片U3放大形成与市电同步的可控硅 U4的触发脉冲信号，单片机芯片Ul在一个市电周期内根据需求可以软件设定触发脉冲序列的数量以及每个脉冲间的时间间隔，以产生不同的触发脉冲或触发脉冲序列，即可实现在同一市电周期内产生不同延时的触发脉冲已达到谐振在不同的时间点上发生，控制谐波及波形叠加主回路I的串联谐振支路在同一周期内不同时间点发生谐振或者发生多次谐振，在高电位输出变压器Tl初级线圈得到叠加不同谐波的正弦波，以显著改善高电位治疗设备的治疗效果及疗效时间。 以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下做出若干等同替代或明显变型，而且性能或用途相同，都应当视为属于本发明由所提交的权利要求书确定的专利保护范围。
权利要求
1.一种高电位谐波发生电路，包括谐波及波形叠加主回路以及电源电路，所述电源电路包括初级线圈与市电连接的同步控制变压器和与所述同步控制变压器次级线圈并联的市电整流滤波稳压电路，其特征在于所述谐波及波形叠加主回路包括由电感、电容及可控硅组成的串联谐振支路，且电感的一端即所述串联谐振支路的一端与同步控制变压器的初级线圈的一端连接，可控硅的一端即所述串联谐振支路的另一端与同步控制变压器的初级线圈的另一端连接，还与高电位输出变压器的初级线圈的一端连接，电容与电感的连接点与高电位输出变压器的初级线圈的另一端连接，所述串联谐振支路利用可控硅维持电流特性自动关断每一次谐振持续过设有微处理器芯片及其外围的同步中断信号产生电路、基准时间振荡电路、复位电路， 所述微处理器芯片的中断脚与所述同步中断信号产生电路的输出端连接，所述微处理器芯片的基准时间脚与所述基准时间振荡电路的输出端连接，所述微处理器芯片的复位脚与所述复位电路的输出端连接。
2.如权利要求I所述的高电位谐波发生电路，其特征在于所述同步中断信号产生电路包括同步控制变压器的次级降压线圈、三极管型光电耦合器，以及发光二极管侧的直流限流电阻和光敏三极管的集电极电阻，所述光电耦合器在市电交流电的正半周时间导通。
3.如权利要求I或2所述的高电位谐波发生电路，其特征在于所述可控硅是设有控制端为光电耦合隔离元件的可控硅。
4.如权利要求3所述的高电位谐波发生电路，其特征在于设有可控硅触发脉冲驱动电路，所述可控硅触发脉冲驱动电路的输入端与所述微处理器芯片的一输出端连接，所述可控硅触发脉冲驱动电路的输出端经串联电阻限流后与所述可控硅的控制端连接。
全文摘要
一种高电位谐波发生电路，包括谐波及波形叠加主回路以及电源电路，谐波及波形叠加主回路包括由电感、电容及可控硅组成的串联谐振支路，且电感的一端即所述串联谐振支路的一端与同步控制变压器初级线圈的一端连接，可控硅的一端即所述串联谐振支路的另一端与同步控制变压器初级线圈的另一端连接，还与高电位输出变压器初级线圈的一端连接，电容与电感的连接点与高电位输出变压器的初级线圈的另一端连接，设有微处理器芯片及其外围同步中断信号产生电路。电路简单，可靠性高，利用可控硅维持电流特性自动关断每一次谐振持续过程，市电每周期内可产生多次谐振，每次谐振产生的时间也可任意设置。用于高电位治疗设备可显著改善其治疗效果及疗效时间。
文档编号H03K3/02GK102594301SQ20121001367
公开日2012年7月18日 申请日期2012年1月16日 优先权日2012年1月16日
发明者薛军, 贾月超 申请人:深圳市艾尔曼医疗电子仪器有限公司